Morrer por wafer Calculadora

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Fabricação de IC MOS

Fabricação de CI bipolar

Gatilho Schmitt

✖O diâmetro do wafer refere-se ao tamanho dos wafers de silício usados no processo de fabricação de semicondutores. Esses wafers servem como material de base sobre os quais os dispositivos semicondutores são construídos.ⓘ Diâmetro da bolacha [d_w]			+10% -10%
✖O tamanho de cada matriz refere-se às dimensões físicas de um chip semicondutor individual ou circuito integrado (IC), conforme é fabricado em um wafer de silício.ⓘ Tamanho de cada dado [S_d]			+10% -10%

✖Die Per Wafer significa o número de matrizes que podem ser feitas a partir de um único wafer.ⓘ Morrer por wafer [DPW]

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Fórmula

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Morrer por wafer

Fórmula

`"DPW" = (pi*"d"_{"w"}^2)/(4*"S"_{"d"})`

Exemplo

`"803.2481"=(pi*("150mm")^2)/(4*"22mm²")`

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Morrer por wafer Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
Esta fórmula usa 1 Constantes, 3 Variáveis

Constantes Usadas

pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variáveis Usadas

Morrer por wafer - Die Per Wafer significa o número de matrizes que podem ser feitas a partir de um único wafer.
Diâmetro da bolacha - (Medido em Metro) - O diâmetro do wafer refere-se ao tamanho dos wafers de silício usados no processo de fabricação de semicondutores. Esses wafers servem como material de base sobre os quais os dispositivos semicondutores são construídos.
Tamanho de cada dado - (Medido em Metro quadrado) - O tamanho de cada matriz refere-se às dimensões físicas de um chip semicondutor individual ou circuito integrado (IC), conforme é fabricado em um wafer de silício.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Diâmetro da bolacha: 150 Milímetro --> 0.15 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tamanho de cada dado: 22 Milimetros Quadrados --> 2.2E-05 Metro quadrado (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Avaliando ... ...

DPW = 803.248121656481

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

803.248121656481 --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Morrer por wafer

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Morrer por wafer Fórmula

Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)

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