Matrice par tranche Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés MOS

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖Le diamètre de la tranche fait référence à la taille des tranches de silicium utilisées dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Ces plaquettes servent de matériau de base sur lequel reposent les dispositifs semi-conducteurs.ⓘ Diamètre de la plaquette [d_w]			+10% -10%
✖La taille de chaque puce fait référence aux dimensions physiques d'une puce semi-conductrice ou d'un circuit intégré (CI) individuel tel qu'il est fabriqué sur une plaquette de silicium.ⓘ Taille de chaque matrice [S_d]			+10% -10%

✖Die Per Wafer désigne le nombre de puces pouvant être fabriquées à partir d’une seule plaquette.ⓘ Matrice par tranche [DPW]

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Formule

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Matrice par tranche

Formule

`"DPW" = (pi*"d"_{"w"}^2)/(4*"S"_{"d"})`

Exemple

`"803.2481"=(pi*("150mm")^2)/(4*"22mm²")`

Calculatrice

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Matrice par tranche Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
Cette formule utilise 1 Constantes, 3 Variables

Constantes utilisées

pi - Constante d'Archimède Valeur prise comme 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilisées

Matrice par tranche - Die Per Wafer désigne le nombre de puces pouvant être fabriquées à partir d’une seule plaquette.
Diamètre de la plaquette - (Mesuré en Mètre) - Le diamètre de la tranche fait référence à la taille des tranches de silicium utilisées dans le processus de fabrication des semi-conducteurs. Ces plaquettes servent de matériau de base sur lequel reposent les dispositifs semi-conducteurs.
Taille de chaque matrice - (Mesuré en Mètre carré) - La taille de chaque puce fait référence aux dimensions physiques d'une puce semi-conductrice ou d'un circuit intégré (CI) individuel tel qu'il est fabriqué sur une plaquette de silicium.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Diamètre de la plaquette: 150 Millimètre --> 0.15 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Taille de chaque matrice: 22 Millimètre carré --> 2.2E-05 Mètre carré (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Évaluer ... ...

DPW = 803.248121656481

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

803.248121656481 --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Matrice par tranche

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Tension du point de commutation

Aller Tension du point de commutation = (Tension d'alimentation+Tension de seuil PMOS+Tension de seuil NMOS*sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))/(1+sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Concentration de dopant du donneur

Aller Concentration de dopant du donneur = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration de dopant accepteur

Aller Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration maximale de dopant

Aller Concentration maximale de dopant = Concentration de référence*exp(-Énergie d'activation pour la solubilité solide/([BoltZ]*Température absolue))

Densité de courant de dérive due aux électrons libres

Aller Densité de courant de dérive due aux électrons = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité électronique*Intensité du champ électrique

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Densité du courant de dérive due aux trous

Aller Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Profondeur de mise au point

Aller Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)

Dimension critique

Aller Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique

Matrice par tranche

Aller Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)

Épaisseur d'oxyde équivalente

Aller Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)

Matrice par tranche Formule

Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)

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