Espessura de Óxido Equivalente Calculadora

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Fabricação de IC MOS

Fabricação de CI bipolar

Gatilho Schmitt

✖Espessura do material é a espessura do material fornecido. Refere-se à dimensão física de um objeto medida perpendicularmente à sua superfície.ⓘ Espessura do Material [t_high-k]			+10% -10%
✖Constante dielétrica do material é uma medida da capacidade de um material de armazenar energia elétrica em um campo elétrico.ⓘ Constante dielétrica do material [k_high-k]			+10% -10%

✖A espessura de óxido equivalente é uma medida usada na tecnologia de semicondutores para caracterizar as propriedades isolantes de um dielétrico de porta em um dispositivo semicondutor de óxido metálico (MOS).ⓘ Espessura de Óxido Equivalente [EOT]

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Fórmula

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Espessura de Óxido Equivalente

Fórmula

`"EOT" = "t"_{"high-k"}*(3.9/"k"_{"high-k"})`

Exemplo

`"14.66814nm"="8.5nm"*(3.9/"2.26")`

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Espessura de Óxido Equivalente Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)
Esta fórmula usa 3 Variáveis

Variáveis Usadas

Espessura de Óxido Equivalente - (Medido em Metro) - A espessura de óxido equivalente é uma medida usada na tecnologia de semicondutores para caracterizar as propriedades isolantes de um dielétrico de porta em um dispositivo semicondutor de óxido metálico (MOS).
Espessura do Material - (Medido em Metro) - Espessura do material é a espessura do material fornecido. Refere-se à dimensão física de um objeto medida perpendicularmente à sua superfície.
Constante dielétrica do material - Constante dielétrica do material é uma medida da capacidade de um material de armazenar energia elétrica em um campo elétrico.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Espessura do Material: 8.5 Nanômetro --> 8.5E-09 Metro (Verifique a conversão aqui)
Constante dielétrica do material: 2.26 --> Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k) --> 8.5E-09*(3.9/2.26)

Avaliando ... ...

EOT = 1.46681415929204E-08

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

1.46681415929204E-08 Metro -->14.6681415929204 Nanômetro (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

14.6681415929204 ≈ 14.66814 Nanômetro <-- Espessura de Óxido Equivalente

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por banuprakash

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Santosh Yadav

Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 15 Fabricação de IC MOS Calculadoras

Tensão do ponto de comutação

Vai Tensão do ponto de comutação = (Tensão de alimentação+Tensão limite do PMOS+Tensão limite NMOS*sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganho do transistor NMOS/Ganho do transistor PMOS))

Efeito Corporal no MOSFET

Vai Tensão Limite com Substrato = Tensão limite com polarização corporal zero+Parâmetro de efeito corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi em massa+Tensão aplicada ao corpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi em massa))

Concentração de dopante doador

Vai Concentração de dopante doador = (Corrente de saturação*Comprimento do transistor)/([Charge-e]*Largura do transistor*Mobilidade Eletrônica*Capacitância da camada de esgotamento)

Corrente de drenagem do MOSFET na região de saturação

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância/2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão limite com polarização corporal zero)^2*(1+Fator de modulação de comprimento de canal*Tensão da fonte de drenagem)

Concentração de dopante aceitante

Vai Concentração de dopante aceitante = 1/(2*pi*Comprimento do transistor*Largura do transistor*[Charge-e]*Mobilidade do Buraco*Capacitância da camada de esgotamento)

Concentração Máxima de Dopante

Vai Concentração Máxima de Dopante = Concentração de Referência*exp(-Energia de ativação para solubilidade sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Tempo de propagação

Vai Tempo de propagação = 0.7*Número de transistores de passagem*((Número de transistores de passagem+1)/2)*Resistência em MOSFET*Capacitância de Carga

Densidade de corrente de deriva devido a elétrons livres

Vai Densidade de corrente de deriva devido a elétrons = [Charge-e]*Concentração de elétrons*Mobilidade Eletrônica*Intensidade do Campo Elétrico

Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos

Vai Densidade de Corrente de Deriva devido a Buracos = [Charge-e]*Concentração de Buraco*Mobilidade do Buraco*Intensidade do Campo Elétrico

Resistência do Canal

Vai Resistência do Canal = Comprimento do transistor/Largura do transistor*1/(Mobilidade Eletrônica*Densidade de portadora)

Frequência de ganho unitário MOSFET

Vai Frequência de ganho unitário em MOSFET = Transcondutância em MOSFET/(Capacitância da Fonte da Porta+Capacitância de drenagem do portão)

Profundidade de foco

Vai Profundidade de foco = Fator de Proporcionalidade*Comprimento de onda em fotolitografia/(Abertura numerica^2)

Dimensão crítica

Vai Dimensão crítica = Constante Dependente do Processo*Comprimento de onda em fotolitografia/Abertura numerica

Morrer por wafer

Vai Morrer por wafer = (pi*Diâmetro da bolacha^2)/(4*Tamanho de cada dado)

Espessura de Óxido Equivalente

Vai Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)

Espessura de Óxido Equivalente Fórmula

Espessura de Óxido Equivalente = Espessura do Material*(3.9/Constante dielétrica do material)
EOT = t_high-k*(3.9/k_high-k)

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