Frequência de Transição do BJT Calculadora

✖A transcondutância é a relação entre a mudança na corrente no terminal de saída e a mudança na tensão no terminal de entrada de um dispositivo ativo.ⓘ Transcondutância [G_m]			+10% -10%
✖A capacitância emissor-base é a capacitância entre o emissor e a base.ⓘ Capacitância base do emissor [C_eb]			+10% -10%
✖A capacitância da junção coletor-base no modo ativo é polarizada inversamente e é a capacitância entre o coletor e a base.ⓘ Capacitância da Junção Coletor-Base [C_cb]			+10% -10%

✖A Frequência de Transição associada à transição (1 para 2 ou 2 para 1) entre dois níveis vibracionais diferentes.ⓘ Frequência de Transição do BJT [f_t]

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Fórmula

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Frequência de Transição do BJT

Fórmula

`"f"_{"t"} = "G"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"}))`

Exemplo

`"101.3876Hz"="1.72mS"/(2*pi*("1.5μF"+"1.2μF"))`

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Frequência de Transição do BJT Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))
Esta fórmula usa 1 Constantes, 4 Variáveis

Constantes Usadas

pi - Constante de Arquimedes Valor considerado como 3.14159265358979323846264338327950288

Variáveis Usadas

Frequência de Transição - (Medido em Hertz) - A Frequência de Transição associada à transição (1 para 2 ou 2 para 1) entre dois níveis vibracionais diferentes.
Transcondutância - (Medido em Siemens) - A transcondutância é a relação entre a mudança na corrente no terminal de saída e a mudança na tensão no terminal de entrada de um dispositivo ativo.
Capacitância base do emissor - (Medido em Farad) - A capacitância emissor-base é a capacitância entre o emissor e a base.
Capacitância da Junção Coletor-Base - (Medido em Farad) - A capacitância da junção coletor-base no modo ativo é polarizada inversamente e é a capacitância entre o coletor e a base.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Transcondutância: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Verifique a conversão aqui)
Capacitância base do emissor: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)
Capacitância da Junção Coletor-Base: 1.2 Microfarad --> 1.2E-06 Farad (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb)) --> 0.00172/(2*pi*(1.5E-06+1.2E-06))

Avaliando ... ...

f_t = 101.387593377059

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

101.387593377059 Hertz --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

101.387593377059 ≈ 101.3876 Hertz <-- Frequência de Transição

(Cálculo concluído em 00.020 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Anshika Arya

Instituto Nacional de Tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya verificou esta calculadora e mais 2500+ calculadoras!

< 10+ Efeitos capacitivos internos e modelo de alta frequência Calculadoras

Capacitância da Junção Coletor-Base

Vai Capacitância da Junção Coletor-Base = Capacitância da Junção Coletor-Base na Tensão 0/(1+(Tensão de polarização reversa/Tensão Embutida))^Coeficiente de classificação

Frequência de Transição do BJT

Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))

Concentração de Elétrons Injetados do Emissor para a Base

Vai Concentração de e- Injetado do Emissor para a Base = Concentração de Equilíbrio Térmico*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Largura de banda de ganho unitário de BJT

Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)

Capacitância de difusão de pequenos sinais de BJT

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*(Coletor atual/Tensão de limiar)

Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária

Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base

Capacitância de difusão de pequenos sinais

Vai Capacitância base do emissor = Constante do dispositivo*Transcondutância

Carga do Elétron Armazenado na Base do BJT

Vai Carga de Elétron Armazenada = Constante do dispositivo*Coletor atual

Frequência de transição de BJT dada constante do dispositivo

Vai Frequência de Transição = 1/(2*pi*Constante do dispositivo)

Capacitância da Junção Base-Emissor

Vai Capacitância da Junção Base-Emissor = 2*Capacitância base do emissor

< 20 Circuito BJT Calculadoras

Frequência de Transição do BJT

Vai Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))

Corrente de base do transistor PNP usando corrente de saturação

Vai Corrente base = (Corrente de saturação/Ganho de Corrente do Emissor Comum)*e^(Tensão Base-Emissor/Tensão Térmica)

Largura de banda de ganho unitário de BJT

Vai Largura de banda de ganho de unidade = Transcondutância/(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base)

Potência Total Dissipada em BJT

Vai Poder = Tensão Coletor-Emissor*Coletor atual+Tensão Base-Emissor*Corrente base

Corrente de Referência do Espelho BJT

Vai Corrente de referência = Coletor atual+(2*Coletor atual)/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Taxa de rejeição de modo comum

Vai Taxa de rejeição de modo comum = 20*log10(Ganho do Modo Diferencial/Ganho de Modo Comum)

Tensão de saída do amplificador BJT

Vai Voltagem de saída = Tensão de alimentação-Drenar Corrente*Resistência de carga

Ganho de corrente de base comum

Vai Ganho de corrente de base comum = Ganho de Corrente do Emissor Comum/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)

Concentração de Equilíbrio Térmico de Portador de Carga Minoritária

Vai Concentração de Equilíbrio Térmico = ((Densidade do portador intrínseco)^2)/Dopagem Concentração de Base

Resistência de saída do BJT

Vai Resistência = (Tensão de alimentação+Tensão Coletor-Emissor)/Coletor atual

Potência Total Fornecida em BJT

Vai Poder = Tensão de alimentação*(Coletor atual+Corrente de entrada)

Corrente de base do transistor PNP dada a corrente do emissor

Vai Corrente base = corrente do emissor/(Ganho de Corrente do Emissor Comum+1)

Corrente de base do transistor PNP usando ganho de corrente de base comum

Vai Corrente base = (1-Ganho de corrente de base comum)*corrente do emissor

Tensão do coletor para o emissor na saturação

Vai Tensão Coletor-Emissor = Tensão Base-Emissor-Tensão do Coletor de Base

Corrente do Coletor usando a Corrente do Emissor

Vai Coletor atual = Ganho de corrente de base comum*corrente do emissor

Corrente de Base do Transistor PNP usando Corrente de Coletor

Vai Corrente base = Coletor atual/Ganho de Corrente do Emissor Comum

Transcondutância de curto-circuito

Vai Transcondutância = Corrente de saída/Tensão de entrada

Corrente de Coletor de BJT

Vai Coletor atual = corrente do emissor-Corrente base

Corrente Emissora de BJT

Vai corrente do emissor = Coletor atual+Corrente base

Ganho Intrínseco do BJT

Vai Ganho Intrínseco = Tensão inicial/Tensão Térmica

Frequência de Transição do BJT Fórmula

Frequência de Transição = Transcondutância/(2*pi*(Capacitância base do emissor+Capacitância da Junção Coletor-Base))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))

Qual é a função do BJT?

A principal função básica de um BJT é amplificar a corrente que permitirá que os BJTs sejam usados como amplificadores ou interruptores para produzir ampla aplicabilidade em equipamentos eletrônicos, incluindo telefones celulares, controle industrial, televisão e transmissores de rádio.

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