Wymiar krytyczny Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja układów scalonych MOS

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Wyzwalacz Schmitta

✖Stała zależna od procesu odnosi się do parametru lub wartości charakteryzującej konkretny aspekt procesu produkcyjnego i mającej znaczący wpływ na wydajność urządzeń półprzewodnikowych.ⓘ Stała zależna od procesu [k₁]			+10% -10%
✖Długość fali w fotolitografii odnosi się do określonego zakresu promieniowania elektromagnetycznego wykorzystywanego do modelowania płytek półprzewodnikowych podczas procesu wytwarzania półprzewodników.ⓘ Długość fali w fotolitografii [λ_l]			+10% -10%
✖Apertura numeryczna układu optycznego to parametr używany w optyce do opisu zdolności układu optycznego. W kontekście produkcji półprzewodników i fotolitografii.ⓘ Przysłona numeryczna [NA]			+10% -10%

✖Wymiar krytyczny w produkcji półprzewodników odnosi się do najmniejszego rozmiaru elementu lub najmniejszego mierzalnego rozmiaru w danym procesie.ⓘ Wymiar krytyczny [CD]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Wymiar krytyczny

Formuła

`"CD" = "k"_{"1"}*"λ"_{"l"}/"NA"`

Przykład

`"485.1883nm"="1.56"*"223nm"/"0.717"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Wymiar krytyczny Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna
CD = k₁*λ_l/NA
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Wymiar krytyczny - (Mierzone w Metr) - Wymiar krytyczny w produkcji półprzewodników odnosi się do najmniejszego rozmiaru elementu lub najmniejszego mierzalnego rozmiaru w danym procesie.
Stała zależna od procesu - Stała zależna od procesu odnosi się do parametru lub wartości charakteryzującej konkretny aspekt procesu produkcyjnego i mającej znaczący wpływ na wydajność urządzeń półprzewodnikowych.
Długość fali w fotolitografii - (Mierzone w Metr) - Długość fali w fotolitografii odnosi się do określonego zakresu promieniowania elektromagnetycznego wykorzystywanego do modelowania płytek półprzewodnikowych podczas procesu wytwarzania półprzewodników.
Przysłona numeryczna - Apertura numeryczna układu optycznego to parametr używany w optyce do opisu zdolności układu optycznego. W kontekście produkcji półprzewodników i fotolitografii.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Stała zależna od procesu: 1.56 --> Nie jest wymagana konwersja
Długość fali w fotolitografii: 223 Nanometr --> 2.23E-07 Metr (Sprawdź konwersję tutaj)
Przysłona numeryczna: 0.717 --> Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Ocenianie ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

4.85188284518829E-07 Metr -->485.188284518829 Nanometr (Sprawdź konwersję tutaj)

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

485.188284518829 ≈ 485.1883 Nanometr <-- Wymiar krytyczny

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Wymiar krytyczny

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 15 Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Napięcie punktu przełączania

Iść Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Stężenie domieszki dawcy

Iść Stężenie domieszki dawcy = (Prąd nasycenia*Długość tranzystora)/([Charge-e]*Szerokość tranzystora*Mobilność elektronów*Pojemność warstwy zubożonej)

Stężenie domieszki akceptorowej

Iść Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)

Maksymalne stężenie domieszki

Iść Maksymalne stężenie domieszki = Stężenie referencyjne*exp(-Energia aktywacji dla rozpuszczalności substancji stałych/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Czas propagacji

Iść Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia

Dryf gęstości prądu ze względu na swobodne elektrony

Iść Dryf gęstości prądu ze względu na elektrony = [Charge-e]*Stężenie elektronów*Mobilność elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Dryf gęstości prądu z powodu dziur

Iść Dryf gęstości prądu z powodu dziur = [Charge-e]*Zagęszczenie dziur*Mobilność dziury*Natężenie pola elektrycznego

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Głębia ostrości

Iść Głębia ostrości = Czynnik proporcjonalności*Długość fali w fotolitografii/(Przysłona numeryczna^2)

Wymiar krytyczny

Iść Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna

Umrzyj na opłatek

Iść Umrzyj na opłatek = (pi*Średnica wafla^2)/(4*Rozmiar każdej kostki)

Równoważna grubość tlenku

Iść Równoważna grubość tlenku = Grubość materiału*(3.9/Stała dielektryczna materiału)

Wymiar krytyczny Formułę

Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna
CD = k₁*λ_l/NA

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!