Calculadora Frecuencia de transición de BJT

✖La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.ⓘ Transconductancia [G_m]			+10% -10%
✖La capacitancia emisor-base es la capacitancia entre el emisor y la base.ⓘ Capacitancia base-emisor [C_eb]			+10% -10%
✖La capacitancia de unión colector-base en modo activo tiene polarización inversa y es la capacitancia entre el colector y la base.ⓘ Capacitancia de la unión de la base del colector [C_cb]			+10% -10%

✖La Frecuencia de Transición asociada con la transición (1 a 2 o 2 a 1) entre dos niveles vibratorios diferentes.ⓘ Frecuencia de transición de BJT [f_t]

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Fórmula

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Frecuencia de transición de BJT

Fórmula

`"f"_{"t"} = "G"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"}))`

Ejemplo

`"101.3876Hz"="1.72mS"/(2*pi*("1.5μF"+"1.2μF"))`

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Frecuencia de transición de BJT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variables

Constantes utilizadas

pi - La constante de Arquímedes. Valor tomado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variables utilizadas

Frecuencia de transición - (Medido en hercios) - La Frecuencia de Transición asociada con la transición (1 a 2 o 2 a 1) entre dos niveles vibratorios diferentes.
Transconductancia - (Medido en Siemens) - La transconductancia es la relación entre el cambio de corriente en el terminal de salida y el cambio en el voltaje en el terminal de entrada de un dispositivo activo.
Capacitancia base-emisor - (Medido en Faradio) - La capacitancia emisor-base es la capacitancia entre el emisor y la base.
Capacitancia de la unión de la base del colector - (Medido en Faradio) - La capacitancia de unión colector-base en modo activo tiene polarización inversa y es la capacitancia entre el colector y la base.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Transconductancia: 1.72 milisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia base-emisor: 1.5 Microfaradio --> 1.5E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)
Capacitancia de la unión de la base del colector: 1.2 Microfaradio --> 1.2E-06 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb)) --> 0.00172/(2*pi*(1.5E-06+1.2E-06))

Evaluar ... ...

f_t = 101.387593377059

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

101.387593377059 hercios --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

101.387593377059 ≈ 101.3876 hercios <-- Frecuencia de transición

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Payal Priya

Instituto de Tecnología Birsa (POCO), Sindri

¡Payal Priya ha creado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

Verificada por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnología (LIENDRE), Hamirpur

¡Anshika Arya ha verificado esta calculadora y 2500+ más calculadoras!

< 10+ Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia Calculadoras

Capacitancia de la unión de la base del colector

Vamos Capacitancia de la unión de la base del colector = Capacitancia de unión colector-base a voltaje 0/(1+(Voltaje de polarización inversa/Voltaje incorporado))^Coeficiente de calificación

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Concentración de electrones inyectados desde el emisor a la base

Vamos Concentración de e- Inyectado de Emisor a Base = Concentración de equilibrio térmico*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Capacitancia de difusión de señal pequeña de BJT

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*(Colector de corriente/Voltaje de umbral)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Carga de electrones almacenados en la base de BJT

Vamos Carga de electrones almacenada = Constante del dispositivo*Colector de corriente

Capacitancia de difusión de señal pequeña

Vamos Capacitancia base-emisor = Constante del dispositivo*Transconductancia

Frecuencia de transición de BJT dado dispositivo constante

Vamos Frecuencia de transición = 1/(2*pi*Constante del dispositivo)

Capacitancia de unión base-emisor

Vamos Capacitancia de unión base-emisor = 2*Capacitancia base-emisor

< 20 Circuito BJT Calculadoras

Frecuencia de transición de BJT

Vamos Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))

Corriente base del transistor PNP usando corriente de saturación

Vamos corriente básica = (Corriente de saturación/Ganancia de corriente de emisor común)*e^(Voltaje base-emisor/Voltaje Térmico)

Ancho de banda de ganancia unitaria de BJT

Vamos Ancho de banda de ganancia unitaria = Transconductancia/(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector)

Potencia total disipada en BJT

Vamos Fuerza = Tensión colector-emisor*Colector de corriente+Voltaje base-emisor*corriente básica

Corriente de referencia del espejo BJT

Vamos Corriente de referencia = Colector de corriente+(2*Colector de corriente)/Ganancia de corriente de emisor común

Relación de rechazo de modo común

Vamos Tasa de rechazo de modo común = 20*log10(Ganancia de modo diferencial/Ganancia de modo común)

Ganancia de corriente de base común

Vamos Ganancia de corriente de base común = Ganancia de corriente de emisor común/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Voltaje de salida del amplificador BJT

Vamos Tensión de salida = Voltaje de suministro-Corriente de drenaje*Resistencia de carga

Resistencia de salida de BJT

Vamos Resistencia = (Voltaje de suministro+Tensión colector-emisor)/Colector de corriente

Potencia total suministrada en BJT

Vamos Fuerza = Voltaje de suministro*(Colector de corriente+Corriente de entrada)

Concentración de equilibrio térmico del portador de carga minoritaria

Vamos Concentración de equilibrio térmico = ((Densidad de portador intrínseco)^2)/Dopaje Concentración de Base

Corriente base del transistor PNP dada la corriente del emisor

Vamos corriente básica = Corriente del emisor/(Ganancia de corriente de emisor común+1)

Corriente de colector usando corriente de emisor

Vamos Colector de corriente = Ganancia de corriente de base común*Corriente del emisor

Corriente de base del transistor PNP usando ganancia de corriente de base común

Vamos corriente básica = (1-Ganancia de corriente de base común)*Corriente del emisor

Corriente base del transistor PNP usando corriente de colector

Vamos corriente básica = Colector de corriente/Ganancia de corriente de emisor común

Voltaje de colector a emisor en saturación

Vamos Tensión colector-emisor = Voltaje base-emisor-Voltaje base-colector

Colector de corriente de BJT

Vamos Colector de corriente = Corriente del emisor-corriente básica

Emisor de corriente de BJT

Vamos Corriente del emisor = Colector de corriente+corriente básica

Transconductancia de cortocircuito

Vamos Transconductancia = Corriente de salida/Voltaje de entrada

Ganancia intrínseca de BJT

Vamos Ganancia intrínseca = Voltaje temprano/Voltaje Térmico

Frecuencia de transición de BJT Fórmula

Frecuencia de transición = Transconductancia/(2*pi*(Capacitancia base-emisor+Capacitancia de la unión de la base del colector))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))

¿Cuál es la función de BJT?

La función básica principal de un BJT es amplificar la corriente, lo que permitirá que los BJT se utilicen como amplificadores o interruptores para producir una amplia aplicabilidad en equipos electrónicos que incluyen teléfonos móviles, control industrial, televisión y transmisores de radio.

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