Sättigungsspannung des IGBT Taschenrechner

✖Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors IGBT. Ein IGBT ist ein Hybridgerät, das die Vorteile eines MOSFET und eines BJT vereint.ⓘ Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.ⓘ Stromverbrauch [I_d]			+10% -10%
✖Der Leitfähigkeitswiderstand ist der Widerstand eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (IGBT), wenn er eingeschaltet ist und Strom leitet.ⓘ Leitfähigkeitswiderstand [R_s]			+10% -10%
✖Der N-Kanal-Widerstand eines IGBT ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.ⓘ N-Kanal-Widerstand [R_ch]			+10% -10%

✖Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (IGBT) ist der Spannungsabfall am IGBT, wenn er eingeschaltet ist und Strom leitet.ⓘ Sättigungsspannung des IGBT [V_c-e(sat)]

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Formel

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Sättigungsspannung des IGBT

Formel

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

Beispiel

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

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Sättigungsspannung des IGBT Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung - (Gemessen in Volt) - Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (IGBT) ist der Spannungsabfall am IGBT, wenn er eingeschaltet ist und Strom leitet.
Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors - (Gemessen in Volt) - Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors IGBT. Ein IGBT ist ein Hybridgerät, das die Vorteile eines MOSFET und eines BJT vereint.
Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.
Leitfähigkeitswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Leitfähigkeitswiderstand ist der Widerstand eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate (IGBT), wenn er eingeschaltet ist und Strom leitet.
N-Kanal-Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der N-Kanal-Widerstand eines IGBT ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Stromverbrauch: 105 Milliampere --> 0.105 Ampere (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Leitfähigkeitswiderstand: 1.03 Kiloohm --> 1030 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)
N-Kanal-Widerstand: 10.59 Kiloohm --> 10590 Ohm (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Auswerten ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1222.25 Volt --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1222.25 Volt <-- Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 8 IGBT Taschenrechner

Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

Gehen Vorwärtsstrom = (-Gesamtspannung von Kollektor und Emitter+sqrt((Gesamtspannung von Kollektor und Emitter)^2+4*Widerstand von Kollektor und Emitter*((Maximaler Betriebsknotenpunkt-Gehäusetemperatur)/Wärmewiderstand)))/(2*Widerstand von Kollektor und Emitter)

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Gehen Spannungsabfall auf der Stufe = Vorwärtsstrom*N-Kanal-Widerstand+Vorwärtsstrom*Driftwiderstand+Spannung PN-Anschluss 1

Sättigungsspannung des IGBT

Gehen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)

IGBT-Ausschaltzeit

Gehen Schalten Sie die Ausschaltzeit aus = Verzögerungszeit+Anfängliche Herbstzeit+Letzte Herbstzeit

Maximale Verlustleistung im IGBT

Gehen Maximale Verlustleistung = Maximaler Betriebsknotenpunkt/Kreuzung zum Case Angle

Eingangskapazität des IGBT

Gehen Eingangskapazität = Gate-Emitter-Kapazität+Gate-Kollektor-Kapazität

Durchbruchspannung des IGBT in Durchlassrichtung

Gehen Durchschlagsspannung im sicheren Betriebsbereich = (5.34*10^13)/((Positive Nettoladung)^(3/4))

Emitterstrom des IGBT

Gehen Emitterstrom = Lochstrom+Elektronischer Strom

Sättigungsspannung des IGBT Formel

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung = Basis-Emitter-Spannung des PNP-Transistors+Stromverbrauch*(Leitfähigkeitswiderstand+N-Kanal-Widerstand)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)

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