जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई कैलकुलेटर

✖तापमान दर्शाता है कि कोई वस्तु या वातावरण कितना गर्म या ठंडा है।ⓘ तापमान [T]			+10% -10%
✖स्वीकर्ता एकाग्रता एक अर्धचालक सामग्री में स्वीकर्ता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करती है।ⓘ स्वीकर्ता एकाग्रता [N_A]			+10% -10%
✖दाता एकाग्रता से तात्पर्य मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ाने के लिए अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता से है।ⓘ दाता एकाग्रता [N_D]			+10% -10%
✖आंतरिक एकाग्रता थर्मल संतुलन पर एक आंतरिक अर्धचालक में चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन और छेद) की एकाग्रता को संदर्भित करती है।ⓘ आंतरिक एकाग्रता [N_i]			+10% -10%

✖जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है।ⓘ जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई [Ø₀]

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सूत्र

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जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई

सूत्र

`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`

उदाहरण

`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`

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जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई उपाय

चरण 0: पूर्व-गणना सारांश

प्रयुक्त सूत्र

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
यह सूत्र 2 स्थिरांक, 1 कार्यों, 5 वेरिएबल का उपयोग करता है

लगातार इस्तेमाल किया

[Charge-e] - इलेक्ट्रॉन का आवेश मान लिया गया 1.60217662E-19
[BoltZ] - बोल्ट्ज़मान स्थिरांक मान लिया गया 1.38064852E-23

उपयोग किए गए कार्य

ln - प्राकृतिक लघुगणक, जिसे आधार ई के लघुगणक के रूप में भी जाना जाता है, प्राकृतिक घातीय फलन का व्युत्क्रम फलन है।, ln(Number)

चर

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज - (में मापा गया वोल्ट) - जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया जाता है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद होता है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है।
तापमान - (में मापा गया केल्विन) - तापमान दर्शाता है कि कोई वस्तु या वातावरण कितना गर्म या ठंडा है।
स्वीकर्ता एकाग्रता - (में मापा गया 1 प्रति घन मीटर) - स्वीकर्ता एकाग्रता एक अर्धचालक सामग्री में स्वीकर्ता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करती है।
दाता एकाग्रता - (में मापा गया 1 प्रति घन मीटर) - दाता एकाग्रता से तात्पर्य मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ाने के लिए अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता से है।
आंतरिक एकाग्रता - (में मापा गया 1 प्रति घन मीटर) - आंतरिक एकाग्रता थर्मल संतुलन पर एक आंतरिक अर्धचालक में चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन और छेद) की एकाग्रता को संदर्भित करती है।

चरण 1: इनपुट को आधार इकाई में बदलें

तापमान: 300 केल्विन --> 300 केल्विन कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है
स्वीकर्ता एकाग्रता: 1E+16 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 1E+22 1 प्रति घन मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
दाता एकाग्रता: 1E+17 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 1E+23 1 प्रति घन मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)
आंतरिक एकाग्रता: 14500000000 1 प्रति घन सेंटीमीटर --> 1.45E+16 1 प्रति घन मीटर (रूपांतरण की जाँच करें यहाँ)

चरण 2: फॉर्मूला का मूल्यांकन करें

फॉर्मूला में इनपुट वैल्यू को तैयार करना

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

मूल्यांकन हो रहा है ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

चरण 3: परिणाम को आउटपुट की इकाई में बदलें

0.75463200359389 वोल्ट --> कोई रूपांतरण आवश्यक नहीं है

आख़री जवाब

0.75463200359389 ≈ 0.754632 वोल्ट <-- जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज

(गणना 00.004 सेकंड में पूरी हुई)

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क्रेडिट

के द्वारा बनाई गई प्रियंका पटेल

लालभाई दलपतभाई कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (एलडीसीई), अहमदाबाद

प्रियंका पटेल ने इस कैलकुलेटर और 25+ अधिक कैलकुलेटर को बनाए है!

