Frequenza di transizione di BJT calcolatrice

✖La transconduttanza è il rapporto tra la variazione di corrente al terminale di uscita e la variazione di tensione al terminale di ingresso di un dispositivo attivo.ⓘ Transconduttanza [G_m]			+10% -10%
✖La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.ⓘ Capacità di base dell'emettitore [C_eb]			+10% -10%
✖La capacità di giunzione collettore-base in modalità attiva è polarizzata inversamente ed è la capacità tra collettore e base.ⓘ Capacità di giunzione collettore-base [C_cb]			+10% -10%

✖La Frequenza di Transizione associata alla transizione (da 1 a 2 o da 2 a 1) tra due diversi livelli vibrazionali.ⓘ Frequenza di transizione di BJT [f_t]

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Formula

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Frequenza di transizione di BJT

Formula

`"f"_{"t"} = "G"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"}))`

Esempio

`"101.3876Hz"="1.72mS"/(2*pi*("1.5μF"+"1.2μF"))`

Calcolatrice

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Frequenza di transizione di BJT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))
Questa formula utilizza 1 Costanti, 4 Variabili

Costanti utilizzate

pi - Costante di Archimede Valore preso come 3.14159265358979323846264338327950288

Variabili utilizzate

Frequenza di transizione - (Misurato in Hertz) - La Frequenza di Transizione associata alla transizione (da 1 a 2 o da 2 a 1) tra due diversi livelli vibrazionali.
Transconduttanza - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza è il rapporto tra la variazione di corrente al terminale di uscita e la variazione di tensione al terminale di ingresso di un dispositivo attivo.
Capacità di base dell'emettitore - (Misurato in Farad) - La capacità emettitore-base è la capacità tra l'emettitore e la base.
Capacità di giunzione collettore-base - (Misurato in Farad) - La capacità di giunzione collettore-base in modalità attiva è polarizzata inversamente ed è la capacità tra collettore e base.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Transconduttanza: 1.72 Millisiemens --> 0.00172 Siemens (Controlla la conversione qui)
Capacità di base dell'emettitore: 1.5 Microfarad --> 1.5E-06 Farad (Controlla la conversione qui)
Capacità di giunzione collettore-base: 1.2 Microfarad --> 1.2E-06 Farad (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb)) --> 0.00172/(2*pi*(1.5E-06+1.2E-06))

Valutare ... ...

f_t = 101.387593377059

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

101.387593377059 Hertz --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

101.387593377059 ≈ 101.3876 Hertz <-- Frequenza di transizione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Anshika Arya

Istituto nazionale di tecnologia (NIT), Hamirpur

Anshika Arya ha verificato questa calcolatrice e altre 2500+ altre calcolatrici!

< 10+ Effetti capacitivi interni e modello ad alta frequenza Calcolatrici

Capacità di giunzione collettore-base

Partire Capacità di giunzione collettore-base = Capacità di giunzione collettore-base a tensione 0/(1+(Tensione di polarizzazione inversa/Tensione incorporata))^Coefficiente di classificazione

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Concentrazione di elettroni iniettati dall'emettitore alla base

Partire Concentrazione di e-iniettata dall'emettitore alla base = Concentrazione di equilibrio termico*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Capacità di diffusione di piccoli segnali di BJT

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*(Corrente del collettore/Soglia di voltaggio)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Carica elettronica immagazzinata nella base di BJT

Partire Carica elettronica immagazzinata = Dispositivo costante*Corrente del collettore

Capacità di diffusione di piccoli segnali

Partire Capacità di base dell'emettitore = Dispositivo costante*Transconduttanza

Frequenza di transizione di BJT data la costante del dispositivo

Partire Frequenza di transizione = 1/(2*pi*Dispositivo costante)

Capacità di giunzione base-emettitore

Partire Capacità di giunzione base-emettitore = 2*Capacità di base dell'emettitore

< 20 Circuito BJT Calcolatrici

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente di saturazione

Partire Corrente di base = (Corrente di saturazione/Guadagno di corrente dell'emettitore comune)*e^(Tensione base-emettitore/Tensione termica)

Frequenza di transizione di BJT

Partire Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))

Potenza totale dissipata in BJT

Partire Energia = Tensione collettore-emettitore*Corrente del collettore+Tensione base-emettitore*Corrente di base

Larghezza di banda a guadagno unitario di BJT

Partire Larghezza di banda con guadagno unitario = Transconduttanza/(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base)

Corrente di riferimento dello specchio BJT

Partire Corrente di riferimento = Corrente del collettore+(2*Corrente del collettore)/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Rapporto di reiezione di modo comune

Partire Rapporto di reiezione di modo comune = 20*log10(Guadagno in modalità differenziale/Guadagno di modo comune)

Guadagno di corrente a base comune

Partire Guadagno di corrente a base comune = Guadagno di corrente dell'emettitore comune/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Resistenza di uscita di BJT

Partire Resistenza = (Tensione di alimentazione+Tensione collettore-emettitore)/Corrente del collettore

Tensione di uscita dell'amplificatore BJT

Partire Tensione di uscita = Tensione di alimentazione-Assorbimento di corrente*Resistenza al carico

Potenza totale fornita in BJT

Partire Energia = Tensione di alimentazione*(Corrente del collettore+Corrente di ingresso)

Concentrazione di equilibrio termico di portatori di carica minoritari

Partire Concentrazione di equilibrio termico = ((Densità portante intrinseca)^2)/Concentrazione drogante della base

Corrente di base del transistor PNP data la corrente dell'emettitore

Partire Corrente di base = Corrente dell'emettitore/(Guadagno di corrente dell'emettitore comune+1)

Corrente di base del transistor PNP utilizzando la corrente del collettore

Partire Corrente di base = Corrente del collettore/Guadagno di corrente dell'emettitore comune

Corrente del collettore usando la corrente dell'emettitore

Partire Corrente del collettore = Guadagno di corrente a base comune*Corrente dell'emettitore

Corrente di base del transistor PNP utilizzando il guadagno di corrente di base comune

Partire Corrente di base = (1-Guadagno di corrente a base comune)*Corrente dell'emettitore

Tensione collettore-emettitore alla saturazione

Partire Tensione collettore-emettitore = Tensione base-emettitore-Tensione base-collettore

Corrente del collettore di BJT

Partire Corrente del collettore = Corrente dell'emettitore-Corrente di base

Corrente di emettitore di BJT

Partire Corrente dell'emettitore = Corrente del collettore+Corrente di base

Transconduttanza di cortocircuito

Partire Transconduttanza = Corrente di uscita/Tensione di ingresso

Guadagno intrinseco di BJT

Partire Guadagno intrinseco = Tensione iniziale/Tensione termica

Frequenza di transizione di BJT Formula

Frequenza di transizione = Transconduttanza/(2*pi*(Capacità di base dell'emettitore+Capacità di giunzione collettore-base))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))

Qual è la funzione del BJT?

La principale funzione di base di un BJT è quella di amplificare la corrente che consentirà ai BJT di essere utilizzati come amplificatori o interruttori per produrre un'ampia applicabilità in apparecchiature elettroniche, tra cui telefoni cellulari, controllo industriale, televisione e trasmettitori radio.

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