Эквивалентная толщина оксида Калькулятор

✖Толщина материала — это толщина данного материала. Это относится к физическому размеру объекта, измеренному перпендикулярно его поверхности.ⓘ Толщина материала [t_high-k]			+10% -10%
✖Диэлектрическая проницаемость материала — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.ⓘ Диэлектрическая проницаемость материала [k_high-k]			+10% -10%

✖Эквивалентная толщина оксида — это мера, используемая в полупроводниковой технологии для характеристики изолирующих свойств диэлектрика затвора в устройстве металл-оксид-полупроводник (МОП).ⓘ Эквивалентная толщина оксида [EOT]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Эквивалентная толщина оксида

Формула

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

Пример

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Эквивалентная толщина оксида Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Эквивалентная толщина оксида - (Измеряется в метр) - Эквивалентная толщина оксида — это мера, используемая в полупроводниковой технологии для характеристики изолирующих свойств диэлектрика затвора в устройстве металл-оксид-полупроводник (МОП).
Толщина материала - (Измеряется в метр) - Толщина материала — это толщина данного материала. Это относится к физическому размеру объекта, измеренному перпендикулярно его поверхности.
Диэлектрическая проницаемость материала - Диэлектрическая проницаемость материала — это мера способности материала сохранять электрическую энергию в электрическом поле.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Толщина материала: 8.5 нанометр --> 8.5E-09 метр (Проверьте преобразование здесь)
Диэлектрическая проницаемость материала: 2.26 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Оценка ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.46681415929204E-08 метр -->14.6681415929204 нанометр (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

14.6681415929204 ≈ 14.66814 нанометр <-- Эквивалентная толщина оксида

(Расчет завершен через 00.007 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Эквивалентная толщина оксида

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Эквивалентная толщина оксида формула

Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!