Äquivalente Oxiddicke Taschenrechner

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MOS-IC-Herstellung

Bipolare IC-Herstellung

Schmitt-Trigger

✖Die Materialstärke ist die Dicke des gegebenen Materials. Es bezieht sich auf die physikalische Dimension eines Objekts, gemessen senkrecht zu seiner Oberfläche.ⓘ Materialstärke [t_high-k]			+10% -10%
✖Die Dielektrizitätskonstante eines Materials ist ein Maß für die Fähigkeit eines Materials, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern.ⓘ Dielektrizitätskonstante des Materials [k_high-k]			+10% -10%

✖Die äquivalente Oxiddicke ist ein Maß, das in der Halbleitertechnologie zur Charakterisierung der Isoliereigenschaften eines Gate-Dielektrikums in einem Metalloxid-Halbleiter (MOS)-Gerät verwendet wird.ⓘ Äquivalente Oxiddicke [EOT]

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Formel

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Äquivalente Oxiddicke

Formel

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

Beispiel

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

Taschenrechner

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Äquivalente Oxiddicke Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Äquivalente Oxiddicke - (Gemessen in Meter) - Die äquivalente Oxiddicke ist ein Maß, das in der Halbleitertechnologie zur Charakterisierung der Isoliereigenschaften eines Gate-Dielektrikums in einem Metalloxid-Halbleiter (MOS)-Gerät verwendet wird.
Materialstärke - (Gemessen in Meter) - Die Materialstärke ist die Dicke des gegebenen Materials. Es bezieht sich auf die physikalische Dimension eines Objekts, gemessen senkrecht zu seiner Oberfläche.
Dielektrizitätskonstante des Materials - Die Dielektrizitätskonstante eines Materials ist ein Maß für die Fähigkeit eines Materials, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Materialstärke: 8.5 Nanometer --> 8.5E-09 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Dielektrizitätskonstante des Materials: 2.26 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Auswerten ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.46681415929204E-08 Meter -->14.6681415929204 Nanometer (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanometer <-- Äquivalente Oxiddicke

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Schaltpunktspannung

Gehen Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))

Körpereffekt im MOSFET

Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Donator-Dotierstoffkonzentration

Gehen Donator-Dotierstoffkonzentration = (Sättigungsstrom*Transistorlänge)/([Charge-e]*Breite des Transistors*Elektronenmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

Gehen Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Maximale Dotierstoffkonzentration

Gehen Maximale Dotierstoffkonzentration = Referenzkonzentration*exp(-Aktivierungsenergie für feste Löslichkeit/([BoltZ]*Absolute Temperatur))

Ausbreitungszeit

Gehen Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität

Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Elektronen = [Charge-e]*Elektronenkonzentration*Elektronenmobilität*Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte aufgrund von Löchern

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Löchern = [Charge-e]*Lochkonzentration*Lochmobilität*Elektrische Feldstärke

Kanalwiderstand

Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Kritische Dimension

Gehen Kritische Dimension = Prozessabhängige Konstante*Wellenlänge in der Fotolithographie/Numerische Apertur

Tiefenschärfe

Gehen Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)

Die pro Wafer

Gehen Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)

Äquivalente Oxiddicke

Gehen Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)

Äquivalente Oxiddicke Formel

Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

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