✖Tensão base do emissor do transistor PNPIGBT. Um IGBT é um dispositivo híbrido que combina as vantagens de um MOSFET e de um BJT.ⓘ Tensão base do emissor do transistor PNP [VB-E(pnp)] | | | +10% -10% |
✖Corrente de drenagem é a corrente que flui através da junção de drenagem do MOSFET e IGBT.ⓘ Corrente de drenagem [Id] | | | +10% -10% |
✖A resistência de condutividade é a resistência de um transistor bipolar de porta isolada (IGBT) quando está ligado e conduzindo corrente.ⓘ Resistência à Condutividade [Rs] | | | +10% -10% |
✖A resistência do canal N de um IGBT é a resistência do material semicondutor no dispositivo quando o IGBT está ligado.ⓘ Resistência do Canal N [Rch] | | | +10% -10% |