दाता डोपंट एकाग्रता कॅल्क्युलेटर

✖सॅचुरेशन करंट म्हणजे ट्रान्झिस्टर पूर्णपणे चालू असताना त्यातून वाहू शकणारा कमाल प्रवाह.ⓘ संपृक्तता वर्तमान [I_sat]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.ⓘ ट्रान्झिस्टरची लांबी [L_t]			+10% -10%
✖ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.ⓘ ट्रान्झिस्टरची रुंदी [W_t]			+10% -10%
✖इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.ⓘ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता [μ_n]			+10% -10%
✖डिप्लीशन लेयर कॅपेसिटन्स प्रति युनिट एरिया ही प्रति युनिट क्षेत्रफळ कमी होण्याच्या थराची कॅपेसिटन्स आहे.ⓘ डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स [C_dep]			+10% -10%

✖दाता डोपंट एकाग्रता म्हणजे प्रति युनिट व्हॉल्यूम दाता अणूंची एकाग्रता.ⓘ दाता डोपंट एकाग्रता [N_d]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

दाता डोपंट एकाग्रता

सुत्र

`"N"_{"d"} = ("I"_{"sat"}*"L"_{"t"})/("[Charge-e]"*"W"_{"t"}*"μ"_{"n"}*"C"_{"dep"})`

उदाहरण

`"1.7E^23electrons/m³"=("2.015A"*"3.2μm")/("[Charge-e]"*"5.5μm"*"30m²/V*s"*"1.4μF")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन सूत्रे PDF PDF Image

दाता डोपंट एकाग्रता उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)
N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep)
हे सूत्र 1 स्थिर, 6 व्हेरिएबल्स वापरते

सतत वापरलेले

[Charge-e] - इलेक्ट्रॉनचा चार्ज मूल्य घेतले म्हणून 1.60217662E-19

व्हेरिएबल्स वापरलेले

दाता डोपंट एकाग्रता - (मध्ये मोजली इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर) - दाता डोपंट एकाग्रता म्हणजे प्रति युनिट व्हॉल्यूम दाता अणूंची एकाग्रता.
संपृक्तता वर्तमान - (मध्ये मोजली अँपिअर) - सॅचुरेशन करंट म्हणजे ट्रान्झिस्टर पूर्णपणे चालू असताना त्यातून वाहू शकणारा कमाल प्रवाह.
ट्रान्झिस्टरची लांबी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची लांबी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या लांबीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
ट्रान्झिस्टरची रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - ट्रान्झिस्टरची रुंदी MOSFET मधील चॅनेल क्षेत्राच्या रुंदीचा संदर्भ देते. हे परिमाण ट्रान्झिस्टरची विद्युत वैशिष्ट्ये आणि कार्यप्रदर्शन निश्चित करण्यात महत्त्वपूर्ण भूमिका बजावते.
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद) - इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी इलेक्ट्रिक फील्डच्या प्रतिसादात इलेक्ट्रॉन सामग्रीमधून किती वेगाने फिरू शकतात याचे वर्णन करते.
डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स - (मध्ये मोजली फॅरड) - डिप्लीशन लेयर कॅपेसिटन्स प्रति युनिट एरिया ही प्रति युनिट क्षेत्रफळ कमी होण्याच्या थराची कॅपेसिटन्स आहे.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

संपृक्तता वर्तमान: 2.015 अँपिअर --> 2.015 अँपिअर कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ट्रान्झिस्टरची लांबी: 3.2 मायक्रोमीटर --> 3.2E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
ट्रान्झिस्टरची रुंदी: 5.5 मायक्रोमीटर --> 5.5E-06 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद --> 30 स्क्वेअर मीटर प्रति व्होल्ट प्रति सेकंद कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स: 1.4 मायक्रोफरॅड --> 1.4E-06 फॅरड (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

N_d = (I_sat*L_t)/([Charge-e]*W_t*μ_n*C_dep) --> (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

N_d = 1.74221865211214E+23

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

1.74221865211214E+23 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

1.74221865211214E+23 ≈ 1.7E+23 इलेक्ट्रॉन्स प्रति घनमीटर <-- दाता डोपंट एकाग्रता

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » इंटिग्रेटेड सर्किट्स (IC) » एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन » दाता डोपंट एकाग्रता

जमा

ने निर्मित बानुप्रकाश

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर

संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज

जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))

MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))

दाता डोपंट एकाग्रता

जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)

स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता

जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)

जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता

जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))

प्रसार वेळ

जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स

मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता

जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते

जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता

चॅनेल प्रतिकार

जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)

MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता

जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)

गंभीर परिमाण

जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र

फोकसची खोली

जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)

प्रति वेफर मरणे

जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)

समतुल्य ऑक्साईड जाडी

जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

दाता डोपंट एकाग्रता सुत्र

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!