सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
हे सूत्र 1 स्थिर, 5 व्हेरिएबल्स वापरते
सतत वापरलेले
[BoltZ] - बोल्ट्झमन स्थिर मूल्य घेतले म्हणून 1.38064852E-23
व्हेरिएबल्स वापरलेले
CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता - (मध्ये मोजली फॅरड) - CMOS मधील प्रभावी कॅपेसिटन्स हे कंडक्टरवर साठवलेल्या इलेक्ट्रिक चार्जच्या प्रमाणात विद्युत क्षमतेमधील फरकाचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
कार्यकालचक्र - ड्युटी सायकल किंवा पॉवर सायकल हा एका कालावधीचा अंश आहे ज्यामध्ये सिग्नल किंवा सिस्टम सक्रिय आहे.
चालू बंद - (मध्ये मोजली अँपिअर) - स्विचचा ऑफ करंट हे वास्तवात अस्तित्वात नसलेले मूल्य आहे. रिअल स्विचेसमध्ये सामान्यतः खूप लहान बंद प्रवाह असतो ज्याला काही वेळा गळती करंट म्हणतात.
बेस कलेक्टर व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टर बायसिंगमध्ये बेस कलेक्टर व्होल्टेज हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. हे ट्रान्झिस्टरच्या सक्रिय स्थितीत असताना बेस आणि कलेक्टर टर्मिनल्समधील व्होल्टेजच्या फरकाचा संदर्भ देते.
गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ - क्रिटिकल पाथवरील गेट्सची व्याख्या CMOS मध्ये एका चक्राच्या वेळी आवश्यक असलेल्या लॉजिक गेटची एकूण संख्या म्हणून केली जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
कार्यकालचक्र: 1.3E-25 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चालू बंद: 0.01 मिलीअँपिअर --> 1E-05 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
बेस कलेक्टर व्होल्टेज: 2.02 व्होल्ट --> 2.02 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ: 0.95 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
5.13789525162511E-06 फॅरड -->5.13789525162511 मायक्रोफरॅड (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
5.13789525162511 5.137895 मायक्रोफरॅड <-- CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता
(गणना 00.008 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित शोभित दिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट
शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

CMOS सर्किट वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

CMOS क्रिटिकल व्होल्टेज
​ LaTeX ​ जा CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*मीन फ्री पाथ
CMOS म्हणजे फ्री पाथ
​ LaTeX ​ जा मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र
​ LaTeX ​ जा स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
स्त्रोत प्रसाराची रुंदी
​ LaTeX ​ जा संक्रमण रुंदी = स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र/स्त्रोताची लांबी

सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स सुत्र

​LaTeX ​जा
CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

सबथ्रेल्ड वाहक म्हणजे काय?

ट्रान्झिस्टर सबथ्रेल्डहोल्ड प्रदेशात किंवा कमकुवत-व्युत्पन्न प्रदेशात असतो म्हणजेच थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली गेट-टू-सोर्स व्होल्टेजसाठी असतो तेव्हा सबथ्रेश्ड वाहक किंवा सबथ्रेल्ड लीकेज किंवा सबथ्रेल्ड रिसाव किंवा सबथ्रेशोल्ड ड्रेन प्रवाह एक एमओएसएफईटीच्या स्त्रोत आणि ड्रेन दरम्यान विद्युत् असतो.

© 2016-2026 calculatoratoz.com A softUsvista Inc. venture!



Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!