Übergangsfrequenz von BJT Taschenrechner

✖Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.ⓘ Steilheit [G_m]			+10% -10%
✖Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.ⓘ Emitter-Basis-Kapazität [C_eb]			+10% -10%
✖Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.ⓘ Kollektor-Basis-Übergangskapazität [C_cb]			+10% -10%

✖Die Übergangsfrequenz, die mit dem Übergang (1 zu 2 oder 2 zu 1) zwischen zwei verschiedenen Schwingungsebenen verbunden ist.ⓘ Übergangsfrequenz von BJT [f_t]

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Formel

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Übergangsfrequenz von BJT

Formel

`"f"_{"t"} = "G"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"}))`

Beispiel

`"101.3876Hz"="1.72mS"/(2*pi*("1.5μF"+"1.2μF"))`

Taschenrechner

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Übergangsfrequenz von BJT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))
Diese formel verwendet 1 Konstanten, 4 Variablen

Verwendete Konstanten

pi - Archimedes-Konstante Wert genommen als 3.14159265358979323846264338327950288

Verwendete Variablen

Übergangsfrequenz - (Gemessen in Hertz) - Die Übergangsfrequenz, die mit dem Übergang (1 zu 2 oder 2 zu 1) zwischen zwei verschiedenen Schwingungsebenen verbunden ist.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist das Verhältnis der Stromänderung am Ausgangsanschluss zur Spannungsänderung am Eingangsanschluss eines aktiven Geräts.
Emitter-Basis-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Emitter-Basis-Kapazität ist die Kapazität zwischen Emitter und Basis.
Kollektor-Basis-Übergangskapazität - (Gemessen in Farad) - Die Kollektor-Basis-Übergangskapazität im aktiven Modus ist in Sperrrichtung vorgespannt und ist die Kapazität zwischen Kollektor und Basis.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Steilheit: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Emitter-Basis-Kapazität: 1.5 Mikrofarad --> 1.5E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Kollektor-Basis-Übergangskapazität: 1.2 Mikrofarad --> 1.2E-06 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb)) --> 0.00172/(2*pi*(1.5E-06+1.2E-06))

Auswerten ... ...

f_t = 101.387593377059

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

101.387593377059 Hertz --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

101.387593377059 ≈ 101.3876 Hertz <-- Übergangsfrequenz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Anshika Arya

Nationales Institut für Technologie (NIT), Hamirpur

Anshika Arya hat diesen Rechner und 2500+ weitere Rechner verifiziert!

< 10+ Interne kapazitive Effekte und Hochfrequenzmodell Taschenrechner

Kollektor-Basis-Übergangskapazität

Gehen Kollektor-Basis-Übergangskapazität = Kollektor-Basis-Übergangskapazität bei 0 Spannung/(1+(Sperrvorspannung/Eingebaute Spannung))^Bewertungskoeffizient

Konzentration der vom Emitter zur Basis injizierten Elektronen

Gehen Konzentration von E-Injected vom Emitter zur Basis = Thermische Gleichgewichtskonzentration*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Kleinsignal-Diffusionskapazität von BJT

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*(Kollektorstrom/Grenzspannung)

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Gespeicherte Elektronenladung in der Basis von BJT

Gehen Gespeicherte Elektronenladung = Gerätekonstante*Kollektorstrom

Kleinsignal-Diffusionskapazität

Gehen Emitter-Basis-Kapazität = Gerätekonstante*Steilheit

Übergangsfrequenz von BJT bei gegebener Gerätekonstante

Gehen Übergangsfrequenz = 1/(2*pi*Gerätekonstante)

Basis-Emitter-Übergangskapazität

Gehen Basis-Emitter-Übergangskapazität = 2*Emitter-Basis-Kapazität

< 20 BJT-Schaltung Taschenrechner

Basisstrom des PNP-Transistors unter Verwendung des Sättigungsstroms

Gehen Basisstrom = (Sättigungsstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung)*e^(Basis-Emitter-Spannung/Thermische Spannung)

Übergangsfrequenz von BJT

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))

Gesamtverlustleistung in BJT

Gehen Leistung = Kollektor-Emitter-Spannung*Kollektorstrom+Basis-Emitter-Spannung*Basisstrom

Gleichtakt-Ablehnungsverhältnis

Gehen Gleichtaktunterdrückungsverhältnis = 20*log10(Differentialmodusverstärkung/Gleichtaktverstärkung)

Unity-Gain-Bandbreite von BJT

Gehen Unity-Gain-Bandbreite = Steilheit/(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität)

Referenzstrom des BJT-Spiegels

Gehen Referenzstrom = Kollektorstrom+(2*Kollektorstrom)/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Ausgangswiderstand von BJT

Gehen Widerstand = (Versorgungsspannung+Kollektor-Emitter-Spannung)/Kollektorstrom

Thermische Gleichgewichtskonzentration des Minoritätsladungsträgers

Gehen Thermische Gleichgewichtskonzentration = ((Intrinsische Trägerdichte)^2)/Dopingkonzentration der Base

Ausgangsspannung des BJT-Verstärkers

Gehen Ausgangsspannung = Versorgungsspannung-Stromverbrauch*Lastwiderstand

Basisstromverstärkung

Gehen Basisstromverstärkung = Gemeinsame Emitterstromverstärkung/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Gelieferte Gesamtleistung in BJT

Gehen Leistung = Versorgungsspannung*(Kollektorstrom+Eingangsstrom)

Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung

Gehen Kollektor-Emitter-Spannung = Basis-Emitter-Spannung-Basis-Kollektor-Spannung

Basisstrom des PNP-Transistors bei gegebenem Emitterstrom

Gehen Basisstrom = Emitterstrom/(Gemeinsame Emitterstromverstärkung+1)

Basisstrom des PNP-Transistors mit Kollektorstrom

Gehen Basisstrom = Kollektorstrom/Gemeinsame Emitterstromverstärkung

Basisstrom des PNP-Transistors mit Common-Base Current Gain

Gehen Basisstrom = (1-Basisstromverstärkung)*Emitterstrom

Kollektorstrom mit Emitterstrom

Gehen Kollektorstrom = Basisstromverstärkung*Emitterstrom

Eigener Gewinn von BJT

Gehen Eigener Gewinn = Frühe Spannung/Thermische Spannung

Kurzschluss-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Ausgangsstrom/Eingangsspannung

Kollektorstrom von BJT

Gehen Kollektorstrom = Emitterstrom-Basisstrom

Emitterstrom von BJT

Gehen Emitterstrom = Kollektorstrom+Basisstrom

Übergangsfrequenz von BJT Formel

Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Emitter-Basis-Kapazität+Kollektor-Basis-Übergangskapazität))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))

Was ist die Funktion von BJT?

Die Hauptgrundfunktion eines BJT besteht darin, den Strom zu verstärken, damit BJTs als Verstärker oder Schalter verwendet werden können, um eine breite Anwendbarkeit in elektronischen Geräten wie Mobiltelefonen, Industriesteuerungen, Fernseh- und Radiosendern zu erzielen.

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