Concentração de Portadores Intrínsecos Calculadora

Concentração de Portadores Intrínsecos = sqrt(Densidade efetiva de estado na banda de valência*Densidade efetiva de estado na banda de condução)*exp(-Diferença de energia/(2*[BoltZ]*Temperatura))
n_i = sqrt(N_v*N_c)*exp(-E_g/(2*[BoltZ]*T))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 2 Funções, 5 Variáveis
[BoltZ] - Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23exp - Em uma função exponencial, o valor da função muda por um fator constante para cada mudança unitária na variável independente., exp(Number)
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)Concentração de Portadores Intrínsecos - (Medido em 1 por metro cúbico) - A concentração de portadores intrínsecos é usada para descrever a concentração de portadores de carga (elétrons e buracos) em um material semicondutor intrínseco ou não dopado em equilíbrio térmico.
Densidade efetiva de estado na banda de valência - (Medido em 1 por metro cúbico) - A densidade efetiva de estado na banda de valência é definida como a banda de orbitais de elétrons da qual os elétrons podem pular, movendo-se para a banda de condução quando excitados.
Densidade efetiva de estado na banda de condução - (Medido em 1 por metro cúbico) - A densidade efetiva de estado na banda de condução é definida como o número de mínimos de energia equivalente na banda de condução.
Diferença de energia - (Medido em Joule) - Gap de energia na física do estado sólido, um gap de energia é uma faixa de energia em um sólido onde não existem estados de elétrons.
Temperatura - (Medido em Kelvin) - Temperatura é o grau ou intensidade de calor presente em uma substância ou objeto.

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)