Spessore equivalente dell'ossido calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati MOS

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Trigger di Schmitt

✖Lo spessore del materiale è lo spessore del materiale specificato. Si riferisce alla dimensione fisica di un oggetto misurata perpendicolarmente alla sua superficie.ⓘ Spessore del materiale [t_high-k]			+10% -10%
✖La costante dielettrica del materiale è una misura della capacità di un materiale di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.ⓘ Costante dielettrica del materiale [k_high-k]			+10% -10%

✖Lo spessore equivalente dell'ossido è una misura utilizzata nella tecnologia dei semiconduttori per caratterizzare le proprietà isolanti di un dielettrico di gate in un dispositivo a semiconduttore a ossido di metallo (MOS).ⓘ Spessore equivalente dell'ossido [EOT]

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Formula

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Spessore equivalente dell'ossido

Formula

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

Esempio

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

Calcolatrice

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Spessore equivalente dell'ossido Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Questa formula utilizza 3 Variabili

Variabili utilizzate

Spessore equivalente dell'ossido - (Misurato in metro) - Lo spessore equivalente dell'ossido è una misura utilizzata nella tecnologia dei semiconduttori per caratterizzare le proprietà isolanti di un dielettrico di gate in un dispositivo a semiconduttore a ossido di metallo (MOS).
Spessore del materiale - (Misurato in metro) - Lo spessore del materiale è lo spessore del materiale specificato. Si riferisce alla dimensione fisica di un oggetto misurata perpendicolarmente alla sua superficie.
Costante dielettrica del materiale - La costante dielettrica del materiale è una misura della capacità di un materiale di immagazzinare energia elettrica in un campo elettrico.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Spessore del materiale: 8.5 Nanometro --> 8.5E-09 metro (Controlla la conversione qui)
Costante dielettrica del materiale: 2.26 --> Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Valutare ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1.46681415929204E-08 metro -->14.6681415929204 Nanometro (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanometro <-- Spessore equivalente dell'ossido

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da banuprakash

Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore

banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

< 15 Fabbricazione di circuiti integrati MOS Calcolatrici

Tensione del punto di commutazione

Partire Tensione del punto di commutazione = (Tensione di alimentazione+Tensione di soglia PMOS+Tensione di soglia NMOS*sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))/(1+sqrt(Guadagno del transistor NMOS/Guadagno del transistor PMOS))

Effetto corpo nel MOSFET

Partire Tensione di soglia con substrato = Tensione di soglia con zero body bias+Parametro dell'effetto corporeo*(sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa+Tensione applicata al corpo)-sqrt(2*Potenziale di Fermi in massa))

Corrente di drenaggio del MOSFET nella regione di saturazione

Partire Assorbimento di corrente = Parametro di transconduttanza/2*(Tensione della sorgente di gate-Tensione di soglia con zero body bias)^2*(1+Fattore di modulazione della lunghezza del canale*Tensione della sorgente di drenaggio)

Concentrazione del drogante del donatore

Partire Concentrazione del drogante del donatore = (Corrente di saturazione*Lunghezza del transistor)/([Charge-e]*Larghezza del transistor*Mobilità elettronica*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione del drogante accettore

Partire Concentrazione del drogante accettore = 1/(2*pi*Lunghezza del transistor*Larghezza del transistor*[Charge-e]*Mobilità dei fori*Capacità dello strato di esaurimento)

Concentrazione massima di drogante

Partire Concentrazione massima di drogante = Concentrazione di riferimento*exp(-Energia di attivazione per la solubilità solida/([BoltZ]*Temperatura assoluta))

Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni liberi

Partire Deriva della densità di corrente dovuta agli elettroni = [Charge-e]*Concentrazione di elettroni*Mobilità elettronica*Intensità del campo elettrico

Tempo di propagazione

Partire Tempo di propagazione = 0.7*Numero di transistor di passaggio*((Numero di transistor di passaggio+1)/2)*Resistenza nel MOSFET*Capacità di carico

Deriva della densità di corrente dovuta ai fori

Partire Deriva della densità di corrente dovuta ai fori = [Charge-e]*Concentrazione dei fori*Mobilità dei fori*Intensità del campo elettrico

Resistenza del canale

Partire Resistenza del canale = Lunghezza del transistor/Larghezza del transistor*1/(Mobilità elettronica*Densità del portatore)

Frequenza di guadagno unitario MOSFET

Partire Frequenza di guadagno unitario nel MOSFET = Transconduttanza nei MOSFET/(Capacità della sorgente di gate+Capacità di scarico del cancello)

Profondità di messa a fuoco

Partire Profondità di messa a fuoco = Fattore di proporzionalità*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/(Apertura numerica^2)

Dimensione critica

Partire Dimensione critica = Costante dipendente dal processo*Lunghezza d'onda nella fotolitografia/Apertura numerica

Muori per wafer

Partire Muori per wafer = (pi*Diametro del wafer^2)/(4*Dimensioni di ogni dado)

Spessore equivalente dell'ossido

Partire Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)

Spessore equivalente dell'ossido Formula

Spessore equivalente dell'ossido = Spessore del materiale*(3.9/Costante dielettrica del materiale)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

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