Body-Effekt auf die Transkonduktanz Taschenrechner

✖Die Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung definiert die Geschwindigkeit, mit der sich die Schwellenspannung in Bezug auf die Basisspannung ändert.ⓘ Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung [Χ]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.ⓘ Steilheit [g_m]			+10% -10%

✖Unter Körpertranskonduktanz versteht man das Maß dafür, wie stark sich der Ausgangsstrom eines Geräts als Reaktion auf eine Änderung der Eingangsspannung ändert. .ⓘ Body-Effekt auf die Transkonduktanz [g_mb]

⎘ Kopie

👎

Formel

✖

Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Formel

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

Beispiel

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

Taschenrechner

LaTeX

Rücksetzen

👍

Herunterladen MOSFET Formel Pdf PDF Image

Body-Effekt auf die Transkonduktanz Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit
g_mb = Χ*g_m
Diese formel verwendet 3 Variablen

Verwendete Variablen

Körpertranskonduktanz - (Gemessen in Siemens) - Unter Körpertranskonduktanz versteht man das Maß dafür, wie stark sich der Ausgangsstrom eines Geräts als Reaktion auf eine Änderung der Eingangsspannung ändert. .
Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung - Die Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung definiert die Geschwindigkeit, mit der sich die Schwellenspannung in Bezug auf die Basisspannung ändert.
Steilheit - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung: 0.2 --> Keine Konvertierung erforderlich
Steilheit: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

Auswerten ... ...

g_mb = 0.0001

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.0001 Siemens -->0.1 Millisiemens (Überprüfen sie die konvertierung hier)

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.1 Millisiemens <-- Körpertranskonduktanz

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

Du bist da -

Zuhause » Maschinenbau » Elektronik » MOSFET » Analoge Elektronik » Steilheit » Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Credits

Erstellt von Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BISSCHEN), Sindri

Payal Priya hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

< 16 Steilheit Taschenrechner

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters

Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung))

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Steilheit bei gegebenem Drain-Strom

Gehen Steilheit = sqrt(2*Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)

MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung

Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit/(Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung)

Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom

Gehen Transkonduktanzparameter verarbeiten = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Stromverbrauch)

Drainstrom bei gegebener Prozesstranskonduktanz und Transkonduktanz

Gehen Stromverbrauch = Steilheit^2/(2*Seitenverhältnis*Transkonduktanzparameter verarbeiten)

Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*Overdrive-Spannung

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

MOSFET-Transkonduktanzparameter unter Verwendung der Prozess-Transkonduktanz

Gehen Transkonduktanzparameter = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis

Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit

MOSFET-Transkonduktanz

Gehen Steilheit = Änderung des Drainstroms/Gate-Source-Spannung

Back-Gate-Transkonduktanz

Gehen Back-Gate-Transkonduktanz = Steilheit*Spannungseffizienz

MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung

Gehen Steilheit = Transkonduktanzparameter*Overdrive-Spannung

Transkonduktanzparameter des MOSFET verarbeiten

Gehen Transkonduktanzparameter = Steilheit/Overdrive-Spannung

Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten

Gehen Stromverbrauch = (Overdrive-Spannung)*Steilheit/2

Transkonduktanz im MOSFET

Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

< 15 MOSFET-Eigenschaften Taschenrechner

Leitfähigkeit des Kanals des MOSFET unter Verwendung der Gate-Source-Spannung

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = Mobilität von Elektronen an der Oberfläche des Kanals*Oxidkapazität*Kanalbreite/Kanallänge*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)

Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*(1/(1/Lastwiderstand+1/Ausgangswiderstand))/(1+Steilheit*Quellenwiderstand)

Übergangsfrequenz des MOSFET

Gehen Übergangsfrequenz = Steilheit/(2*pi*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität))

Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = 2*(Versorgungsspannung-Effektive Spannung)/(Effektive Spannung)

Spannungsverstärkung mit Kleinsignal

Gehen Spannungsverstärkung = Steilheit*1/(1/Lastwiderstand+1/Endlicher Widerstand)

Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

Gehen Spannungsverstärkung = (Stromverbrauch*Lastwiderstand*2)/Effektive Spannung

Gate-Source-Kanalbreite des MOSFET

Gehen Kanalbreite = Überlappungskapazität/(Oxidkapazität*Überlappungslänge)

Body-Effekt auf die Transkonduktanz

Gehen Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit

Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

Gehen Maximale Spannungsverstärkung = (Versorgungsspannung-0.3)/Thermische Spannung

Sättigungsspannung des MOSFET

Gehen Drain- und Source-Sättigungsspannung = Gate-Source-Spannung-Grenzspannung

Vorspannung des MOSFET

Gehen Gesamte momentane Vorspannung = DC-Vorspannung+Gleichspannung

Schwellenspannung des MOSFET

Gehen Grenzspannung = Gate-Source-Spannung-Effektive Spannung

Verstärkungsfaktor im Kleinsignal-MOSFET-Modell

Gehen Verstärkungsfaktor = Steilheit*Ausgangswiderstand

Transkonduktanz im MOSFET

Gehen Steilheit = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung

Leitfähigkeit im linearen Widerstand des MOSFET

Gehen Leitfähigkeit des Kanals = 1/Linearer Widerstand

Body-Effekt auf die Transkonduktanz Formel

Körpertranskonduktanz = Änderung des Schwellenwerts zur Basisspannung*Steilheit
g_mb = Χ*g_m

Was ist Spannungsverstärkung?

Die Differenz zwischen dem Ausgangssignalspannungspegel in Dezibel und dem Eingangssignalspannungspegel in Dezibel; Dieser Wert entspricht dem 20-fachen des gemeinsamen Logarithmus des Verhältnisses der Ausgangsspannung zur Eingangsspannung.

Zuhause

FREI PDFs

🔍 Suche

Kategorien

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!