के द्वारा सत्यापित संतोष यादव

दयानंद सागर कॉलेज ऑफ इंजीनियरिंग (डीएससीई), बंगलोर

संतोष यादव ने इस कैलकुलेटर और 50+ को अधिक कैलकुलेटर से सत्यापित किया है!

< 25 वीएलएसआई सामग्री अनुकूलन कैलक्युलेटर्स

थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व वीएलएसआई

जाओ थोक ह्रास क्षेत्र चार्ज घनत्व = -(1-((स्रोत सहित ह्रास क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार+अपवाह के साथ क्षय क्षेत्र का पार्श्विक विस्तार)/(2*चैनल की लंबाई)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकर्ता एकाग्रता*abs(2*सतही क्षमता))

शारीरिक प्रभाव गुणांक

जाओ शारीरिक प्रभाव गुणांक = modulus((सीमा वोल्टेज-दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल)/(sqrt(सतही क्षमता+(स्रोत शारीरिक संभावित अंतर))-sqrt(सतही क्षमता)))

स्रोत वीएलएसआई के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई

जाओ स्रोत के साथ पीएन जंक्शन कमी गहराई = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकर्ता एकाग्रता))

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई

जाओ जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

कुल स्रोत परजीवी समाई

जाओ स्रोत परजीवी समाई = (शरीर और स्रोत के जंक्शन के बीच समाई*स्रोत प्रसार का क्षेत्र)+(बॉडी के जंक्शन और साइड की दीवार के बीच की क्षमता*स्रोत प्रसार की साइडवॉल परिधि)

लघु चैनल संतृप्ति धारा वीएलएसआई

जाओ लघु चैनल संतृप्ति धारा = चैनल की चौड़ाई*संतृप्ति इलेक्ट्रॉन बहाव वेग*प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*संतृप्ति नाली स्रोत वोल्टेज

जंक्शन करंट

जाओ जंक्शन करंट = (स्थैतिक शक्ति/बेस कलेक्टर वोल्टेज)-(उप दहलीज धारा+विवाद वर्तमान+गेट करंट)

भूतल क्षमता

जाओ सतही क्षमता = 2*स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

डीआईबीएल गुणांक

जाओ डीआईबीएल गुणांक = (दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल-सीमा वोल्टेज)/स्रोत क्षमता के लिए नाली

थ्रेशोल्ड वोल्टेज जब स्रोत बॉडी पोटेंशियल पर हो

जाओ दहलीज वोल्टेज डीआईबीएल = डीआईबीएल गुणांक*स्रोत क्षमता के लिए नाली+सीमा वोल्टेज

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस का उपयोग करके गेट की लंबाई

जाओ गेट की लंबाई = गेट कैपेसिटेंस/(गेट ऑक्साइड परत की धारिता*गेट की चौड़ाई)

गेट ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ गेट ऑक्साइड परत की धारिता = गेट कैपेसिटेंस/(गेट की चौड़ाई*गेट की लंबाई)

सबथ्रेशोल्ड ढलान

जाओ उप दहलीज ढलान = स्रोत शारीरिक संभावित अंतर*डीआईबीएल गुणांक*ln(10)

गेट कैपेसिटेंस

जाओ गेट कैपेसिटेंस = चैनल चार्ज/(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

सीमा वोल्टेज

जाओ सीमा वोल्टेज = गेट टू चैनल वोल्टेज-(चैनल चार्ज/गेट कैपेसिटेंस)

चैनल चार्ज

जाओ चैनल चार्ज = गेट कैपेसिटेंस*(गेट टू चैनल वोल्टेज-सीमा वोल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद ऑक्साइड कैपेसिटेंस = प्रति इकाई क्षेत्र ऑक्साइड धारिता*मापन कारक

गंभीर वोल्टेज

जाओ गंभीर वोल्टेज = क्रिटिकल इलेक्ट्रिक फील्ड*चैनल की लंबाई के पार विद्युत क्षेत्र

