Verzadigingsspanning van IGBT Rekenmachine

✖Basis-emitterspanning van PNP-transistorIGBT. Een IGBT is een hybride apparaat dat de voordelen van een MOSFET en een BJT combineert.ⓘ Basis-emitterspanning van PNP-transistor [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖Afvoerstroom is de stroom die door de afvoerovergang van de MOSFET en IGBT stroomt.ⓘ Afvoerstroom [I_d]			+10% -10%
✖Geleidbaarheidsweerstand is de weerstand van een bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) wanneer deze is ingeschakeld en stroom geleidt.ⓘ Geleidbaarheid weerstand [R_s]			+10% -10%
✖N-kanaalweerstand van een IGBT is de weerstand van het halfgeleidermateriaal in het apparaat wanneer de IGBT is ingeschakeld.ⓘ N-kanaal weerstand [R_ch]			+10% -10%

✖Collector-emitter-verzadigingsspanning van een bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) is de spanningsval over de IGBT wanneer deze is ingeschakeld en stroom geleidt.ⓘ Verzadigingsspanning van IGBT [V_c-e(sat)]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Verzadigingsspanning van IGBT

Formule

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

Voorbeeld

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Vermogenselektronica Formule Pdf PDF Image

Verzadigingsspanning van IGBT Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Verzadigingsspanning van collector naar emitter - (Gemeten in Volt) - Collector-emitter-verzadigingsspanning van een bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) is de spanningsval over de IGBT wanneer deze is ingeschakeld en stroom geleidt.
Basis-emitterspanning van PNP-transistor - (Gemeten in Volt) - Basis-emitterspanning van PNP-transistorIGBT. Een IGBT is een hybride apparaat dat de voordelen van een MOSFET en een BJT combineert.
Afvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Afvoerstroom is de stroom die door de afvoerovergang van de MOSFET en IGBT stroomt.
Geleidbaarheid weerstand - (Gemeten in Ohm) - Geleidbaarheidsweerstand is de weerstand van een bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT) wanneer deze is ingeschakeld en stroom geleidt.
N-kanaal weerstand - (Gemeten in Ohm) - N-kanaalweerstand van een IGBT is de weerstand van het halfgeleidermateriaal in het apparaat wanneer de IGBT is ingeschakeld.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Basis-emitterspanning van PNP-transistor: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Geen conversie vereist
Afvoerstroom: 105 milliampère --> 0.105 Ampère (Bekijk de conversie hier)
Geleidbaarheid weerstand: 1.03 Kilohm --> 1030 Ohm (Bekijk de conversie hier)
N-kanaal weerstand: 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Evalueren ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1222.25 Volt --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1222.25 Volt <-- Verzadigingsspanning van collector naar emitter

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektrisch » Vermogenselektronica » Geavanceerde transistorapparaten » IGBT » Verzadigingsspanning van IGBT

Credits

Gemaakt door Mohammed Fazil V

Acharya instituut voor technologie (AIT), Bengaluru

Mohammed Fazil V heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 8 IGBT Rekenmachines

Nominale continue collectorstroom van IGBT

Gaan Voorwaartse stroming = (-Totale spanning van collector en emitter+sqrt((Totale spanning van collector en emitter)^2+4*Weerstand van collector en emitter*((Maximaal operationeel kruispunt-Temperatuur behuizing)/Thermische weerstand)))/(2*Weerstand van collector en emitter)

Spanningsdaling in IGBT in AAN-status

Gaan Spanningsdaling OP het podium = Voorwaartse stroming*N-kanaal weerstand+Voorwaartse stroming*Weerstand tegen drift+Spanning Pn-verbinding 1

Verzadigingsspanning van IGBT

Gaan Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)

IGBT-uitschakeltijd

Gaan Schakel de tijd UIT = Vertragingstijd+Initiële herfsttijd+Laatste herfsttijd

Maximale vermogensdissipatie in IGBT

Gaan Maximale vermogensdissipatie = Maximaal operationeel kruispunt/Verbinding met hoek van behuizing

Ingangscapaciteit van IGBT

Gaan Ingangscapaciteit = Poort naar emittercapaciteit+Poort naar collectorcapaciteit

Doorslagspanning van voorwaartse bias van IGBT

Gaan Doorslagspanning op veilig werkgebied = (5.34*10^13)/((Netto positieve lading)^(3/4))

Emitterstroom van IGBT

Gaan Zenderstroom = Gatenstroom+Elektronische stroom

Verzadigingsspanning van IGBT Formule

Verzadigingsspanning van collector naar emitter = Basis-emitterspanning van PNP-transistor+Afvoerstroom*(Geleidbaarheid weerstand+N-kanaal weerstand)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!