Tensione di saturazione dell'IGBT calcolatrice

✖Tensione dell'emettitore base del transistor PNP IGBT. Un IGBT è un dispositivo ibrido che combina i vantaggi di un MOSFET e di un BJT.ⓘ Tensione dell'emettitore base del transistor PNP [V_B-E(pnp)]			+10% -10%
✖La corrente di drain è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del MOSFET e dell'IGBT.ⓘ Assorbimento di corrente [I_d]			+10% -10%
✖La resistenza di conduttività IGBT è la resistenza quando un IGBT è acceso e conduce corrente.ⓘ Conducibilità Resistenza IGBT [R_s]			+10% -10%
✖La resistenza del canale N di un IGBT è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.ⓘ Resistenza del canale N [R_ch]			+10% -10%

✖La tensione di saturazione dal collettore all'emettitore di un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è la caduta di tensione ai capi dell'IGBT quando è acceso e conduce corrente.ⓘ Tensione di saturazione dell'IGBT [V_c-e(sat)]

⎘ Copia

👎

Formula

✖

Tensione di saturazione dell'IGBT

Formula

`"V"_{"c-e(sat)"} = "V"_{"B-E(pnp)"}+"I"_{"d"}*("R"_{"s"}+"R"_{"ch"})`

Esempio

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

Calcolatrice

LaTeX

Ripristina

👍

Scaricamento Elettronica di potenza Formula PDF PDF Image

Tensione di saturazione dell'IGBT Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore = Tensione dell'emettitore base del transistor PNP+Assorbimento di corrente*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza del canale N)
V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch)
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore - (Misurato in Volt) - La tensione di saturazione dal collettore all'emettitore di un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) è la caduta di tensione ai capi dell'IGBT quando è acceso e conduce corrente.
Tensione dell'emettitore base del transistor PNP - (Misurato in Volt) - Tensione dell'emettitore base del transistor PNP IGBT. Un IGBT è un dispositivo ibrido che combina i vantaggi di un MOSFET e di un BJT.
Assorbimento di corrente - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del MOSFET e dell'IGBT.
Conducibilità Resistenza IGBT - (Misurato in Ohm) - La resistenza di conduttività IGBT è la resistenza quando un IGBT è acceso e conduce corrente.
Resistenza del canale N - (Misurato in Ohm) - La resistenza del canale N di un IGBT è la resistenza del materiale semiconduttore nel dispositivo quando l'IGBT è acceso.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Tensione dell'emettitore base del transistor PNP: 2.15 Volt --> 2.15 Volt Nessuna conversione richiesta
Assorbimento di corrente: 105 Millampere --> 0.105 Ampere (Controlla la conversione qui)
Conducibilità Resistenza IGBT: 1.03 Kilohm --> 1030 Ohm (Controlla la conversione qui)
Resistenza del canale N: 10.59 Kilohm --> 10590 Ohm (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

V_c-e(sat) = V_B-E(pnp)+I_d*(R_s+R_ch) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Valutare ... ...

V_c-e(sat) = 1222.25

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

1222.25 Volt --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

1222.25 Volt <-- Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Tu sei qui -

Casa » Ingegneria » Elettrico » Elettronica di potenza » Dispositivi transistor avanzati » IGBT » Tensione di saturazione dell'IGBT

Titoli di coda

Creato da Mohamed Fazil V

Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore

Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 8 IGBT Calcolatrici

Corrente di collettore continua nominale dell'IGBT

Partire Corrente diretta = (-Tensione totale del collettore e dell'emettitore+sqrt((Tensione totale del collettore e dell'emettitore)^2+4*Resistenza del collettore e dell'emettitore*((Giunzione operativa massima-Temperatura della custodia)/Resistenza termica)))/(2*Resistenza del collettore e dell'emettitore)

Tensione di saturazione dell'IGBT

Partire Tensione di saturazione dal collettore all'emettitore = Tensione dell'emettitore base del transistor PNP+Assorbimento di corrente*(Conducibilità Resistenza IGBT+Resistenza del canale N)

Caduta di tensione nell'IGBT in stato ON

Partire Caduta di tensione sul palco = Corrente diretta*Resistenza del canale N+Corrente diretta*Resistenza alla deriva+Giunzione Pn di tensione 1

Orario di spegnimento dell'IGBT

Partire Spegnimento ora = Ritardo+Tempo di caduta iniziale+Tempo di caduta finale

Massima dissipazione di potenza negli IGBT

Partire Massima dissipazione di potenza = Giunzione operativa massima/Giunzione all'angolo della cassa

Capacità di ingresso dell'IGBT

Partire Capacità di ingresso = Capacità dal gate all'emettitore+Capacità da gate a collettore

Tensione di rottura della polarizzazione diretta dell'IGBT

Partire Tensione di guasto in un'area operativa sicura = (5.34*10^13)/((Commissione positiva netta)^(3/4))

Corrente dell'emettitore dell'IGBT

Partire Corrente dell'emettitore = Corrente del buco+Corrente elettronica

Tensione di saturazione dell'IGBT Formula

Casa

GRATUITO PDF

🔍 Ricerca

Categorie

Condividere

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!