Sterf per wafel Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Waferdiameter verwijst naar de grootte van de siliciumwafels die worden gebruikt in het productieproces van halfgeleiders. Deze wafers dienen als basismateriaal voor halfgeleiderapparaten.ⓘ Diameter wafeltje [d_w]			+10% -10%
✖Grootte van elke chip verwijst naar de fysieke afmetingen van een individuele halfgeleiderchip of geïntegreerde schakeling (IC) zoals deze op een siliciumwafel wordt vervaardigd.ⓘ Grootte van elke matrijs [S_d]			+10% -10%

✖Die Per Wafer betekent het aantal matrijzen dat uit één enkele wafer kan worden gemaakt.ⓘ Sterf per wafel [DPW]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Sterf per wafel

Formule

`"DPW" = (pi*"d"_{"w"}^2)/(4*"S"_{"d"})`

Voorbeeld

`"803.2481"=(pi*("150mm")^2)/(4*"22mm²")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Sterf per wafel Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)
Deze formule gebruikt 1 Constanten, 3 Variabelen

Gebruikte constanten

pi - De constante van Archimedes Waarde genomen als 3.14159265358979323846264338327950288

Variabelen gebruikt

Sterf per wafel - Die Per Wafer betekent het aantal matrijzen dat uit één enkele wafer kan worden gemaakt.
Diameter wafeltje - (Gemeten in Meter) - Waferdiameter verwijst naar de grootte van de siliciumwafels die worden gebruikt in het productieproces van halfgeleiders. Deze wafers dienen als basismateriaal voor halfgeleiderapparaten.
Grootte van elke matrijs - (Gemeten in Plein Meter) - Grootte van elke chip verwijst naar de fysieke afmetingen van een individuele halfgeleiderchip of geïntegreerde schakeling (IC) zoals deze op een siliciumwafel wordt vervaardigd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Diameter wafeltje: 150 Millimeter --> 0.15 Meter (Bekijk de conversie hier)
Grootte van elke matrijs: 22 Plein Millimeter --> 2.2E-05 Plein Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d) --> (pi*0.15^2)/(4*2.2E-05)

Evalueren ... ...

DPW = 803.248121656481

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

803.248121656481 --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

803.248121656481 ≈ 803.2481 <-- Sterf per wafel

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Sterf per wafel

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Sterf per wafel Formule

Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)
DPW = (pi*d_w^2)/(4*S_d)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!