IGBT चे संपृक्तता व्होल्टेज कॅल्क्युलेटर

✖पीएनपी ट्रान्झिस्टरआयजीबीटीचा बेस एमिटर व्होल्टेज. IGBT हे एक हायब्रिड उपकरण आहे जे MOSFET आणि BJT चे फायदे एकत्र करते.ⓘ पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा बेस एमिटर व्होल्टेज [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖ड्रेन करंट हा प्रवाह आहे जो MOSFET आणि IGBT च्या ड्रेन जंक्शनमधून वाहतो.ⓘ ड्रेन करंट [I_d]			+10% -10%
✖चालकता प्रतिकार IGBT हा IGBT चालू असताना आणि विद्युत प्रवाह चालवताना प्रतिरोध असतो.ⓘ चालकता प्रतिकार IGBT [R_s]			+10% -10%
✖IGBT चा N चॅनल रेझिस्टन्स म्हणजे IGBT चालू असताना यंत्रातील सेमीकंडक्टर मटेरियलचा प्रतिकार.ⓘ एन चॅनेल प्रतिकार [R_ch]			+10% -10%

✖इन्सुलेटेड-गेट बायपोलर ट्रान्झिस्टर (IGBT) चा कलेक्टर टू एमिटर सॅचुरेशन व्होल्टेज हा IGBT वर चालू असताना आणि विद्युत प्रवाह चालवताना व्होल्टेज ड्रॉप आहे.ⓘ IGBT चे संपृक्तता व्होल्टेज [V_c-e(sat)]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

IGBT चे संपृक्तता व्होल्टेज

सुत्र

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

उदाहरण

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स सुत्र PDF PDF Image

IGBT चे संपृक्तता व्होल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

कलेक्टर ते एमिटर सॅच्युरेशन व्होल्टेज = पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा बेस एमिटर व्होल्टेज+ड्रेन करंट*(चालकता प्रतिकार IGBT+एन चॅनेल प्रतिकार)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

कलेक्टर ते एमिटर सॅच्युरेशन व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - इन्सुलेटेड-गेट बायपोलर ट्रान्झिस्टर (IGBT) चा कलेक्टर टू एमिटर सॅचुरेशन व्होल्टेज हा IGBT वर चालू असताना आणि विद्युत प्रवाह चालवताना व्होल्टेज ड्रॉप आहे.
पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा बेस एमिटर व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पीएनपी ट्रान्झिस्टरआयजीबीटीचा बेस एमिटर व्होल्टेज. IGBT हे एक हायब्रिड उपकरण आहे जे MOSFET आणि BJT चे फायदे एकत्र करते.
ड्रेन करंट - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंट हा प्रवाह आहे जो MOSFET आणि IGBT च्या ड्रेन जंक्शनमधून वाहतो.
चालकता प्रतिकार IGBT - (मध्ये मोजली ओहम) - चालकता प्रतिकार IGBT हा IGBT चालू असताना आणि विद्युत प्रवाह चालवताना प्रतिरोध असतो.
एन चॅनेल प्रतिकार - (मध्ये मोजली ओहम) - IGBT चा N चॅनल रेझिस्टन्स म्हणजे IGBT चालू असताना यंत्रातील सेमीकंडक्टर मटेरियलचा प्रतिकार.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा बेस एमिटर व्होल्टेज: 2.15 व्होल्ट --> 2.15 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
ड्रेन करंट: 105 मिलीअँपिअर --> 0.105 अँपिअर (रूपांतरण तपासा येथे)
चालकता प्रतिकार IGBT: 1.03 किलोहम --> 1030 ओहम (रूपांतरण तपासा येथे)
एन चॅनेल प्रतिकार: 10.59 किलोहम --> 10590 ओहम (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

1222.25 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

1222.25 व्होल्ट <-- कलेक्टर ते एमिटर सॅच्युरेशन व्होल्टेज

(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » विद्युत » पॉवर इलेक्ट्रॉनिक्स » प्रगत ट्रान्झिस्टर उपकरणे » IGBT » IGBT चे संपृक्तता व्होल्टेज

जमा

ने निर्मित मोहम्मद फाझिल व्ही

आचार्य इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (AIT), बेंगळुरू

मोहम्मद फाझिल व्ही यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित परमिंदर सिंग

चंदीगड विद्यापीठ (CU), पंजाब

परमिंदर सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 500+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 8 IGBT कॅल्क्युलेटर

IGBT चे नाममात्र सतत कलेक्टर चालू

जा फॉरवर्ड करंट = (-कलेक्टर आणि एमिटरचे एकूण व्होल्टेज+sqrt((कलेक्टर आणि एमिटरचे एकूण व्होल्टेज)^2+4*कलेक्टर आणि एमिटरचा प्रतिकार*((कमाल ऑपरेटिंग जंक्शन-केस तापमान)/थर्मल प्रतिकार)))/(2*कलेक्टर आणि एमिटरचा प्रतिकार)

चालू स्थितीत IGBT मध्ये व्होल्टेज ड्रॉप

जा स्टेजवर व्होल्टेज ड्रॉप = फॉरवर्ड करंट*एन चॅनेल प्रतिकार+फॉरवर्ड करंट*वाहून नेणे प्रतिकार+व्होल्टेज पीएन जंक्शन 1

IGBT चे संपृक्तता व्होल्टेज

जा कलेक्टर ते एमिटर सॅच्युरेशन व्होल्टेज = पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा बेस एमिटर व्होल्टेज+ड्रेन करंट*(चालकता प्रतिकार IGBT+एन चॅनेल प्रतिकार)

IGBT बंद करण्याची वेळ

जा वेळ बंद करा = विलंब वेळ+प्रारंभिक पतन वेळ+अंतिम पतन वेळ

IGBT मध्ये जास्तीत जास्त पॉवर डिसिपेशन

जा जास्तीत जास्त पॉवर डिसिपेशन = कमाल ऑपरेटिंग जंक्शन/जंक्शन ते केस अँगल

IGBT च्या फॉरवर्ड बायस्डचा ब्रेकडाउन व्होल्टेज

जा सुरक्षित ऑपरेटिंग क्षेत्रावरील ब्रेकडाउन व्होल्टेज = (5.34*10^13)/((निव्वळ सकारात्मक शुल्क)^(3/4))

IGBT ची इनपुट क्षमता

जा इनपुट कॅपेसिटन्स = एमिटर कॅपेसिटन्सचे गेट+कलेक्टर कॅपेसिटन्सचे गेट