Effet corporel sur la transconductance Calculatrice

✖Le changement de seuil à la tension de base définit la vitesse à laquelle la tension de seuil change par rapport à la tension de base.ⓘ Modification du seuil à la tension de base [Χ]			+10% -10%
✖La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.ⓘ Transconductance [g_m]			+10% -10%

✖La transconductance corporelle fait référence à la mesure de la variation du courant de sortie d'un appareil en réponse à un changement de la tension d'entrée. .ⓘ Effet corporel sur la transconductance [g_mb]

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Formule

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Effet corporel sur la transconductance

Formule

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

Exemple

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

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Effet corporel sur la transconductance Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance
g_mb = Χ*g_m
Cette formule utilise 3 Variables

Variables utilisées

Transconductance corporelle - (Mesuré en Siemens) - La transconductance corporelle fait référence à la mesure de la variation du courant de sortie d'un appareil en réponse à un changement de la tension d'entrée. .
Modification du seuil à la tension de base - Le changement de seuil à la tension de base définit la vitesse à laquelle la tension de seuil change par rapport à la tension de base.
Transconductance - (Mesuré en Siemens) - La transconductance est définie comme le rapport entre la variation du courant de sortie et la variation de la tension d'entrée, la tension grille-source étant maintenue constante.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Modification du seuil à la tension de base: 0.2 --> Aucune conversion requise
Transconductance: 0.5 millisiemens --> 0.0005 Siemens (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

Évaluer ... ...

g_mb = 0.0001

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.0001 Siemens -->0.1 millisiemens (Vérifiez la conversion ici)

RÉPONSE FINALE

0.1 millisiemens <-- Transconductance corporelle

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Accueil » Ingénierie » Électronique » MOSFET » Électronique analogique » Transconductance » Effet corporel sur la transconductance

Crédits

Créé par Payal Priya

Institut de technologie de Birsa (BIT), Sindri

Payal Priya a créé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

Vérifié par Urvi Rathod

Collège d'ingénierie du gouvernement de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod a validé cette calculatrice et 1900+ autres calculatrices!

< 16 Transconductance Calculatrices

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil))

Transconductance donnée Process Transconductance Paramètre

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Transconductance donnée Courant de drain

Aller Transconductance = sqrt(2*Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Transconductance MOSFET utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance/(Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication)

Transconductance utilisant le paramètre de transconductance de processus et la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect*Tension de surmultiplication

Transconductance du processus en fonction de la transconductance et du courant de drain

Aller Paramètre de transconductance de processus = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Courant de vidange)

Drain Current étant donné la transconductance et la transconductance du processus

Aller Courant de vidange = Transconductance^2/(2*Ratio d'aspect*Paramètre de transconductance de processus)

Transconductance MOSFET donnée Paramètre de transconductance

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Paramètre de transconductance MOSFET utilisant la transconductance de processus

Aller Paramètre de transconductance = Paramètre de transconductance de processus*Ratio d'aspect

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

MOSFET Transconductance étant donné la tension de surcharge

Aller Transconductance = Paramètre de transconductance*Tension de surmultiplication

Paramètre de transconductance de processus du MOSFET

Aller Paramètre de transconductance = Transconductance/Tension de surmultiplication

Transconductance de la porte arrière

Aller Transconductance de la porte arrière = Transconductance*Efficacité de tension

Transconductance MOSFET

Aller Transconductance = Changement du courant de drain/Tension grille-source

Drainer le courant à l'aide de la transconductance

Aller Courant de vidange = (Tension de surmultiplication)*Transconductance/2

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

< 15 Caractéristiques du MOSFET Calculatrices

Conductance du canal du MOSFET utilisant la tension grille à source

Aller Conductance du canal = Mobilité des électrons à la surface du canal*Capacité d'oxyde*Largeur de canal/Longueur du canal*(Tension grille-source-Tension de seuil)

Gain de tension donné Résistance de charge du MOSFET

Aller Gain de tension = Transconductance*(1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance de sortie))/(1+Transconductance*Résistance à la source)

Fréquence de transition du MOSFET

Aller Fréquence de transition = Transconductance/(2*pi*(Capacité de la porte source+Capacité de vidange de porte))

Largeur du canal porte à source du MOSFET

Aller Largeur de canal = Capacité de chevauchement/(Capacité d'oxyde*Longueur de chevauchement)

Gain de tension maximal au point de polarisation

Aller Gain de tension maximal = 2*(Tension d'alimentation-Tension efficace)/(Tension efficace)

Gain de tension en utilisant un petit signal

Aller Gain de tension = Transconductance*1/(1/Résistance à la charge+1/Résistance finie)

Gain de tension donné Tension de drain

Aller Gain de tension = (Courant de vidange*Résistance à la charge*2)/Tension efficace

Effet corporel sur la transconductance

Aller Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance

Tension de polarisation du MOSFET

Aller Tension de polarisation instantanée totale = Tension de polarisation CC+Tension continue

Tension de saturation du MOSFET

Aller Tension de saturation du drain et de la source = Tension grille-source-Tension de seuil

Gain de tension maximum compte tenu de toutes les tensions

Aller Gain de tension maximal = (Tension d'alimentation-0.3)/Tension thermique

Transconductance dans MOSFET

Aller Transconductance = (2*Courant de vidange)/Tension de surmultiplication

Facteur d'amplification dans le modèle MOSFET à petit signal

Aller Facteur d'amplification = Transconductance*Résistance de sortie

Tension de seuil du MOSFET

Aller Tension de seuil = Tension grille-source-Tension efficace

Conductance dans la résistance linéaire du MOSFET

Aller Conductance du canal = 1/Résistance linéaire

Effet corporel sur la transconductance Formule

Transconductance corporelle = Modification du seuil à la tension de base*Transconductance
g_mb = Χ*g_m

Qu'est-ce que le gain de tension?

La différence entre le niveau de tension du signal de sortie en décibels et le niveau de tension du signal d'entrée en décibels; cette valeur est égale à 20 fois le logarithme commun du rapport de la tension de sortie à la tension d'entrée.

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