Lichaamseffect op transconductantie Rekenmachine

✖Verandering in drempel naar basisspanning is het definieert de snelheid waarmee de drempelspanning verandert ten opzichte van de basisspanning.ⓘ Verandering in drempel naar basisspanning [Χ]			+10% -10%
✖Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.ⓘ Transconductantie [g_m]			+10% -10%

✖Lichaamstransconductantie verwijst naar de maat van hoeveel de uitgangsstroom van een apparaat verandert als reactie op een verandering in de ingangsspanning. .ⓘ Lichaamseffect op transconductantie [g_mb]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Lichaamseffect op transconductantie

Formule

`"g"_{"mb"} = "Χ"*"g"_{"m"}`

Voorbeeld

`"0.1mS"="0.2"*"0.5mS"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Lichaamseffect op transconductantie Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie
g_mb = Χ*g_m
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Transconductantie van het lichaam - (Gemeten in Siemens) - Lichaamstransconductantie verwijst naar de maat van hoeveel de uitgangsstroom van een apparaat verandert als reactie op een verandering in de ingangsspanning. .
Verandering in drempel naar basisspanning - Verandering in drempel naar basisspanning is het definieert de snelheid waarmee de drempelspanning verandert ten opzichte van de basisspanning.
Transconductantie - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie wordt gedefinieerd als de verhouding van de verandering in de uitgangsstroom tot de verandering in de ingangsspanning, waarbij de poort-bronspanning constant wordt gehouden.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Verandering in drempel naar basisspanning: 0.2 --> Geen conversie vereist
Transconductantie: 0.5 Millisiemens --> 0.0005 Siemens (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

g_mb = Χ*g_m --> 0.2*0.0005

Evalueren ... ...

g_mb = 0.0001

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.0001 Siemens -->0.1 Millisiemens (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.1 Millisiemens <-- Transconductantie van het lichaam

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » Transconductantie » Lichaamseffect op transconductantie

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 16 Transconductantie Rekenmachines

MOSFET-transconductantie met behulp van Process Transconductance-parameter

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning))

Transconductantie gegeven procestransconductantieparameter

Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Transconductantie gegeven afvoerstroom

Gaan Transconductantie = sqrt(2*Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Afvoerstroom)

MOSFET-transconductantie met behulp van procestransconductantieparameter en overdrive-spanning

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie/(Beeldverhouding*Overdrive-spanning)

Transconductantie met behulp van Process Transconductance Parameter en Overdrive Voltage

Gaan Transconductantie = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding*Overdrive-spanning

Procestransconductantie gegeven Transconductantie en afvoerstroom

Gaan Procestransconductantieparameter = Transconductantie^2/(2*Beeldverhouding*Afvoerstroom)

Afvoerstroom gegeven procestransconductantie en transconductantie

Gaan Afvoerstroom = Transconductantie^2/(2*Beeldverhouding*Procestransconductantieparameter)

MOSFET Transconductantie gegeven Transconductance Parameter:

Gaan Transconductantie = Transconductantieparameter*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

MOSFET-transconductantieparameter met behulp van procestransconductantie

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter*Beeldverhouding

Backgate-transconductantie

Gaan Backgate-transconductantie = Transconductantie*Spanningsefficiëntie

MOSFET Transconductantie gegeven Overdrive Voltage

Gaan Transconductantie = Transconductantieparameter*Overdrive-spanning

Procestransconductantieparameter van MOSFET

Gaan Transconductantieparameter = Transconductantie/Overdrive-spanning

MOSFET-transconductantie

Gaan Transconductantie = Verandering in afvoerstroom/Gate-bronspanning

Stroom afvoeren met behulp van transconductantie

Gaan Afvoerstroom = (Overdrive-spanning)*Transconductantie/2

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

< 15 MOSFET-karakteristieken Rekenmachines

Geleiding van kanaal van MOSFET met behulp van poort-naar-bronspanning

Gaan Geleiding van kanaal = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxidecapaciteit*Kanaalbreedte/Kanaallengte*(Gate-bronspanning-Drempelspanning)

Spanningsversterking gegeven Belastingsweerstand van MOSFET

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*(1/(1/Belastingsweerstand+1/Uitgangsweerstand))/(1+Transconductantie*Bron weerstand)

Overgangsfrequentie van MOSFET

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Bronpoortcapaciteit+Gate-drain-capaciteit))

Maximale spanningsversterking op biaspunt

Gaan Maximale spanningsversterking = 2*(Voedingsspanning-Effectieve spanning)/(Effectieve spanning)

Spanningsversterking met klein signaal

Gaan Spanningsversterking = Transconductantie*1/(1/Belastingsweerstand+1/Eindige weerstand)

Spanningsversterking gegeven afvoerspanning

Gaan Spanningsversterking = (Afvoerstroom*Belastingsweerstand*2)/Effectieve spanning

Poort naar bronkanaalbreedte van MOSFET

Gaan Kanaalbreedte = Overlapcapaciteit/(Oxidecapaciteit*Overlappingslengte)

Lichaamseffect op transconductantie

Gaan Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie

Maximale spanningsversterking bij alle spanningen

Gaan Maximale spanningsversterking = (Voedingsspanning-0.3)/Thermische spanning

Verzadigingsspanning van MOSFET

Gaan Afvoer- en bronverzadigingsspanning = Gate-bronspanning-Drempelspanning

Voorspanning van MOSFET

Gaan Totale momentane biasspanning = DC-voorspanning+Gelijkstroomspanning

Versterkingsfactor in MOSFET-model met klein signaal

Gaan Versterkingsfactor = Transconductantie*Uitgangsweerstand

Transconductantie in MOSFET

Gaan Transconductantie = (2*Afvoerstroom)/Overdrive-spanning

Drempelspanning van MOSFET

Gaan Drempelspanning = Gate-bronspanning-Effectieve spanning

Geleiding in lineaire weerstand van MOSFET

Gaan Geleiding van kanaal = 1/Lineaire weerstand

Lichaamseffect op transconductantie Formule

Transconductantie van het lichaam = Verandering in drempel naar basisspanning*Transconductantie
g_mb = Χ*g_m

Wat is spanningsversterking?

Het verschil tussen het uitgangssignaalspanningsniveau in decibel en het ingangssignaalspanningsniveau in decibel; deze waarde is gelijk aan 20 keer de gemeenschappelijke logaritme van de verhouding tussen de uitgangsspanning en de ingangsspanning.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!