एफईटीचा ओहमिक प्रदेश ड्रेन करंट उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
वर्तमान FET काढून टाका = चॅनल कंडक्टन्स FET*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET+3/2*((पृष्ठभाग संभाव्य FET+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET)^(3/2)-(पृष्ठभाग संभाव्य FET+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET)^(3/2))/((पृष्ठभाग संभाव्य FET+पिंच ऑफ व्होल्टेज)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
वर्तमान FET काढून टाका - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट FET हा प्रवाह आहे जो FET च्या ड्रेन जंक्शनमधून वाहतो.
चॅनल कंडक्टन्स FET - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - चॅनेल कंडक्टन्स FET हे FET चे चॅनल किती चांगले प्रवाह चालवते याचे मोजमाप आहे. हे चॅनेलमधील चार्ज वाहकांच्या गतिशीलतेद्वारे निर्धारित केले जाते.
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ड्रेन सोर्स व्होल्टेज एफईटी हे ड्रेन आणि एफईटीच्या स्त्रोत टर्मिनलमधील व्होल्टेज आहे.
पृष्ठभाग संभाव्य FET - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पृष्ठभाग संभाव्य FET अर्धसंवाहक चॅनेलच्या पृष्ठभागाच्या संभाव्यतेवर आधारित कार्य करते, उलट स्तर निर्माण न करता गेट व्होल्टेजद्वारे विद्युत् प्रवाह नियंत्रित करते.
पिंच ऑफ व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पिंच ऑफ व्होल्टेज हे व्होल्टेज आहे ज्यावर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) चे चॅनेल इतके अरुंद होते की ते प्रभावीपणे बंद होते, पुढील कोणत्याही प्रवाहास प्रतिबंध करते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
चॅनल कंडक्टन्स FET: 0.00167 सीमेन्स --> 0.00167 सीमेन्स कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET: 0.2 व्होल्ट --> 0.2 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
पृष्ठभाग संभाव्य FET: 0.01859 व्होल्ट --> 0.01859 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
पिंच ऑफ व्होल्टेज: 100.66 व्होल्ट --> 100.66 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2))) --> 0.00167*(0.2+3/2*((0.01859+0.2-0.2)^(3/2)-(0.01859+0.2)^(3/2))/((0.01859+100.66)^(1/2)))
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Id(fet) = 0.000309118432491184
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.000309118432491184 अँपिअर --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.000309118432491184 0.000309 अँपिअर <-- वर्तमान FET काढून टाका
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
आचार्य इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (AIT), बेंगळुरू
मोहम्मद फाझिल व्ही यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग
चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब
परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

8 FET कॅल्क्युलेटर

एफईटीचा ओहमिक प्रदेश ड्रेन करंट
​ जा वर्तमान FET काढून टाका = चॅनल कंडक्टन्स FET*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET+3/2*((पृष्ठभाग संभाव्य FET+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET)^(3/2)-(पृष्ठभाग संभाव्य FET+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET)^(3/2))/((पृष्ठभाग संभाव्य FET+पिंच ऑफ व्होल्टेज)^(1/2)))
FET चे ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स FET = (2*शून्य बायस ड्रेन करंट)/पिंच ऑफ व्होल्टेज*(1-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET/पिंच ऑफ व्होल्टेज)
FET चा ड्रेन सोर्स व्होल्टेज
​ जा ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET = ड्रेन FET वर व्होल्टेज पुरवठा-वर्तमान FET काढून टाका*(निचरा प्रतिकार FET+स्रोत प्रतिकार FET)
FET ची गेट सोर्स कॅपेसिटन्स
​ जा गेट सोर्स कॅपेसिटन्स FET = गेट सोर्स कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET/(1-(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET/पृष्ठभाग संभाव्य FET))^(1/3)
FET चे गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स
​ जा गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स FET = गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स ऑफ टाइम FET/(1-गेट टू ड्रेन व्होल्टेज FET/पृष्ठभाग संभाव्य FET)^(1/3)
FET चा प्रवाह काढून टाका
​ जा वर्तमान FET काढून टाका = शून्य बायस ड्रेन करंट*(1-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET/कट ऑफ व्होल्टेज FET)^2
FET चा व्होल्टेज पिंच करा
​ जा पिंच ऑफ व्होल्टेज = चिमूटभर बंद ड्रेन स्रोत व्होल्टेज FET-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET
FET चा व्होल्टेज वाढ
​ जा व्होल्टेज वाढणे FET = -फॉरवर्ड ट्रान्सकंडक्टन्स FET*निचरा प्रतिकार FET

एफईटीचा ओहमिक प्रदेश ड्रेन करंट सुत्र

वर्तमान FET काढून टाका = चॅनल कंडक्टन्स FET*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET+3/2*((पृष्ठभाग संभाव्य FET+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET-ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET)^(3/2)-(पृष्ठभाग संभाव्य FET+ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज FET)^(3/2))/((पृष्ठभाग संभाव्य FET+पिंच ऑफ व्होल्टेज)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!