Tension de saturation de l'IGBT Calculatrice

✖Tension d'émetteur de base du transistor PNP IGBT. Un IGBT est un dispositif hybride qui combine les avantages d'un MOSFET et d'un BJT.ⓘ Tension de l'émetteur de base du transistor PNP [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.ⓘ Courant de vidange [I_d]			+10% -10%
✖La résistance de conductivité est la résistance d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) lorsqu'il est activé et conduit le courant.ⓘ Résistance à la conductivité [R_s]			+10% -10%
✖La résistance du canal N d'un IGBT est la résistance du matériau semi-conducteur dans l'appareil lorsque l'IGBT est allumé.ⓘ Résistance du canal N [R_ch]			+10% -10%

✖La tension de saturation du collecteur à l'émetteur d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est la chute de tension aux bornes de l'IGBT lorsqu'il est allumé et conduit le courant.ⓘ Tension de saturation de l'IGBT [V_c-e(sat)]

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Formule

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Tension de saturation de l'IGBT

Formule

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

Exemple

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

Calculatrice

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Tension de saturation de l'IGBT Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Tension de saturation du collecteur à l'émetteur = Tension de l'émetteur de base du transistor PNP+Courant de vidange*(Résistance à la conductivité+Résistance du canal N)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
Cette formule utilise 5 Variables

Variables utilisées

Tension de saturation du collecteur à l'émetteur - (Mesuré en Volt) - La tension de saturation du collecteur à l'émetteur d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) est la chute de tension aux bornes de l'IGBT lorsqu'il est allumé et conduit le courant.
Tension de l'émetteur de base du transistor PNP - (Mesuré en Volt) - Tension d'émetteur de base du transistor PNP IGBT. Un IGBT est un dispositif hybride qui combine les avantages d'un MOSFET et d'un BJT.
Courant de vidange - (Mesuré en Ampère) - Le courant de drain est le courant qui traverse la jonction de drain du MOSFET et de l'IGBT.
Résistance à la conductivité - (Mesuré en Ohm) - La résistance de conductivité est la résistance d'un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) lorsqu'il est activé et conduit le courant.
Résistance du canal N - (Mesuré en Ohm) - La résistance du canal N d'un IGBT est la résistance du matériau semi-conducteur dans l'appareil lorsque l'IGBT est allumé.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Tension de l'émetteur de base du transistor PNP: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Aucune conversion requise
Courant de vidange: 105 Milliampère --> 0.105 Ampère (Vérifiez la conversion ici)
Résistance à la conductivité: 1.03 Kilohm --> 1030 Ohm (Vérifiez la conversion ici)
Résistance du canal N: 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Évaluer ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1222.25 Volt --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1222.25 Volt <-- Tension de saturation du collecteur à l'émetteur

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ IGBT Calculatrices

Courant nominal continu du collecteur de l'IGBT

Aller Courant direct = (-Tension totale du collecteur et de l'émetteur+sqrt((Tension totale du collecteur et de l'émetteur)^2+4*Résistance du collecteur et de l'émetteur*((Jonction de fonctionnement maximale-Température du boîtier)/Résistance thermique)))/(2*Résistance du collecteur et de l'émetteur)

Tension de saturation de l'IGBT

Aller Tension de saturation du collecteur à l'émetteur = Tension de l'émetteur de base du transistor PNP+Courant de vidange*(Résistance à la conductivité+Résistance du canal N)

Chute de tension dans l'IGBT à l'état ON

Aller Chute de tension sur scène = Courant direct*Résistance du canal N+Courant direct*Résistance à la dérive+Tension Pn Jonction 1

Tension de claquage de la polarisation inverse de l'IGBT

Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = 5.34*10^13*((Courant total du collecteur)/(Charge électrique*Tension de saturation P Base))

Temps d'arrêt de l'IGBT

Aller Heure d'arrêt = Temporisation+Temps de chute initial+Dernière heure d'automne

Dissipation de puissance maximale dans l'IGBT

Aller Dissipation de puissance maximale = Jonction de fonctionnement maximale/Jonction à l'angle du boîtier

Capacité de sortie de l'IGBT

Aller Capacité de sortie = Capacité du collecteur à l’émetteur+Capacité porte à collecteur

Tension de claquage de la polarisation directe de l'IGBT

Aller Tension de claquage dans une zone de fonctionnement sûre = (5.34*10^13)/((Charge positive nette)^(3/4))

Capacité d'entrée de l'IGBT

Aller Capacité d'entrée = Capacité porte à émetteur+Capacité porte à collecteur

Courant émetteur de l'IGBT

Aller Courant de l'émetteur = Courant de trou+Courant électronique