Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki Kalkulator

✖Parametr transkonduktancji procesu w NMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.ⓘ Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖Szerokość kanału odnosi się do wielkości pasma dostępnego do przesyłania danych w kanale komunikacyjnym.ⓘ Szerokość kanału [W_c]			+10% -10%
✖Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.ⓘ Długość kanału [L]			+10% -10%
✖Napięcie źródła bramki to napięcie, które spada na końcówkę bramki-źródło tranzystora.ⓘ Napięcie źródła bramki [V_gs]			+10% -10%
✖Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.ⓘ Próg napięcia [V_T]			+10% -10%
✖Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.ⓘ Napięcie źródła drenażu [V_ds]			+10% -10%

✖Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).ⓘ Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki [I_d]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Formuła

`"I"_{"d"} = "k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*(("V"_{"gs"}-"V"_{"T"})*"V"_{"ds"}-1/2*"V"_{"ds"}^2)`

Przykład

`"239.693mA"="2mS"*"10μm"/"3μm"*(("10.3V"-"1.82V")*"8.43V"-1/2*("8.43V")^2)`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*Napięcie źródła drenażu^2)
I_d = k'_n*W_c/L*((V_gs-V_T)*V_ds-1/2*V_ds^2)
Ta formuła używa 7 Zmienne

Używane zmienne

Prąd spustowy w NMOS - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu w NMOS to prąd elektryczny płynący od drenu do źródła tranzystora polowego (FET) lub tranzystora polowego metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET).
Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS - (Mierzone w Siemens) - Parametr transkonduktancji procesu w NMOS (PTM) to parametr używany w modelowaniu urządzeń półprzewodnikowych do charakteryzowania wydajności tranzystora.
Szerokość kanału - (Mierzone w Metr) - Szerokość kanału odnosi się do wielkości pasma dostępnego do przesyłania danych w kanale komunikacyjnym.
Długość kanału - (Mierzone w Metr) - Długość kanału można zdefiniować jako odległość między jego punktem początkowym a końcowym i może się znacznie różnić w zależności od jego przeznaczenia i lokalizacji.
Napięcie źródła bramki - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła bramki to napięcie, które spada na końcówkę bramki-źródło tranzystora.
Próg napięcia - (Mierzone w Wolt) - Napięcie progowe, zwane również napięciem progowym bramki lub po prostu Vth, jest krytycznym parametrem w działaniu tranzystorów polowych, które są podstawowymi elementami współczesnej elektroniki.
Napięcie źródła drenażu - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu to termin elektryczny używany w elektronice, a zwłaszcza w tranzystorach polowych. Odnosi się do różnicy napięcia między zaciskami drenu i źródła FET.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Sprawdź konwersję tutaj)
Szerokość kanału: 10 Mikrometr --> 1E-05 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Długość kanału: 3 Mikrometr --> 3E-06 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Napięcie źródła bramki: 10.3 Wolt --> 10.3 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Próg napięcia: 1.82 Wolt --> 1.82 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła drenażu: 8.43 Wolt --> 8.43 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_d = k'_n*W_c/L*((V_gs-V_T)*V_ds-1/2*V_ds^2) --> 0.002*1E-05/3E-06*((10.3-1.82)*8.43-1/2*8.43^2)

Ocenianie ... ...

I_d = 0.239693

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.239693 Amper -->239.693 Miliamper (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

239.693 Miliamper <-- Prąd spustowy w NMOS

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Ulepszenie kanału N » Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Kredyty

Stworzone przez Payal Priya

Birsa Institute of Technology (KAWAŁEK), Sindri

Payal Priya utworzył ten kalkulator i 600+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod zweryfikował ten kalkulator i 1900+ więcej kalkulatorów!

< 17 Ulepszenie kanału N Kalkulatory

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*((Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie źródła drenażu-1/2*(Napięcie źródła drenażu)^2)

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki

Efekt ciała w NMOS

Iść Zmiana napięcia progowego = Próg napięcia+Parametr procesu produkcyjnego*(sqrt(2*Parametr fizyczny+Napięcie między ciałem a źródłem)-sqrt(2*Parametr fizyczny))

Bieżący terminal wlotowy spustu NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*Napięcie źródła drenażu*(Napięcie przesterowania w NMOS-1/2*Napięcie źródła drenażu)

NMOS jako rezystancja liniowa

Iść Opór liniowy = Długość kanału/(Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pojemność tlenkowa*Szerokość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia))

Prąd spustowy, gdy NMOS działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Prąd wchodzący do drenu-źródła w regionie nasycenia NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2

Parametr procesu produkcyjnego NMOS

Iść Parametr procesu produkcyjnego = sqrt(2*[Charge-e]*Stężenie domieszkowania substratu P*[Permitivity-vacuum])/Pojemność tlenkowa

Prąd wejściowy dren-źródło w obszarze nasycenia NMOS przy danym efektywnym napięciu

Iść Prąd drenu nasycenia = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie przesterowania w NMOS)^2

Prąd wchodzący do źródła drenu na granicy obszaru nasycenia i triody NMOS

Iść Prąd spustowy w NMOS = 1/2*Parametr transkonduktancji procesowej w NMOS*Szerokość kanału/Długość kanału*(Napięcie źródła drenażu)^2

Prędkość dryfu elektronu kanału w tranzystorze NMOS

Iść Prędkość dryfu elektronów = Ruchliwość elektronów na powierzchni kanału*Pole elektryczne na całej długości kanału

Całkowita moc dostarczona w NMOS

Iść Dostarczone zasilanie = Napięcie zasilania*(Prąd spustowy w NMOS+Aktualny)

Prąd drenu podany w NMOS Działa jako źródło prądu sterowane napięciem

Iść Parametr transkonduktancji = Parametr transkonduktancji procesowej w PMOS*Współczynnik proporcji

Rezystancja wyjściowa źródła prądu NMOS przy danym prądzie drenu

Iść Rezystancja wyjściowa = Parametr urządzenia/Prąd spustowy bez modulacji długości kanału

Całkowita moc rozpraszana w NMOS

Iść Moc rozproszona = Prąd spustowy w NMOS^2*ON Rezystancja kanału

Dodatnie napięcie przy danej długości kanału w NMOS

Iść Napięcie = Parametr urządzenia*Długość kanału

Pojemność tlenkowa NMOS

Iść Pojemność tlenkowa = (3.45*10^(-11))/Grubość tlenku

Prąd wchodzący do zacisku drenu NMOS przy danym napięciu źródła bramki Formułę

Co to jest prąd drenu w tranzystorze MOSFET?

Prąd drenu poniżej napięcia progowego jest definiowany jako prąd podprogowy i zmienia się wykładniczo wraz z Vgs. Odwrotność nachylenia krzywej logicznej (Ids) względem charakterystyki Vgs jest definiowana jako nachylenie podprogowe, S i jest jedną z najbardziej krytycznych metryk wydajności dla tranzystorów MOSFET w zastosowaniach logicznych.

Ile prądu może obsłużyć MOSFET?

Tranzystory MOSFET o wysokim natężeniu prądu, takie jak 511-STP200N3LL, twierdzą, że mogą wytrzymać prąd o natężeniu 120 A. kontrolowane przez napięcie bramki.

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!