Критическое измерение Калькулятор

✖Константа, зависящая от процесса, относится к параметру или значению, которое характеризует конкретный аспект производственного процесса и оказывает существенное влияние на производительность полупроводниковых устройств.ⓘ Зависимая от процесса константа [k₁]			+10% -10%
✖Длина волны в фотолитографии относится к определенному диапазону электромагнитного излучения, используемого для формирования рисунка на полупроводниковых пластинах в процессе производства полупроводников.ⓘ Длина волны в фотолитографии [λ_l]			+10% -10%
✖Числовая апертура оптической системы — это параметр, используемый в оптике для описания возможностей оптической системы. В контексте производства полупроводников и фотолитографии.ⓘ Числовая апертура [NA]			+10% -10%

✖Критический размер в производстве полупроводников относится к наименьшему размеру элемента или наименьшему измеримому размеру в данном процессе.ⓘ Критическое измерение [CD]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Критическое измерение

Формула

`"CD" = "k"_{"1"}*"λ"_{"l"}/"NA"`

Пример

`"485.1883nm"="1.56"*"223nm"/"0.717"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Критическое измерение Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура
CD = k₁*λ_l/NA
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Критическое измерение - (Измеряется в метр) - Критический размер в производстве полупроводников относится к наименьшему размеру элемента или наименьшему измеримому размеру в данном процессе.
Зависимая от процесса константа - Константа, зависящая от процесса, относится к параметру или значению, которое характеризует конкретный аспект производственного процесса и оказывает существенное влияние на производительность полупроводниковых устройств.
Длина волны в фотолитографии - (Измеряется в метр) - Длина волны в фотолитографии относится к определенному диапазону электромагнитного излучения, используемого для формирования рисунка на полупроводниковых пластинах в процессе производства полупроводников.
Числовая апертура - Числовая апертура оптической системы — это параметр, используемый в оптике для описания возможностей оптической системы. В контексте производства полупроводников и фотолитографии.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Зависимая от процесса константа: 1.56 --> Конверсия не требуется
Длина волны в фотолитографии: 223 нанометр --> 2.23E-07 метр (Проверьте преобразование здесь)
Числовая апертура: 0.717 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Оценка ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

4.85188284518829E-07 метр -->485.188284518829 нанометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

485.188284518829 ≈ 485.1883 нанометр <-- Критическое измерение

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Критическое измерение

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Критическое измерение формула

Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура
CD = k₁*λ_l/NA

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!