Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON calcolatrice

✖La corrente diretta di un IGBT è la corrente massima che può fluire attraverso il dispositivo quando è acceso.ⓘ Corrente diretta [I_f]			+10% -10%
✖La resistenza del canale N di un IGBT è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.ⓘ Resistenza del canale N [R_ch]			+10% -10%
✖La resistenza alla deriva di un IGBT è la regione di deriva N del materiale semiconduttore nel dispositivo. La regione N-drift è uno spesso silicio drogato che separa il collettore dalla regione P-base.ⓘ Resistenza alla deriva [R_d]			+10% -10%
✖La tensione Pn della giunzione 1 è causata dalla potenziale barriera esistente sulla giunzione. Questa potenziale barriera è creata dalla diffusione dei portatori di carica attraverso la giunzione.ⓘ Giunzione Pn di tensione 1 [V_j1]			+10% -10%

✖La caduta di tensione sullo stadio in un IGBT è la differenza di tensione tra i terminali del collettore e dell'emettitore quando l'IGBT è acceso. È materiale semiconduttore nel dispositivo.ⓘ Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON [V_drop]

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Formula

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Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

Formula

`"V"_{"drop"} = "I"_{"f"}*"R"_{"ch"}+"I"_{"f"}*"R"_{"d"}+"V"_{"j1"}`

Esempio

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

Calcolatrice

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Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Caduta di tensione sul palco = Corrente diretta*Resistenza del canale N+Corrente diretta*Resistenza alla deriva+Giunzione Pn di tensione 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Caduta di tensione sul palco - (Misurato in Volt) - La caduta di tensione sullo stadio in un IGBT è la differenza di tensione tra i terminali del collettore e dell'emettitore quando l'IGBT è acceso. È materiale semiconduttore nel dispositivo.
Corrente diretta - (Misurato in Ampere) - La corrente diretta di un IGBT è la corrente massima che può fluire attraverso il dispositivo quando è acceso.
Resistenza del canale N - (Misurato in Ohm) - La resistenza del canale N di un IGBT è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.
Resistenza alla deriva - (Misurato in Ohm) - La resistenza alla deriva di un IGBT è la regione di deriva N del materiale semiconduttore nel dispositivo. La regione N-drift è uno spesso silicio drogato che separa il collettore dalla regione P-base.
Giunzione Pn di tensione 1 - (Misurato in Volt) - La tensione Pn della giunzione 1 è causata dalla potenziale barriera esistente sulla giunzione. Questa potenziale barriera è creata dalla diffusione dei portatori di carica attraverso la giunzione.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Corrente diretta: 1.69 Millampere --> 0.00169 Ampere (Controlla la conversione qui)
Resistenza del canale N: 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Controlla la conversione qui)
Resistenza alla deriva: 0.98 Kilohm --> 980 Ohm (Controlla la conversione qui)
Giunzione Pn di tensione 1: 0.7 Volt --> 0.7 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Valutare ... ...

V_drop = 20.2533

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

20.2533 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

20.2533 Volt <-- Caduta di tensione sul palco

(Calcolo completato in 00.007 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 8 IGBT Calcolatrici

Corrente di collettore continua nominale dell'IGBT

Partire Corrente diretta = (-Tensione totale del collettore e dell'emettitore+sqrt((Tensione totale del collettore e dell'emettitore)^2+4*Resistenza del collettore e dell'emettitore*((Giunzione operativa massima-Temperatura della custodia)/Resistenza termica)))/(2*Resistenza del collettore e dell'emettitore)

Tensione di saturazione dell'IGBT

Partire Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore = Tensione dell'emettitore base del transistor PNP+Assorbimento di corrente*(Resistenza alla conduttività+Resistenza del canale N)

Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

Partire Caduta di tensione sul palco = Corrente diretta*Resistenza del canale N+Corrente diretta*Resistenza alla deriva+Giunzione Pn di tensione 1

Orario di spegnimento dell'IGBT

Partire Spegnimento ora = Ritardo+Tempo di caduta iniziale+Tempo di caduta finale

Massima dissipazione di potenza negli IGBT

Partire Massima dissipazione di potenza = Giunzione operativa massima/Giunzione all'angolo della cassa

Capacità di ingresso dell'IGBT

Partire Capacità di ingresso = Capacità dal gate all'emettitore+Capacità da gate a collettore

Tensione di rottura della polarizzazione diretta dell'IGBT

Partire Tensione di guasto in un'area operativa sicura = (5.34*10^13)/((Commissione positiva netta)^(3/4))

Corrente dell'emettitore dell'IGBT

Partire Corrente dell'emettitore = Corrente del buco+Corrente elettronica

Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON Formula

Caduta di tensione sul palco = Corrente diretta*Resistenza del canale N+Corrente diretta*Resistenza alla deriva+Giunzione Pn di tensione 1
V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1

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