Calculadora Voltaje de saturación de IGBT

✖Voltaje base del emisor del transistor PNP IGBT. Un IGBT es un dispositivo híbrido que combina las ventajas de un MOSFET y un BJT.ⓘ Voltaje base del emisor del transistor PNP [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖La corriente de drenaje es la corriente que fluye a través de la unión de drenaje del MOSFET y el IGBT.ⓘ Corriente de drenaje [I_d]			+10% -10%
✖La resistencia a la conductividad es la resistencia de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) cuando está encendido y conduciendo corriente.ⓘ Resistencia a la conductividad [R_s]			+10% -10%
✖La resistencia del canal N de un IGBT es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.ⓘ Resistencia del canal N [R_ch]			+10% -10%

✖El voltaje de saturación de colector a emisor de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente.ⓘ Voltaje de saturación de IGBT [V_c-e(sat)]

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Fórmula

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Voltaje de saturación de IGBT

Fórmula

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

Ejemplo

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

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Voltaje de saturación de IGBT Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje de saturación de colector a emisor = Voltaje base del emisor del transistor PNP+Corriente de drenaje*(Resistencia a la conductividad+Resistencia del canal N)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
Esta fórmula usa 5 Variables

Variables utilizadas

Voltaje de saturación de colector a emisor - (Medido en Voltio) - El voltaje de saturación de colector a emisor de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) es la caída de voltaje a través del IGBT cuando está encendido y conduciendo corriente.
Voltaje base del emisor del transistor PNP - (Medido en Voltio) - Voltaje base del emisor del transistor PNP IGBT. Un IGBT es un dispositivo híbrido que combina las ventajas de un MOSFET y un BJT.
Corriente de drenaje - (Medido en Amperio) - La corriente de drenaje es la corriente que fluye a través de la unión de drenaje del MOSFET y el IGBT.
Resistencia a la conductividad - (Medido en Ohm) - La resistencia a la conductividad es la resistencia de un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) cuando está encendido y conduciendo corriente.
Resistencia del canal N - (Medido en Ohm) - La resistencia del canal N de un IGBT es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Voltaje base del emisor del transistor PNP: 2.15 Voltio --> 2.15 Voltio No se requiere conversión
Corriente de drenaje: 105 Miliamperio --> 0.105 Amperio (Verifique la conversión aquí)
Resistencia a la conductividad: 1.03 kilohmios --> 1030 Ohm (Verifique la conversión aquí)
Resistencia del canal N: 10.59 kilohmios --> 10590 Ohm (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Evaluar ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

1222.25 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

1222.25 Voltio <-- Voltaje de saturación de colector a emisor

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Mohamed Fazil V

instituto de tecnología acharya (AIT), Bangalore

¡Mohamed Fazil V ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por parminder singh

Universidad de Chandigarh (CU), Punjab

¡parminder singh ha verificado esta calculadora y 600+ más calculadoras!

< 8 IGBT Calculadoras

Corriente nominal de colector continuo de IGBT

Vamos Corriente directa = (-Voltaje total del colector y emisor+sqrt((Voltaje total del colector y emisor)^2+4*Resistencia del colector y del emisor.*((Unión máxima de funcionamiento-Temperatura de la caja)/Resistencia termica)))/(2*Resistencia del colector y del emisor.)

Caída de voltaje en IGBT en estado ON

Vamos Caída de voltaje en el escenario = Corriente directa*Resistencia del canal N+Corriente directa*Resistencia a la deriva+Tensión Pn Unión 1

Voltaje de saturación de IGBT

Vamos Voltaje de saturación de colector a emisor = Voltaje base del emisor del transistor PNP+Corriente de drenaje*(Resistencia a la conductividad+Resistencia del canal N)

Tiempo de apagado del IGBT

Vamos Hora de apagado = Tiempo de retardo+Tiempo de caída inicial+Tiempo de caída final

Capacitancia de entrada de IGBT

Vamos Capacitancia de entrada = Capacitancia de puerta a emisor+Capacitancia de puerta a colector

Máxima disipación de potencia en IGBT

Vamos Disipación de potencia máxima = Unión máxima de funcionamiento/Ángulo de unión a caja

Corriente del emisor de IGBT

Vamos Corriente del emisor = Corriente del agujero+Corriente Electrónica

Tensión de ruptura de polarización directa de IGBT

Vamos Tensión de ruptura en el área de operación segura = (5.34*10^13)/((Cargo neto positivo)^(3/4))

Voltaje de saturación de IGBT Fórmula

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