Calculadora Espesor de óxido equivalente

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Fabricación de circuitos integrados MOS

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✖El espesor del material es el espesor del material dado. Se refiere a la dimensión física de un objeto medida perpendicular a su superficie.ⓘ Grosor del material [t_high-k]			+10% -10%
✖La constante dieléctrica del material es una medida de la capacidad de un material para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico.ⓘ Constante dieléctrica del material [k_high-k]			+10% -10%

✖El espesor de óxido equivalente es una medida utilizada en tecnología de semiconductores para caracterizar las propiedades aislantes de un dieléctrico de compuerta en un dispositivo semiconductor de óxido metálico (MOS).ⓘ Espesor de óxido equivalente [EOT]

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Fórmula

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Espesor de óxido equivalente

Fórmula

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

Ejemplo

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

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Espesor de óxido equivalente Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Esta fórmula usa 3 Variables

Variables utilizadas

Espesor de óxido equivalente - (Medido en Metro) - El espesor de óxido equivalente es una medida utilizada en tecnología de semiconductores para caracterizar las propiedades aislantes de un dieléctrico de compuerta en un dispositivo semiconductor de óxido metálico (MOS).
Grosor del material - (Medido en Metro) - El espesor del material es el espesor del material dado. Se refiere a la dimensión física de un objeto medida perpendicular a su superficie.
Constante dieléctrica del material - La constante dieléctrica del material es una medida de la capacidad de un material para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Grosor del material: 8.5 nanómetro --> 8.5E-09 Metro (Verifique la conversión aquí)
Constante dieléctrica del material: 2.26 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Evaluar ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1.46681415929204E-08 Metro -->14.6681415929204 nanómetro (Verifique la conversión aquí)

RESPUESTA FINAL

14.6681415929204 ≈ 14.66814 nanómetro <-- Espesor de óxido equivalente

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 15 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Voltaje del punto de conmutación

Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))

Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Concentración de dopante del donante

Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Concentración de dopante aceptor

Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Concentración máxima de dopante

Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico

Tiempo de propagación

Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque

Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)

Dimensión crítica

Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica

Troquel por oblea

Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)

Espesor de óxido equivalente

Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Espesor de óxido equivalente Fórmula

Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

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