Kritische dimensie Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Procesafhankelijke constante verwijst naar een parameter of waarde die een specifiek aspect van het fabricageproces karakteriseert en een aanzienlijke impact heeft op de prestaties van halfgeleiderapparaten.ⓘ Procesafhankelijke constante [k₁]			+10% -10%
✖Golflengte in fotolithografie verwijst naar het specifieke bereik van elektromagnetische straling dat wordt gebruikt om halfgeleiderwafels te patrooneren tijdens het fabricageproces van halfgeleiders.ⓘ Golflengte in fotolithografie [λ_l]			+10% -10%
✖Numerieke opening van een optisch systeem is een parameter die in de optica wordt gebruikt om het vermogen van een optisch systeem te beschrijven. In de context van halfgeleiderproductie en fotolithografie.ⓘ Numeriek diafragma [NA]			+10% -10%

✖Kritische dimensie bij de productie van halfgeleiders verwijst naar de kleinste kenmerkgrootte of de kleinst meetbare grootte in een bepaald proces.ⓘ Kritische dimensie [CD]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Kritische dimensie

Formule

`"CD" = "k"_{"1"}*"λ"_{"l"}/"NA"`

Voorbeeld

`"485.1883nm"="1.56"*"223nm"/"0.717"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Kritische dimensie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma
CD = k₁*λ_l/NA
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Kritische dimensie - (Gemeten in Meter) - Kritische dimensie bij de productie van halfgeleiders verwijst naar de kleinste kenmerkgrootte of de kleinst meetbare grootte in een bepaald proces.
Procesafhankelijke constante - Procesafhankelijke constante verwijst naar een parameter of waarde die een specifiek aspect van het fabricageproces karakteriseert en een aanzienlijke impact heeft op de prestaties van halfgeleiderapparaten.
Golflengte in fotolithografie - (Gemeten in Meter) - Golflengte in fotolithografie verwijst naar het specifieke bereik van elektromagnetische straling dat wordt gebruikt om halfgeleiderwafels te patrooneren tijdens het fabricageproces van halfgeleiders.
Numeriek diafragma - Numerieke opening van een optisch systeem is een parameter die in de optica wordt gebruikt om het vermogen van een optisch systeem te beschrijven. In de context van halfgeleiderproductie en fotolithografie.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procesafhankelijke constante: 1.56 --> Geen conversie vereist
Golflengte in fotolithografie: 223 Nanometer --> 2.23E-07 Meter (Bekijk de conversie hier)
Numeriek diafragma: 0.717 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

CD = k₁*λ_l/NA --> 1.56*2.23E-07/0.717

Evalueren ... ...

CD = 4.85188284518829E-07

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

4.85188284518829E-07 Meter -->485.188284518829 Nanometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

485.188284518829 ≈ 485.1883 Nanometer <-- Kritische dimensie

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Kritische dimensie

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Kritische dimensie Formule

Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma
CD = k₁*λ_l/NA

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!