Dimensão crítica Calculadora

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Fabricação de IC MOS

Fabricação de CI bipolar

Gatilho Schmitt

✖Constante Dependente do Processo refere-se a um parâmetro ou valor que caracteriza um aspecto específico do processo de fabricação e tem um impacto significativo no desempenho de dispositivos semicondutores.ⓘ Constante Dependente do Processo [k₁]			+10% -10%
✖Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.ⓘ Comprimento de onda em fotolitografia [λ_l]			+10% -10%
✖A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.ⓘ Abertura numerica [NA]			+10% -10%

✖A dimensão crítica na fabricação de semicondutores refere-se ao menor tamanho de recurso ou ao menor tamanho mensurável em um determinado processo.ⓘ Dimensão crítica [CD]

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Fórmula

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Dimensão crítica

Fórmula

`"CD" = "k"_{"1"}*"λ"_{"l"}/"NA"`

Exemplo

`"485.1883nm"="1.56"*"223nm"/"0.717"`

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Dimensão crítica Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica
CD = k₁*λ_l/NA
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Dimensão crítica - (Medido em Metro) - A dimensão crítica na fabricação de semicondutores refere-se ao menor tamanho de recurso ou ao menor tamanho mensurável em um determinado processo.
Constante Dependente do Processo - Constante Dependente do Processo refere-se a um parâmetro ou valor que caracteriza um aspecto específico do processo de fabricação e tem um impacto significativo no desempenho de dispositivos semicondutores.
Comprimento de onda em fotolitografia - (Medido em Metro) - Comprimento de onda em fotolitografia refere-se à faixa específica de radiação eletromagnética empregada para padronizar wafers semicondutores durante o processo de fabricação de semicondutores.
Abertura numerica - A abertura numérica de um sistema óptico é um parâmetro usado em óptica para descrever a capacidade de um sistema óptico. No contexto da fabricação de semicondutores e fotolitografia.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Constante Dependente do Processo: 1.56 --> Nenhuma conversão necessária
Comprimento de onda em fotolitografia: 223 Nanômetro --> 2.23E-07 Metro (Verifique a conversão aqui)
Abertura numerica: 0.717 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Avaliando ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

4.85188284518829E-07 Metro -->485.188284518829 Nanômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

485.188284518829 ≈ 485.1883 Nanômetro <-- Dimensão crítica

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Dimensão crítica Fórmula

Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica
CD = k₁*λ_l/NA

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