Die pro Wafer Taschenrechner

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MOS-IC-Herstellung

Bipolare IC-Herstellung

Schmitt-Trigger

✖Der Waferdurchmesser bezieht sich auf die Größe der Siliziumwafer, die im Halbleiterherstellungsprozess verwendet werden. Diese Wafer dienen als Basismaterial für Halbleiterbauelemente.ⓘ Waferdurchmesser [d_w]			+10% -10%
✖Die Größe jedes Chips bezieht sich auf die physikalischen Abmessungen eines einzelnen Halbleiterchips oder integrierten Schaltkreises (IC), wie er auf einem Siliziumwafer hergestellt wird.ⓘ Größe jedes Würfels [S_d]			+10% -10%

✖Unter Die Per Wafer versteht man die Anzahl der Dies, die aus einem einzelnen Wafer hergestellt werden können.ⓘ Die pro Wafer [DPW]

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Formel

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Die pro Wafer

Formel

`"DPW" = (pi*"d"_{"w"}^2)/(4*"S"_{"d"})`

Beispiel

`"803.2481"=(pi*("150mm")^2)/(4*"22mm²")`

Taschenrechner

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Die pro Wafer Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 3 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Die pro Wafer - Unter Die Per Wafer versteht man die Anzahl der Dies, die aus einem einzelnen Wafer hergestellt werden können.
Waferdurchmesser - (Gemessen in Meter) - Der Waferdurchmesser bezieht sich auf die Größe der Siliziumwafer, die im Halbleiterherstellungsprozess verwendet werden. Diese Wafer dienen als Basismaterial für Halbleiterbauelemente.
Größe jedes Würfels - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Größe jedes Chips bezieht sich auf die physikalischen Abmessungen eines einzelnen Halbleiterchips oder integrierten Schaltkreises (IC), wie er auf einem Siliziumwafer hergestellt wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Waferdurchmesser: 150 Millimeter --> 0.15 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Größe jedes Würfels: 22 Quadratmillimeter --> 2.2E-05 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Auswerten ... ...

DPW = 803.248121656481

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

803.248121656481 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Die pro Wafer

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Schaltpunktspannung

Gehen Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))

Körpereffekt im MOSFET

Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Donator-Dotierstoffkonzentration

Gehen Donator-Dotierstoffkonzentration = (Sättigungsstrom*Transistorlänge)/([Charge-e]*Breite des Transistors*Elektronenmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

Gehen Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Maximale Dotierstoffkonzentration

Gehen Maximale Dotierstoffkonzentration = Referenzkonzentration*exp(-Aktivierungsenergie für feste Löslichkeit/([BoltZ]*Absolute Temperatur))

Ausbreitungszeit

Gehen Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität

Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Elektronen = [Charge-e]*Elektronenkonzentration*Elektronenmobilität*Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte aufgrund von Löchern

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Löchern = [Charge-e]*Lochkonzentration*Lochmobilität*Elektrische Feldstärke

Kanalwiderstand

Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Kritische Dimension

Gehen Kritische Dimension = Prozessabhängige Konstante*Wellenlänge in der Fotolithographie/Numerische Apertur

Tiefenschärfe

Gehen Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)

Die pro Wafer

Gehen Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)

Äquivalente Oxiddicke

Gehen Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)

Die pro Wafer Formel

Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)

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