Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo in NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.ⓘ Tensione sorgente gate [V_gs]			+10% -10%
✖La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.ⓘ Soglia di voltaggio [V_T]			+10% -10%

✖La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).ⓘ Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione [I_d]

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Formula

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Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Formula

`"I"_{"d"} = 1/2*"k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"gs"}-"V"_{"T"})^2`

Esempio

`"239.7013mA"=1/2*"2mS"*"10μm"/"3μm"*("10.3V"-"1.82V")^2`

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Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2
I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2
Questa formula utilizza 6 Variabili

Variabili utilizzate

Assorbimento di corrente in NMOS - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain in NMOS è la corrente elettrica che scorre dal drain alla sorgente di un transistor ad effetto di campo (FET) o di un transistor ad effetto di campo a semiconduttore di ossido di metallo (MOSFET).
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Tensione sorgente gate - (Misurato in Volt) - Il Gate Source Voltage è la tensione che cade attraverso il terminale gate-source del transistor.
Soglia di voltaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di soglia, nota anche come tensione di soglia del gate o semplicemente Vth, è un parametro critico nel funzionamento dei transistor ad effetto di campo, componenti fondamentali dell'elettronica moderna.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza di processo in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 metro (Controlla la conversione qui)
Tensione sorgente gate: 10.3 Volt --> 10.3 Volt Nessuna conversione richiesta
Soglia di voltaggio: 1.82 Volt --> 1.82 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_d = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_gs-V_T)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(10.3-1.82)^2

Valutare ... ...

I_d = 0.239701333333333

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.239701333333333 Ampere -->239.701333333333 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

239.701333333333 ≈ 239.7013 Millampere <-- Assorbimento di corrente in NMOS

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)

Effetto corpo in NMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

NMOS come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Potenza totale fornita in NMOS

Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni

Potenza totale dissipata in NMOS

Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale

Capacità di ossido di NMOS

Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione Formula

Cos'è la corrente di drenaggio nei MOSFET?

La corrente di drain al di sotto della tensione di soglia è definita come corrente di sottosoglia e varia esponenzialmente con Vgs. Il reciproco della caratteristica della pendenza del log (Ids) rispetto a Vgs è definito come pendenza della sottosoglia, S, ed è una delle metriche delle prestazioni più critiche per i MOSFET nelle applicazioni logiche.

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