Напряжение насыщения IGBT Калькулятор

✖Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора IGBT. IGBT — это гибридное устройство, сочетающее в себе преимущества MOSFET и BJT.ⓘ Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖Ток стока — это ток, который течет через стоковой переход MOSFET и IGBT.ⓘ Ток стока [I_d]			+10% -10%
✖Сопротивление проводимости IGBT — это сопротивление, когда IGBT включен и проводит ток.ⓘ Сопротивление проводимости IGBT [R_s]			+10% -10%
✖Сопротивление N-канала IGBT — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.ⓘ Сопротивление N-канала [R_ch]			+10% -10%

✖Напряжение насыщения коллектор-эмиттер биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) — это падение напряжения на IGBT, когда он включен и проводит ток.ⓘ Напряжение насыщения IGBT [V_c-e(sat)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Напряжение насыщения IGBT

Формула

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

Пример

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Силовая электроника формула PDF PDF Image

Напряжение насыщения IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора+Ток стока*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер - (Измеряется в вольт) - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер биполярного транзистора с изолированным затвором (IGBT) — это падение напряжения на IGBT, когда он включен и проводит ток.
Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора - (Измеряется в вольт) - Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора IGBT. IGBT — это гибридное устройство, сочетающее в себе преимущества MOSFET и BJT.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока — это ток, который течет через стоковой переход MOSFET и IGBT.
Сопротивление проводимости IGBT - (Измеряется в ом) - Сопротивление проводимости IGBT — это сопротивление, когда IGBT включен и проводит ток.
Сопротивление N-канала - (Измеряется в ом) - Сопротивление N-канала IGBT — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора: 2.15 вольт --> 2.15 вольт Конверсия не требуется
Ток стока: 105 Миллиампер --> 0.105 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Сопротивление проводимости IGBT: 1.03 килоом --> 1030 ом (Проверьте преобразование здесь)
Сопротивление N-канала: 10.59 килоом --> 10590 ом (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Оценка ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1222.25 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1222.25 вольт <-- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » БТИЗ » Напряжение насыщения IGBT

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Идти Прямой ток = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера)^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера*((Максимальный рабочий переход-Температура корпуса)/Термическое сопротивление)))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера)

Напряжение насыщения IGBT

Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер = Базовое напряжение эмиттера PNP-транзистора+Ток стока*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала)

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Идти Падение напряжения на этапе = Прямой ток*Сопротивление N-канала+Прямой ток*Сопротивление дрейфу+Напряжение Pn-перехода 1

Время выключения IGBT

Идти Время выключения = Время задержки+Начальное время падения+Время последней осени

Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT

Идти Максимальная рассеиваемая мощность = Максимальный рабочий переход/Угол соединения с корпусом

Входная емкость IGBT

Идти Входная емкость = Емкость от затвора до эмиттера+Ворота к емкости коллектора

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Идти Пробивное напряжение в безопасной рабочей зоне = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд)^(3/4))

Ток эмиттера IGBT

Идти Ток эмиттера = Ток отверстия+Электронный ток

Напряжение насыщения IGBT формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!