KGV van drie getallen

Equivalente oxidedikte Rekenmachine

Engineering Chemie Financieel Fysica Meer >>

↳

Elektronica Chemische technologie Civiel Elektrisch Meer >>

⤿

Geïntegreerde schakelingen (IC)Analoge communicatie Analoge elektronica Antenne- en golfvoortplanting Meer >>

⤿

MOS IC-fabricage Bipolaire IC-fabricage Schmitt trigger

✖Materiaaldikte is de dikte van het gegeven materiaal. Het verwijst naar de fysieke afmeting van een object, gemeten loodrecht op het oppervlak.ⓘ Dikte van materiaal [t_high-k]			+10% -10%
✖De diëlektrische materiaalconstante is een maatstaf voor het vermogen van een materiaal om elektrische energie in een elektrisch veld op te slaan.ⓘ Diëlektrische materiaalconstante [k_high-k]			+10% -10%

✖Equivalente oxidedikte is een maatstaf die in de halfgeleidertechnologie wordt gebruikt om de isolerende eigenschappen van een poortdiëlektricum in een metaaloxide-halfgeleider (MOS) -apparaat te karakteriseren.ⓘ Equivalente oxidedikte [EOT]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Equivalente oxidedikte Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Equivalente oxidedikte - (Gemeten in Meter) - Equivalente oxidedikte is een maatstaf die in de halfgeleidertechnologie wordt gebruikt om de isolerende eigenschappen van een poortdiëlektricum in een metaaloxide-halfgeleider (MOS) -apparaat te karakteriseren.
Dikte van materiaal - (Gemeten in Meter) - Materiaaldikte is de dikte van het gegeven materiaal. Het verwijst naar de fysieke afmeting van een object, gemeten loodrecht op het oppervlak.
Diëlektrische materiaalconstante - De diëlektrische materiaalconstante is een maatstaf voor het vermogen van een materiaal om elektrische energie in een elektrisch veld op te slaan.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dikte van materiaal: 8.5 Nanometer --> 8.5E-09 Meter (Bekijk de conversie hier)
Diëlektrische materiaalconstante: 2.26 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Evalueren ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.46681415929204E-08 Meter -->14.6681415929204 Nanometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanometer <-- Equivalente oxidedikte

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Equivalente oxidedikte

Credits

Gemaakt door Banu Prakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOS IC-fabricage Rekenmachines

Lichaamseffect in MOSFET

LaTeX Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

LaTeX Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Kanaal weerstand

LaTeX Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

LaTeX Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Bekijk meer >>