Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Taschenrechner

✖Die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs ist die Breite in der Richtung senkrecht zur Seite.ⓘ Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs [A_E]			+10% -10%
✖Elektronendiffusion ist der Diffusionsstrom ist ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.ⓘ Elektronendiffusivität [D_n]			+10% -10%
✖Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.ⓘ Intrinsische Trägerkonzentration [n_i1]			+10% -10%
✖Die Breite des Basisübergangs ist der Parameter, der angibt, wie breit der Basisübergang eines beliebigen analogen Elektronikelements ist.ⓘ Breite der Basisverbindung [W_base]			+10% -10%
✖Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der Verunreinigungen, die der Base hinzugefügt werden.ⓘ Dopingkonzentration der Base [N_B]			+10% -10%

✖Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.ⓘ Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration [I_sat]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration

Formel

`"I"_{"sat"} = ("A"_{"E"}*"[Charge-e]"*"D"_{"n"}*("n"_{"i1"})^2)/("W"_{"base"}*"N"_{"B"})`

Beispiel

`"2.7E^-12mA"=("8cm²"*"[Charge-e]"*"0.8cm²/s"*("1E5/m³")^2)/("0.002m"*"19/m³")`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen BJT Formel Pdf PDF Image

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)
I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B)
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 6 Variablen

Verwendete Konstanten

[Charge-e] - Ladung eines Elektrons Wert genommen als 1.60217662E-19

Verwendete Variablen

Sättigungsstrom - (Gemessen in Ampere) - Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs - (Gemessen in Quadratmeter) - Die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs ist die Breite in der Richtung senkrecht zur Seite.
Elektronendiffusivität - (Gemessen in Quadratmeter pro Sekunde) - Elektronendiffusion ist der Diffusionsstrom ist ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.
Intrinsische Trägerkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.
Breite der Basisverbindung - (Gemessen in Meter) - Die Breite des Basisübergangs ist der Parameter, der angibt, wie breit der Basisübergang eines beliebigen analogen Elektronikelements ist.
Dopingkonzentration der Base - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der Verunreinigungen, die der Base hinzugefügt werden.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs: 8 Quadratischer Zentimeter --> 0.0008 Quadratmeter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Elektronendiffusivität: 0.8 Quadratzentimeter pro Sekunde --> 8E-05 Quadratmeter pro Sekunde (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Intrinsische Trägerkonzentration: 100000 1 pro Kubikmeter --> 100000 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Breite der Basisverbindung: 0.002 Meter --> 0.002 Meter Keine Konvertierung erforderlich
Dopingkonzentration der Base: 19 1 pro Kubikmeter --> 19 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_sat = (A_E*[Charge-e]*D_n*(n_i1)^2)/(W_base*N_B) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)

Auswerten ... ...

I_sat = 2.69840272842105E-15

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

2.69840272842105E-15 Ampere -->2.69840272842105E-12 Milliampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

2.69840272842105E-12 ≈ 2.7E-12 Milliampere <-- Sättigungsstrom

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » BJT » Analoge Elektronik » Aktuell » Basisstrom » Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 14 Basisstrom Taschenrechner

Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)+Sättigungsdampfdruck*e^(Basis-Kollektor-Spannung/Thermische Spannung)

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration

Gehen Sättigungsstrom = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base)

Kurzschlussstromverstärkung von BJT

Gehen Kurzschlussstromverstärkung = (Common-Emitter-Stromverstärkung bei niedriger Frequenz)/(1+Komplexe Frequenzvariable*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)*Eingangswiderstand)

Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter

Gehen Stromverbrauch = 1/2*Steilheit*Seitenverhältnis*(Effektive Spannung-Grenzspannung)^2*(1+Geräteparameter*Spannung zwischen Drain und Source)

Basisstrom 2 von BJT

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*(e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung))

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Referenzstrom des BJT-Stromspiegels

Gehen Referenzstrom = (Versorgungsspannung-Basis-Emitter-Spannung)/Widerstand

Referenzstrom des BJT-Spiegels bei gegebenem Kollektorstrom

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom*(1+2/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom 1 von BJT

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Gesamtbasisstrom

Gehen Basisstrom = Basisstrom 1+Basisstrom 2

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Formel

Was ist der Sättigungsstrom im Transistor?

Der Transistor wird vorgespannt, so dass die maximale Menge an Basisstrom angelegt wird, was zu einem maximalen Kollektorstrom führt, was zu einem minimalen Spannungsabfall zwischen Kollektor und Emitter führt, was dazu führt, dass die Verarmungsschicht so klein wie möglich ist und der maximale Strom durch den Transistor fließt. Daher wird der Transistor auf "Voll-EIN" geschaltet. Dann können wir den "Sättigungsbereich" oder "EIN-Modus" definieren, wenn ein Bipolartransistor als Schalter verwendet wird, wobei beide Übergänge in Vorwärtsrichtung vorgespannt sind, VB> 0,7 V und IC = Maximum. Für einen PNP-Transistor muss das Emitterpotential in Bezug auf die Basis positiv sein.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!