Napięcie nasycenia IGBT Kalkulator

✖Napięcie emitera bazowego tranzystora PNP IBT. IGBT to urządzenie hybrydowe, które łączy w sobie zalety tranzystora MOSFET i BJT.ⓘ Napięcie emitera bazy tranzystora PNP [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖Prąd drenu to prąd przepływający przez złącze drenu MOSFET i IGBT.ⓘ Prąd spustowy [I_d]			+10% -10%
✖Rezystancja przewodności IGBT to rezystancja, gdy IGBT jest włączony i przewodzi prąd.ⓘ Odporność na przewodnictwo IGBT [R_s]			+10% -10%
✖Rezystancja kanału N IGBT to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.ⓘ Rezystancja kanału N [R_ch]			+10% -10%

✖Napięcie nasycenia kolektor-emiter w tranzystorze bipolarnym z izolowaną bramką (IGBT) to spadek napięcia na IGBT, gdy jest on włączony i przewodzi prąd.ⓘ Napięcie nasycenia IGBT [V_c-e(sat)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Napięcie nasycenia IGBT

Formuła

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

Przykład

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika mocy Formułę PDF PDF Image

Napięcie nasycenia IGBT Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Napięcie nasycenia kolektora-emitera - (Mierzone w Wolt) - Napięcie nasycenia kolektor-emiter w tranzystorze bipolarnym z izolowaną bramką (IGBT) to spadek napięcia na IGBT, gdy jest on włączony i przewodzi prąd.
Napięcie emitera bazy tranzystora PNP - (Mierzone w Wolt) - Napięcie emitera bazowego tranzystora PNP IBT. IGBT to urządzenie hybrydowe, które łączy w sobie zalety tranzystora MOSFET i BJT.
Prąd spustowy - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu to prąd przepływający przez złącze drenu MOSFET i IGBT.
Odporność na przewodnictwo IGBT - (Mierzone w Om) - Rezystancja przewodności IGBT to rezystancja, gdy IGBT jest włączony i przewodzi prąd.
Rezystancja kanału N - (Mierzone w Om) - Rezystancja kanału N IGBT to rezystancja materiału półprzewodnikowego w urządzeniu, gdy IGBT jest włączony.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Napięcie emitera bazy tranzystora PNP: 2.15 Wolt --> 2.15 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Prąd spustowy: 105 Miliamper --> 0.105 Amper (Sprawdź konwersję tutaj)
Odporność na przewodnictwo IGBT: 1.03 Kilohm --> 1030 Om (Sprawdź konwersję tutaj)
Rezystancja kanału N: 10.59 Kilohm --> 10590 Om (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Ocenianie ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

1222.25 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

1222.25 Wolt <-- Napięcie nasycenia kolektora-emitera

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektryczny » Elektronika mocy » Zaawansowane urządzenia tranzystorowe » IGBT » Napięcie nasycenia IGBT

Kredyty

Stworzone przez Mohamed Fazil W

Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru

Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 8 IGBT Kalkulatory

Nominalny ciągły prąd kolektora IGBT

Iść Prąd przewodzenia = (-Całkowite napięcie kolektora i emitera+sqrt((Całkowite napięcie kolektora i emitera)^2+4*Rezystancja kolektora i emitera*((Maksymalne złącze operacyjne-Temperatura obudowy)/Odporność termiczna)))/(2*Rezystancja kolektora i emitera)

Spadek napięcia na IGBT w stanie włączenia

Iść Spadek napięcia na stopniu = Prąd przewodzenia*Rezystancja kanału N+Prąd przewodzenia*Odporność na dryf+Złącze napięciowe Pn 1

Napięcie nasycenia IGBT

Iść Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)

Czas wyłączenia IGBT

Iść Wyłącz czas = Czas zwłoki+Początkowy czas opadania+Ostatni czas upadku

Maksymalne rozproszenie mocy w IGBT

Iść Maksymalne rozproszenie mocy = Maksymalne złącze operacyjne/Połączenie z kątem obudowy

Pojemność wejściowa IGBT

Iść Pojemność wejściowa = Bramka do pojemności emitera+Brama do pojemności kolektora

Napięcie przebicia polaryzacji przewodzenia IGBT

Iść Napięcie przebicia w bezpiecznym obszarze operacyjnym = (5.34*10^13)/((Dodatni ładunek netto)^(3/4))

Prąd emitera IGBT

Iść Prąd emitera = Prąd dziury+Prąd elektroniczny

Napięcie nasycenia IGBT Formułę

Napięcie nasycenia kolektora-emitera = Napięcie emitera bazy tranzystora PNP+Prąd spustowy*(Odporność na przewodnictwo IGBT+Rezystancja kanału N)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!