Умереть на пластину Калькулятор

✖Диаметр пластины относится к размеру кремниевых пластин, используемых в процессе производства полупроводников. Эти пластины служат основным материалом, на котором изготавливаются полупроводниковые устройства.ⓘ Диаметр пластины [d_w]			+10% -10%
✖Размер каждого кристалла относится к физическим размерам отдельного полупроводникового чипа или интегральной схемы (ИС), изготовленного на кремниевой пластине.ⓘ Размер каждой матрицы [S_d]			+10% -10%

✖Die Per Wafer означает количество штампов, которые можно изготовить из одной пластины.ⓘ Умереть на пластину [DPW]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Умереть на пластину

Формула

`"DPW" = (pi*"d"_{"w"}^2)/(4*"S"_{"d"})`

Пример

`"803.2481"=(pi*("150mm")^2)/(4*"22mm²")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Умереть на пластину Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
В этой формуле используются 1 Константы, 3 Переменные

Используемые константы

pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Умереть на пластину - Die Per Wafer означает количество штампов, которые можно изготовить из одной пластины.
Диаметр пластины - (Измеряется в метр) - Диаметр пластины относится к размеру кремниевых пластин, используемых в процессе производства полупроводников. Эти пластины служат основным материалом, на котором изготавливаются полупроводниковые устройства.
Размер каждой матрицы - (Измеряется в Квадратный метр) - Размер каждого кристалла относится к физическим размерам отдельного полупроводникового чипа или интегральной схемы (ИС), изготовленного на кремниевой пластине.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Диаметр пластины: 150 Миллиметр --> 0.15 метр (Проверьте преобразование здесь)
Размер каждой матрицы: 22 Площадь Миллиметр --> 2.2E-05 Квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Оценка ... ...

DPW = 803.248121656481

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

803.248121656481 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Умереть на пластину

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Умереть на пластину

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Умереть на пластину формула

Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!