Equivalente oxidedikte Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Materiaaldikte is de dikte van het gegeven materiaal. Het verwijst naar de fysieke afmeting van een object, gemeten loodrecht op het oppervlak.ⓘ Dikte van materiaal [t_high-k]			+10% -10%
✖De diëlektrische materiaalconstante is een maatstaf voor het vermogen van een materiaal om elektrische energie in een elektrisch veld op te slaan.ⓘ Diëlektrische materiaalconstante [k_high-k]			+10% -10%

✖Equivalente oxidedikte is een maatstaf die in de halfgeleidertechnologie wordt gebruikt om de isolerende eigenschappen van een poortdiëlektricum in een metaaloxide-halfgeleider (MOS) -apparaat te karakteriseren.ⓘ Equivalente oxidedikte [EOT]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Equivalente oxidedikte

Formule

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

Voorbeeld

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Equivalente oxidedikte Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Equivalente oxidedikte - (Gemeten in Meter) - Equivalente oxidedikte is een maatstaf die in de halfgeleidertechnologie wordt gebruikt om de isolerende eigenschappen van een poortdiëlektricum in een metaaloxide-halfgeleider (MOS) -apparaat te karakteriseren.
Dikte van materiaal - (Gemeten in Meter) - Materiaaldikte is de dikte van het gegeven materiaal. Het verwijst naar de fysieke afmeting van een object, gemeten loodrecht op het oppervlak.
Diëlektrische materiaalconstante - De diëlektrische materiaalconstante is een maatstaf voor het vermogen van een materiaal om elektrische energie in een elektrisch veld op te slaan.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dikte van materiaal: 8.5 Nanometer --> 8.5E-09 Meter (Bekijk de conversie hier)
Diëlektrische materiaalconstante: 2.26 --> Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Evalueren ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.46681415929204E-08 Meter -->14.6681415929204 Nanometer (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanometer <-- Equivalente oxidedikte

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Equivalente oxidedikte

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Equivalente oxidedikte Formule

Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!