Calculadora Dimensión crítica

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Fabricación de circuitos integrados MOS

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✖La constante dependiente del proceso se refiere a un parámetro o valor que caracteriza un aspecto específico del proceso de fabricación y tiene un impacto significativo en el rendimiento de los dispositivos semiconductores.ⓘ Constante dependiente del proceso [k₁]			+10% -10%
✖La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.ⓘ Longitud de onda en fotolitografía [λ_l]			+10% -10%
✖La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.ⓘ Apertura numérica [NA]			+10% -10%

✖La dimensión crítica en la fabricación de semiconductores se refiere al tamaño de característica más pequeño o al tamaño más pequeño medible en un proceso determinado.ⓘ Dimensión crítica [CD]

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Fórmula

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Dimensión crítica

Fórmula

`"CD" = "k"_{"1"}*"λ"_{"l"}/"NA"`

Ejemplo

`"485.1883nm"="1.56"*"223nm"/"0.717"`

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Dimensión crítica Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica
CD = k₁*λ_l/NA
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Dimensión crítica - (Medido en Metro) - La dimensión crítica en la fabricación de semiconductores se refiere al tamaño de característica más pequeño o al tamaño más pequeño medible en un proceso determinado.
Constante dependiente del proceso - La constante dependiente del proceso se refiere a un parámetro o valor que caracteriza un aspecto específico del proceso de fabricación y tiene un impacto significativo en el rendimiento de los dispositivos semiconductores.
Longitud de onda en fotolitografía - (Medido en Metro) - La longitud de onda en fotolitografía se refiere al rango específico de radiación electromagnética empleada para modelar obleas semiconductoras durante el proceso de fabricación de semiconductores.
Apertura numérica - La apertura numérica de un sistema óptico es un parámetro utilizado en óptica para describir la capacidad de un sistema óptico. En el contexto de la fabricación de semiconductores y la fotolitografía.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Constante dependiente del proceso: 1.56 --> No se requiere conversión
Longitud de onda en fotolitografía: 223 nanómetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique la conversión aquí)
Apertura numérica: 0.717 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Evaluar ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

4.85188284518829E-07 Metro -->485.188284518829 nanómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

485.188284518829 ≈ 485.1883 nanómetro <-- Dimensión crítica

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 15 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Voltaje del punto de conmutación

Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))

Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Concentración de dopante del donante

Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Concentración de dopante aceptor

Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Concentración máxima de dopante

Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico

Tiempo de propagación

Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque

Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)

Dimensión crítica

Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica

Troquel por oblea

Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)

Espesor de óxido equivalente

Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Dimensión crítica Fórmula

Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica
CD = k₁*λ_l/NA

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