Muori per wafer calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Trigger di Schmitt

✖Il diametro del wafer si riferisce alla dimensione dei wafer di silicio utilizzati nel processo di produzione dei semiconduttori. Questi wafer servono come materiale di base su cui vengono costruiti i dispositivi a semiconduttore.ⓘ Diametro del wafer [d_w]			+10% -10%
✖La dimensione di ciascun die si riferisce alle dimensioni fisiche di un singolo chip semiconduttore o circuito integrato (IC) poiché è fabbricato su un wafer di silicio.ⓘ Dimensioni di ogni dado [S_d]			+10% -10%

✖Die Per Wafer indica il numero di matrici che possono essere realizzate da un singolo wafer.ⓘ Muori per wafer [DPW]

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Formula

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Muori per wafer

Formula

`"DPW" = (pi*"d"_{"w"}^2)/(4*"S"_{"d"})`

Esempio

`"803.2481"=(pi*("150mm")^2)/(4*"22mm²")`

Calcolatrice

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Muori per wafer Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
Questa formula utilizza 1 Costanti, 3 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Muori per wafer - Die Per Wafer indica il numero di matrici che possono essere realizzate da un singolo wafer.
Diametro del wafer - (Misurato in metro) - Il diametro del wafer si riferisce alla dimensione dei wafer di silicio utilizzati nel processo di produzione dei semiconduttori. Questi wafer servono come materiale di base su cui vengono costruiti i dispositivi a semiconduttore.
Dimensioni di ogni dado - (Misurato in Metro quadrato) - La dimensione di ciascun die si riferisce alle dimensioni fisiche di un singolo chip semiconduttore o circuito integrato (IC) poiché è fabbricato su un wafer di silicio.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Diametro del wafer: 150 Millimetro --> 0.15 metro (Controlla la conversione qui)
Dimensioni di ogni dado: 22 Piazza millimetrica --> 2.2E-05 Metro quadrato (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Valutare ... ...

DPW = 803.248121656481

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

803.248121656481 --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Muori per wafer

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Tensione del punto di commutazione

Partire Tensione del punto di commutazione = (Tensione di alimentazione+Tensione di soglia PMOS+Tensione di soglia NMOS*sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))/(1+sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))

Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Concentrazione del drogante del donatore

Partire Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione del drogante accettore

Partire Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione massima di drogante

Partire Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi

Partire Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità elettronica*Intensità del campo elettrico

Tempo di propagazione

Partire Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Partire Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco

Partire Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)

Dimensione critica

Partire Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica

Muori per wafer

Partire Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)

Spessore equivalente dell'ossido

Partire Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)

Muori per wafer Formula

Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)

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