Calculadora Troquel por oblea

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Fabricación de circuitos integrados MOS

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✖El diámetro de la oblea se refiere al tamaño de las obleas de silicio utilizadas en el proceso de fabricación de semiconductores. Estas obleas sirven como material base sobre el que se basan los dispositivos semiconductores.ⓘ Diámetro de la oblea [d_w]			+10% -10%
✖El tamaño de cada matriz se refiere a las dimensiones físicas de un chip semiconductor o circuito integrado (IC) individual tal como se fabrica en una oblea de silicio.ⓘ Tamaño de cada troquel [S_d]			+10% -10%

✖Troquel por oblea significa la cantidad de troqueles que se pueden fabricar a partir de una sola oblea.ⓘ Troquel por oblea [DPW]

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Fórmula

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Troquel por oblea

Fórmula

`"DPW" = (pi*"d"_{"w"}^2)/(4*"S"_{"d"})`

Ejemplo

`"803.2481"=(pi*("150mm")^2)/(4*"22mm²")`

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Troquel por oblea Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilizadas

pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilizadas

Troquel por oblea - Troquel por oblea significa la cantidad de troqueles que se pueden fabricar a partir de una sola oblea.
Diámetro de la oblea - (Medido en Metro) - El diámetro de la oblea se refiere al tamaño de las obleas de silicio utilizadas en el proceso de fabricación de semiconductores. Estas obleas sirven como material base sobre el que se basan los dispositivos semiconductores.
Tamaño de cada troquel - (Medido en Metro cuadrado) - El tamaño de cada matriz se refiere a las dimensiones físicas de un chip semiconductor o circuito integrado (IC) individual tal como se fabrica en una oblea de silicio.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Diámetro de la oblea: 150 Milímetro --> 0.15 Metro (Verifique la conversión aquí)
Tamaño de cada troquel: 22 Milímetro cuadrado --> 2.2E-05 Metro cuadrado (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Evaluar ... ...

DPW = 803.248121656481

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

803.248121656481 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Troquel por oblea

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 15 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Voltaje del punto de conmutación

Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))

Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Concentración de dopante del donante

Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Concentración de dopante aceptor

Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Concentración máxima de dopante

Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico

Tiempo de propagación

Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque

Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)

Dimensión crítica

Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica

Troquel por oblea

Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)

Espesor de óxido equivalente

Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Troquel por oblea Fórmula

Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)

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