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Fabrication de circuits intégrés MOS

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖La constante dépendante du processus fait référence à un paramètre ou à une valeur qui caractérise un aspect spécifique du processus de fabrication et a un impact significatif sur les performances des dispositifs semi-conducteurs.ⓘ Constante dépendante du processus [k₁]			+10% -10%
✖La longueur d'onde en photolithographie fait référence à la plage spécifique de rayonnement électromagnétique utilisée pour modeler les tranches semi-conductrices pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.ⓘ Longueur d'onde en photolithographie [λ_l]			+10% -10%
✖L'ouverture numérique d'un système optique est un paramètre utilisé en optique pour décrire la capacité d'un système optique. Dans le contexte de la fabrication de semi-conducteurs et de la photolithographie.ⓘ Ouverture numérique [NA]			+10% -10%

✖La dimension critique dans la fabrication de semi-conducteurs fait référence à la plus petite taille de caractéristique ou à la plus petite taille mesurable dans un processus donné.ⓘ Dimension critique [CD]

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Formule

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Dimension critique

Formule

`"CD" = "k"_{"1"}*"λ"_{"l"}/"NA"`

Exemple

`"485.1883nm"="1.56"*"223nm"/"0.717"`

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Dimension critique Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique
CD = k₁*λ_l/NA
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Dimension critique - (Mesuré en Mètre) - La dimension critique dans la fabrication de semi-conducteurs fait référence à la plus petite taille de caractéristique ou à la plus petite taille mesurable dans un processus donné.
Constante dépendante du processus - La constante dépendante du processus fait référence à un paramètre ou à une valeur qui caractérise un aspect spécifique du processus de fabrication et a un impact significatif sur les performances des dispositifs semi-conducteurs.
Longueur d'onde en photolithographie - (Mesuré en Mètre) - La longueur d'onde en photolithographie fait référence à la plage spécifique de rayonnement électromagnétique utilisée pour modeler les tranches semi-conductrices pendant le processus de fabrication des semi-conducteurs.
Ouverture numérique - L'ouverture numérique d'un système optique est un paramètre utilisé en optique pour décrire la capacité d'un système optique. Dans le contexte de la fabrication de semi-conducteurs et de la photolithographie.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Constante dépendante du processus: 1.56 --> Aucune conversion requise
Longueur d'onde en photolithographie: 223 Nanomètre --> 2.23E-07 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Ouverture numérique: 0.717 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Évaluer ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

4.85188284518829E-07 Mètre -->485.188284518829 Nanomètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

485.188284518829 ≈ 485.1883 Nanomètre <-- Dimension critique

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Tension du point de commutation

Aller Tension du point de commutation = (Tension d'alimentation+Tension de seuil PMOS+Tension de seuil NMOS*sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))/(1+sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Concentration de dopant du donneur

Aller Concentration de dopant du donneur = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration de dopant accepteur

Aller Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration maximale de dopant

Aller Concentration maximale de dopant = Concentration de référence*exp(-Énergie d'activation pour la solubilité solide/([BoltZ]*Température absolue))

Densité de courant de dérive due aux électrons libres

Aller Densité de courant de dérive due aux électrons = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité électronique*Intensité du champ électrique

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Densité du courant de dérive due aux trous

Aller Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Profondeur de mise au point

Aller Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)

Dimension critique

Aller Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique

Matrice par tranche

Aller Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)

Épaisseur d'oxyde équivalente

Aller Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)

Dimension critique Formule

Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique
CD = k₁*λ_l/NA

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