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद गेट ऑक्साइड की मोटाई = गेट ऑक्साइड की मोटाई/मापन कारक

आंतरिक गेट क्षमता

जाओ एमओएस गेट ओवरलैप कैपेसिटेंस = एमओएस गेट कैपेसिटेंस*संक्रमण चौड़ाई

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की चौड़ाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की चौड़ाई = चैनल की चौड़ाई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद जंक्शन गहराई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद जंक्शन की गहराई = जंक्शन गहराई/मापन कारक

पूर्ण स्केलिंग वीएलएसआई के बाद चैनल की लंबाई

जाओ पूर्ण स्केलिंग के बाद चैनल की लंबाई = चैनल की लंबाई/मापन कारक

मॉसफेट में गतिशीलता

जाओ MOSFET में गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साइड परत की धारिता

के-प्राइम

जाओ के प्राइम = MOSFET में गतिशीलता*गेट ऑक्साइड परत की धारिता

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई सूत्र

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई की गणना कैसे करें?

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई के लिए ऑनलाइन कैलकुलेटर पर, कृपया तापमान (T), तापमान दर्शाता है कि कोई वस्तु या वातावरण कितना गर्म या ठंडा है। के रूप में, स्वीकर्ता एकाग्रता (N_A), स्वीकर्ता एकाग्रता एक अर्धचालक सामग्री में स्वीकर्ता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करती है। के रूप में, दाता एकाग्रता (N_D), दाता एकाग्रता से तात्पर्य मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ाने के लिए अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता से है। के रूप में & आंतरिक एकाग्रता (N_i), आंतरिक एकाग्रता थर्मल संतुलन पर एक आंतरिक अर्धचालक में चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन और छेद) की एकाग्रता को संदर्भित करती है। के रूप में डालें। कृपया जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई गणना को पूर्ण करने के लिए कैलकुलेट बटन का उपयोग करें।

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई गणना

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई कैलकुलेटर, जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज की गणना करने के लिए Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2) का उपयोग करता है। जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई Ø₀ को जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है। के रूप में परिभाषित किया गया है। यहाँ जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई गणना को संख्या में समझा जा सकता है - 0.754632 = ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2). आप और अधिक जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई उदाहरण यहाँ देख सकते हैं -

FAQ

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई क्या है?

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है। है और इसे Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) या Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2) के रूप में दर्शाया जाता है।

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई की गणना कैसे करें?

जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई को जंक्शन बिल्ट-इन वोल्टेज वीएलएसआई फॉर्मूला को उस वोल्टेज के रूप में परिभाषित किया गया है जो थर्मल संतुलन में अर्धचालक जंक्शन पर मौजूद है, जहां कोई बाहरी वोल्टेज लागू नहीं होता है। Junction Built-in Voltage = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकर्ता एकाग्रता*दाता एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2) Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) के रूप में परिभाषित किया गया है। जंक्शन अंतर्निर्मित वोल्टेज वीएलएसआई की गणना करने के लिए, आपको तापमान (T), स्वीकर्ता एकाग्रता (N_A), दाता एकाग्रता (N_D) & आंतरिक एकाग्रता (N_i) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको तापमान दर्शाता है कि कोई वस्तु या वातावरण कितना गर्म या ठंडा है।, स्वीकर्ता एकाग्रता एक अर्धचालक सामग्री में स्वीकर्ता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता को संदर्भित करती है।, दाता एकाग्रता से तात्पर्य मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या बढ़ाने के लिए अर्धचालक सामग्री में पेश किए गए दाता डोपेंट परमाणुओं की एकाग्रता से है। & आंतरिक एकाग्रता थर्मल संतुलन पर एक आंतरिक अर्धचालक में चार्ज वाहक (इलेक्ट्रॉन और छेद) की एकाग्रता को संदर्भित करती है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।

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