Dimensione critica calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Trigger di Schmitt

✖La costante dipendente dal processo si riferisce a un parametro o valore che caratterizza un aspetto specifico del processo di fabbricazione e ha un impatto significativo sulle prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.ⓘ Costante dipendente dal processo [k₁]			+10% -10%
✖La lunghezza d'onda nella fotolitografia si riferisce alla gamma specifica di radiazione elettromagnetica impiegata per modellare i wafer semiconduttori durante il processo di fabbricazione del semiconduttore.ⓘ Lunghezza d'onda nella fotolitografia [λ_l]			+10% -10%
✖L'apertura numerica di un sistema ottico è un parametro utilizzato in ottica per descrivere la capacità di un sistema ottico. Nel contesto della produzione di semiconduttori e della fotolitografia.ⓘ Apertura numerica [NA]			+10% -10%

✖La dimensione critica nella produzione di semiconduttori si riferisce alla dimensione più piccola della caratteristica o alla dimensione più piccola misurabile in un dato processo.ⓘ Dimensione critica [CD]

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Formula

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Dimensione critica

Formula

`"CD" = "k"_{"1"}*"λ"_{"l"}/"NA"`

Esempio

`"485.1883nm"="1.56"*"223nm"/"0.717"`

Calcolatrice

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Dimensione critica Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica
CD = k₁*λ_l/NA
Questa formula utilizza 4 Variabili

Variabili utilizzate

Dimensione critica - (Misurato in metro) - La dimensione critica nella produzione di semiconduttori si riferisce alla dimensione più piccola della caratteristica o alla dimensione più piccola misurabile in un dato processo.
Costante dipendente dal processo - La costante dipendente dal processo si riferisce a un parametro o valore che caratterizza un aspetto specifico del processo di fabbricazione e ha un impatto significativo sulle prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.
Lunghezza d'onda nella fotolitografia - (Misurato in metro) - La lunghezza d'onda nella fotolitografia si riferisce alla gamma specifica di radiazione elettromagnetica impiegata per modellare i wafer semiconduttori durante il processo di fabbricazione del semiconduttore.
Apertura numerica - L'apertura numerica di un sistema ottico è un parametro utilizzato in ottica per descrivere la capacità di un sistema ottico. Nel contesto della produzione di semiconduttori e della fotolitografia.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Costante dipendente dal processo: 1.56 --> Nessuna conversione richiesta
Lunghezza d'onda nella fotolitografia: 223 Nanometro --> 2.23E-07 metro (Controlla la conversione qui)
Apertura numerica: 0.717 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Valutare ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

4.85188284518829E-07 metro -->485.188284518829 Nanometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

485.188284518829 ≈ 485.1883 Nanometro <-- Dimensione critica

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Tensione del punto di commutazione

Partire Tensione del punto di commutazione = (Tensione di alimentazione+Tensione di soglia PMOS+Tensione di soglia NMOS*sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))/(1+sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))

Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Concentrazione del drogante del donatore

Partire Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione del drogante accettore

Partire Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione massima di drogante

Partire Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi

Partire Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità elettronica*Intensità del campo elettrico

Tempo di propagazione

Partire Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Partire Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco

Partire Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)

Dimensione critica

Partire Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica

Muori per wafer

Partire Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)

Spessore equivalente dell'ossido

Partire Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)

Dimensione critica Formula

Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica
CD = k₁*λ_l/NA

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