सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)
हे सूत्र 1 स्थिर, 5 व्हेरिएबल्स वापरते
सतत वापरलेले
[BoltZ] - बोल्ट्झमन स्थिर मूल्य घेतले म्हणून 1.38064852E-23
व्हेरिएबल्स वापरलेले
CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता - (मध्ये मोजली फॅरड) - CMOS मधील प्रभावी कॅपेसिटन्स हे कंडक्टरवर साठवलेल्या इलेक्ट्रिक चार्जच्या प्रमाणात विद्युत क्षमतेमधील फरकाचे गुणोत्तर म्हणून परिभाषित केले जाते.
कार्यकालचक्र - ड्युटी सायकल किंवा पॉवर सायकल हा एका कालावधीचा अंश आहे ज्यामध्ये सिग्नल किंवा सिस्टम सक्रिय आहे.
चालू बंद - (मध्ये मोजली अँपिअर) - स्विचचा ऑफ करंट हे वास्तवात अस्तित्वात नसलेले मूल्य आहे. रिअल स्विचेसमध्ये सामान्यतः खूप लहान बंद प्रवाह असतो ज्याला काही वेळा गळती करंट म्हणतात.
बेस कलेक्टर व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टर बायसिंगमध्ये बेस कलेक्टर व्होल्टेज हे एक महत्त्वाचे पॅरामीटर आहे. हे ट्रान्झिस्टरच्या सक्रिय स्थितीत असताना बेस आणि कलेक्टर टर्मिनल्समधील व्होल्टेजच्या फरकाचा संदर्भ देते.
गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ - क्रिटिकल पाथवरील गेट्सची व्याख्या CMOS मध्ये एका चक्राच्या वेळी आवश्यक असलेल्या लॉजिक गेटची एकूण संख्या म्हणून केली जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
कार्यकालचक्र: 1.3E-25 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चालू बंद: 0.01 मिलीअँपिअर --> 1E-05 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
बेस कलेक्टर व्होल्टेज: 2.02 व्होल्ट --> 2.02 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ: 0.95 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc) --> 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Ceff = 5.13789525162511E-06
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
5.13789525162511E-06 फॅरड -->5.13789525162511 मायक्रोफरॅड (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
5.13789525162511 5.137895 मायक्रोफरॅड <-- CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित शोभित दिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट
शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 CMOS सर्किट वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स
​ जा CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
ऑक्साइड लेयरची परवानगी
​ जा ऑक्साइड लेयरची परवानगी = ऑक्साईड थर जाडी*इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)
ऑक्साईड थर जाडी
​ जा ऑक्साईड थर जाडी = ऑक्साइड लेयरची परवानगी*गेट रुंदी*गेटची लांबी/इनपुट गेट कॅपेसिटन्स
गेटची रुंदी
​ जा गेट रुंदी = इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेटची लांबी)
स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती
​ जा स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती = (2*संक्रमण रुंदी)+(2*स्त्रोताची लांबी)
किमान EDP वर व्होल्टेज
​ जा किमान EDP वर व्होल्टेज = (3*थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/(3-क्रियाकलाप घटक)
CMOS ची संक्रमण रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/एमओएस गेट कॅपेसिटन्स
CMOS क्रिटिकल व्होल्टेज
​ जा CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*मीन फ्री पाथ
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
​ जा गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संपृक्तता)/इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
CMOS म्हणजे फ्री पाथ
​ जा मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
क्षीणता प्रदेश रुंदी
​ जा क्षीणता प्रदेश रुंदी = पीएन जंक्शन लांबी-प्रभावी चॅनेलची लांबी
प्रभावी चॅनेल लांबी
​ जा प्रभावी चॅनेलची लांबी = पीएन जंक्शन लांबी-क्षीणता प्रदेश रुंदी
पीएन जंक्शन लांबी
​ जा पीएन जंक्शन लांबी = क्षीणता प्रदेश रुंदी+प्रभावी चॅनेलची लांबी
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र
​ जा स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
स्त्रोत प्रसाराची रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र/स्त्रोताची लांबी

सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स सुत्र

CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
Ceff = D*(ioff*(10^(Vbc)))/(Ng*[BoltZ]*Vbc)

सबथ्रेल्ड वाहक म्हणजे काय?

ट्रान्झिस्टर सबथ्रेल्डहोल्ड प्रदेशात किंवा कमकुवत-व्युत्पन्न प्रदेशात असतो म्हणजेच थ्रेशोल्ड व्होल्टेजच्या खाली गेट-टू-सोर्स व्होल्टेजसाठी असतो तेव्हा सबथ्रेश्ड वाहक किंवा सबथ्रेल्ड लीकेज किंवा सबथ्रेल्ड रिसाव किंवा सबथ्रेशोल्ड ड्रेन प्रवाह एक एमओएसएफईटीच्या स्त्रोत आणि ड्रेन दरम्यान विद्युत् असतो.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!