Частота перехода BJT Калькулятор

✖Крутизна — это отношение изменения тока на выходной клемме к изменению напряжения на входной клемме активного устройства.ⓘ крутизна [G_m]			+10% -10%
✖Емкость эмиттер-база - это емкость между эмиттером и базой.ⓘ Емкость эмиттер-база [C_eb]			+10% -10%
✖Емкость перехода коллектор-база в активном режиме смещена в обратном направлении и представляет собой емкость между коллектором и базой.ⓘ Емкость перехода коллектор-база [C_cb]			+10% -10%

✖Частота перехода, связанная с переходом (с 1 на 2 или с 2 на 1) между двумя разными вибрационными уровнями.ⓘ Частота перехода BJT [f_t]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Частота перехода BJT

Формула

`"f"_{"t"} = "G"_{"m"}/(2*pi*("C"_{"eb"}+"C"_{"cb"}))`

Пример

`"101.3876Hz"="1.72mS"/(2*pi*("1.5μF"+"1.2μF"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF

Частота перехода BJT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Частота перехода - (Измеряется в Герц) - Частота перехода, связанная с переходом (с 1 на 2 или с 2 на 1) между двумя разными вибрационными уровнями.
крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна — это отношение изменения тока на выходной клемме к изменению напряжения на входной клемме активного устройства.
Емкость эмиттер-база - (Измеряется в фарада) - Емкость эмиттер-база - это емкость между эмиттером и базой.
Емкость перехода коллектор-база - (Измеряется в фарада) - Емкость перехода коллектор-база в активном режиме смещена в обратном направлении и представляет собой емкость между коллектором и базой.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

крутизна: 1.72 Миллисименс --> 0.00172 Сименс (Проверьте преобразование здесь)
Емкость эмиттер-база: 1.5 Микрофарад --> 1.5E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Емкость перехода коллектор-база: 1.2 Микрофарад --> 1.2E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb)) --> 0.00172/(2*pi*(1.5E-06+1.2E-06))

Оценка ... ...

f_t = 101.387593377059

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

101.387593377059 Герц --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

101.387593377059 ≈ 101.3876 Герц <-- Частота перехода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Частота перехода BJT

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< 10+ Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Емкость перехода коллектор-база

Идти Емкость перехода коллектор-база = Емкость перехода коллектор-база при нулевом напряжении/(1+(Напряжение обратного смещения/Встроенное напряжение))^Коэффициент оценки

Концентрация электронов, инжектированных из эмиттера в базу

Идти Концентрация электронной инжекции от эмиттера к базе = Тепловая равновесная концентрация*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Идти Единство усиления пропускной способности = крутизна/(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база)

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Идти Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания

Сохраненный электронный заряд в базе BJT

Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток

Диффузионная емкость слабого сигнала

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*крутизна

Частота перехода BJT с заданной константой устройства

Идти Частота перехода = 1/(2*pi*Константа устройства)

Емкость перехода база-эмиттер

Идти Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база

< 20 Схема БЮТ Калькуляторы

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока насыщения

Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение)

Частота перехода BJT

Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))

Суммарная мощность, рассеиваемая в BJT

Идти Власть = Напряжение коллектор-эмиттер*Коллекторный ток+Напряжение база-эмиттер*Базовый ток

Коэффициент подавления синфазного сигнала

Идти Коэффициент подавления синфазного сигнала = 20*log10(Усиление дифференциального режима/Усиление синфазного сигнала)

Коэффициент усиления по току с общей базой

Идти Коэффициент усиления по току с общей базой = Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)

Пропускная способность Unity-Gain BJT

Справочный ток зеркала BJT

Идти Опорный ток = Коллекторный ток+(2*Коллекторный ток)/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Выходное сопротивление BJT

Идти Сопротивление = (Напряжение питания+Напряжение коллектор-эмиттер)/Коллекторный ток

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Выходное напряжение усилителя BJT

Идти Выходное напряжение = Напряжение питания-Ток стока*Сопротивление нагрузки

Общая потребляемая мощность в BJT

Идти Власть = Напряжение питания*(Коллекторный ток+Входной ток)

Напряжение между коллектором и эмиттером при насыщении

Идти Напряжение коллектор-эмиттер = Напряжение база-эмиттер-Напряжение база-коллектор

Базовый ток транзистора PNP с использованием тока коллектора

Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Базовый ток транзистора PNP при заданном токе эмиттера

Идти Базовый ток = Ток эмиттера/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)

Ток коллектора с использованием тока эмиттера

Идти Коллекторный ток = Коэффициент усиления по току с общей базой*Ток эмиттера

Базовый ток PNP-транзистора с использованием коэффициента усиления по току с общей базой

Идти Базовый ток = (1-Коэффициент усиления по току с общей базой)*Ток эмиттера

Внутреннее усиление BJT

Идти Внутреннее усиление = Раннее напряжение/Тепловое напряжение

Ток коллектора BJT

Идти Коллекторный ток = Ток эмиттера-Базовый ток

Ток эмиттера BJT

Идти Ток эмиттера = Коллекторный ток+Базовый ток

Крутизна короткого замыкания

Идти крутизна = Выходной ток/Входное напряжение

Частота перехода BJT формула

Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость эмиттер-база+Емкость перехода коллектор-база))
f_t = G_m/(2*pi*(C_eb+C_cb))

Какова функция BJT?

Основная основная функция BJT - усиление тока, что позволит использовать BJT в качестве усилителей или переключателей для широкого применения в электронном оборудовании, включая мобильные телефоны, промышленное управление, телевидение и радиопередатчики.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!