ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट कैलकुलेटर

ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट को ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज ड्रॉप डिवाइस में सेमीकंडक्टर सामग्री के प्रतिरोध के साथ-साथ बॉन्ड तारों और अन्य आंतरिक कनेक्शन के प्रतिरोध के कारण होता है। आईजीबीटी ऑन-स्टेट में वोल्टेज ड्रॉप को कम ऑन-स्टेट प्रतिरोध वाले बड़े उपकरण का उपयोग करके कम किया जा सकता है। वोल्टेज ड्रॉप को कम करने का दूसरा तरीका डिवाइस के माध्यम से बहने वाले करंट को कम करना है। Voltage Drop ON Stage = आगे प्रवाह*एन चैनल प्रतिरोध+आगे प्रवाह*बहाव प्रतिरोध+वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 V_drop = I_f*R_ch+I_f*R_d+V_j1 के रूप में परिभाषित किया गया है। ऑन-स्टेट में आईजीबीटी में वोल्टेज में गिरावट की गणना करने के लिए, आपको आगे प्रवाह (I_f), एन चैनल प्रतिरोध (R_ch), बहाव प्रतिरोध (R_d) & वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 (V_j1) की आवश्यकता है। हमारे टूल के द्वारा, आपको आईजीबीटी का फॉरवर्ड करंट वह अधिकतम करंट है जो चालू होने पर डिवाइस के माध्यम से प्रवाहित हो सकता है।, आईजीबीटी का एन चैनल प्रतिरोध आईजीबीटी चालू होने पर डिवाइस में अर्धचालक सामग्री का प्रतिरोध है।, आईजीबीटी का बहाव प्रतिरोध डिवाइस में अर्धचालक सामग्री का एन-बहाव क्षेत्र है। एन-बहाव क्षेत्र एक मोटा डोप्ड सिलिकॉन है जो कलेक्टर को पी-बेस क्षेत्र से अलग करता है। & वोल्टेज पीएन जंक्शन 1 जंक्शन पर मौजूद संभावित अवरोध के कारण होता है। यह संभावित अवरोध जंक्शन पर आवेश वाहकों के प्रसार द्वारा निर्मित होता है। के लिए संबंधित मान दर्ज करने और कैलकुलेट बटन को क्लिक करने की आवश्यकता है।