Épaisseur d'oxyde équivalente Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés MOS

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖L'épaisseur du matériau est l'épaisseur du matériau donné. Il fait référence à la dimension physique d'un objet mesurée perpendiculairement à sa surface.ⓘ Épaisseur du matériau [t_high-k]			+10% -10%
✖La constante diélectrique d'un matériau est une mesure de la capacité d'un matériau à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.ⓘ Constante diélectrique du matériau [k_high-k]			+10% -10%

✖L'épaisseur d'oxyde équivalente est une mesure utilisée dans la technologie des semi-conducteurs pour caractériser les propriétés isolantes d'un diélectrique de grille dans un dispositif métal-oxyde-semi-conducteur (MOS).ⓘ Épaisseur d'oxyde équivalente [EOT]

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Formule

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Épaisseur d'oxyde équivalente

Formule

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

Exemple

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

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Épaisseur d'oxyde équivalente Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Épaisseur d'oxyde équivalente - (Mesuré en Mètre) - L'épaisseur d'oxyde équivalente est une mesure utilisée dans la technologie des semi-conducteurs pour caractériser les propriétés isolantes d'un diélectrique de grille dans un dispositif métal-oxyde-semi-conducteur (MOS).
Épaisseur du matériau - (Mesuré en Mètre) - L'épaisseur du matériau est l'épaisseur du matériau donné. Il fait référence à la dimension physique d'un objet mesurée perpendiculairement à sa surface.
Constante diélectrique du matériau - La constante diélectrique d'un matériau est une mesure de la capacité d'un matériau à stocker de l'énergie électrique dans un champ électrique.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Épaisseur du matériau: 8.5 Nanomètre --> 8.5E-09 Mètre (Vérifiez la conversion ici)
Constante diélectrique du matériau: 2.26 --> Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Évaluer ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.46681415929204E-08 Mètre -->14.6681415929204 Nanomètre (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanomètre <-- Épaisseur d'oxyde équivalente

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Tension du point de commutation

Aller Tension du point de commutation = (Tension d'alimentation+Tension de seuil PMOS+Tension de seuil NMOS*sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))/(1+sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Concentration de dopant du donneur

Aller Concentration de dopant du donneur = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration de dopant accepteur

Aller Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration maximale de dopant

Aller Concentration maximale de dopant = Concentration de référence*exp(-Énergie d'activation pour la solubilité solide/([BoltZ]*Température absolue))

Densité de courant de dérive due aux électrons libres

Aller Densité de courant de dérive due aux électrons = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité électronique*Intensité du champ électrique

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Densité du courant de dérive due aux trous

Aller Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Profondeur de mise au point

Aller Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)

Dimension critique

Aller Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique

Matrice par tranche

Aller Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)

Épaisseur d'oxyde équivalente

Aller Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)

Épaisseur d'oxyde équivalente Formule

Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

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