स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
हे सूत्र 1 कार्ये, 6 व्हेरिएबल्स वापरते
कार्ये वापरली
sqrt - स्क्वेअर रूट फंक्शन हे एक फंक्शन आहे जे इनपुट म्हणून नॉन-ऋणात्मक संख्या घेते आणि दिलेल्या इनपुट नंबरचे वर्गमूळ परत करते., sqrt(Number)
व्हेरिएबल्स वापरलेले
स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज गेट-सोर्स व्होल्टेज (Vgs) चा संदर्भ देते ज्यावर MOSFET त्याच्या ऑफ-स्टेटमधून त्याच्या ऑन-स्टेटमध्ये किंवा त्याउलट संक्रमण करते.
पुरवठा व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पुरवठा व्होल्टेज म्हणजे इलेक्ट्रॉनिक सर्किट किंवा डिव्हाइसला उर्जा देण्यासाठी प्रदान केलेल्या व्होल्टेज पातळीचा संदर्भ.
पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हे एक महत्त्वपूर्ण पॅरामीटर आहे जे व्होल्टेज पातळी परिभाषित करते ज्यावर ट्रान्झिस्टर विद्युत प्रवाह चालवू लागतो.
NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे गेट-स्रोत व्होल्टेज निर्धारित करते ज्यावर ट्रान्झिस्टर विद्युत प्रवाह चालवू लागतो.
NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ - एनएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन हे इनपुट व्होल्टेजमधील लहान बदलाच्या प्रतिसादात आउटपुट करंट किती बदलते याचे मोजमाप आहे.
पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन - PMOS ट्रान्झिस्टर गेन हे इनपुट व्होल्टेजमधील लहान बदलाच्या प्रतिसादात आउटपुट करंट किती बदलते याचे मोजमाप आहे.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
पुरवठा व्होल्टेज: 6.3 व्होल्ट --> 6.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 3.14 व्होल्ट --> 3.14 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 25 व्होल्ट --> 25 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ: 18 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन: 6.5 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βnp))/(1+sqrt(βnp)) --> (6.3+3.14+25*sqrt(18/6.5))/(1+sqrt(18/6.5))
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Vs = 19.1593796922905
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
19.1593796922905 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
19.1593796922905 19.15938 व्होल्ट <-- स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित बानुप्रकाश
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
बानुप्रकाश यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित संतोष यादव
दयानंद सागर अभियांत्रिकी महाविद्यालय (DSCE), बंगलोर
संतोष यादव यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 50+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 एमओएस आयसी फॅब्रिकेशन कॅल्क्युलेटर

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज
​ जा स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))
MOSFET मध्ये शरीराचा प्रभाव
​ जा सब्सट्रेटसह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+बॉडी इफेक्ट पॅरामीटर*(sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल+शरीरावर व्होल्टेज लागू)-sqrt(2*बल्क फर्मी पोटेंशियल))
दाता डोपंट एकाग्रता
​ जा दाता डोपंट एकाग्रता = (संपृक्तता वर्तमान*ट्रान्झिस्टरची लांबी)/([Charge-e]*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)
संपृक्तता प्रदेशात MOSFET चा प्रवाह प्रवाह
​ जा ड्रेन करंट = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर/2*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-शून्य शरीर पूर्वाग्रह सह थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2*(1+चॅनेल लांबी मॉड्युलेशन फॅक्टर*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)
स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता
​ जा स्वीकारणारा डोपेंट एकाग्रता = 1/(2*pi*ट्रान्झिस्टरची लांबी*ट्रान्झिस्टरची रुंदी*[Charge-e]*भोक गतिशीलता*डिप्लेशन लेयर कॅपेसिटन्स)
जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता
​ जा जास्तीत जास्त डोपेंट एकाग्रता = संदर्भ एकाग्रता*exp(-घन विद्राव्यतेसाठी सक्रियता ऊर्जा/([BoltZ]*परिपूर्ण तापमान))
प्रसार वेळ
​ जा प्रसार वेळ = 0.7*पास ट्रान्झिस्टरची संख्या*((पास ट्रान्झिस्टरची संख्या+1)/2)*MOSFET मध्ये प्रतिकार*लोड कॅपेसिटन्स
मुक्त इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता
​ जा इलेक्ट्रॉन्समुळे प्रवाही घनता = [Charge-e]*इलेक्ट्रॉन एकाग्रता*इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते
​ जा छिद्रांमुळे प्रवाहाची घनता वाहते = [Charge-e]*भोक एकाग्रता*भोक गतिशीलता*इलेक्ट्रिक फील्ड तीव्रता
चॅनेल प्रतिकार
​ जा चॅनेल प्रतिकार = ट्रान्झिस्टरची लांबी/ट्रान्झिस्टरची रुंदी*1/(इलेक्ट्रॉन गतिशीलता*वाहक घनता)
MOSFET युनिटी-गेन वारंवारता
​ जा MOSFET मध्ये युनिटी गेन वारंवारता = MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स/(गेट सोर्स कॅपेसिटन्स+गेट ड्रेन कॅपेसिटन्स)
गंभीर परिमाण
​ जा गंभीर परिमाण = प्रक्रिया अवलंबित स्थिरांक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/संख्यात्मक छिद्र
फोकसची खोली
​ जा फोकसची खोली = आनुपातिकता घटक*फोटोलिथोग्राफी मध्ये तरंगलांबी/(संख्यात्मक छिद्र^2)
प्रति वेफर मरणे
​ जा डाई प्रति वेफर = (pi*वेफर व्यास^2)/(4*प्रत्येक डाईचा आकार)
समतुल्य ऑक्साईड जाडी
​ जा समतुल्य ऑक्साईड जाडी = सामग्रीची जाडी*(3.9/साहित्याचा डायलेक्ट्रिक स्थिरांक)

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज सुत्र

स्विचिंग पॉइंट व्होल्टेज = (पुरवठा व्होल्टेज+पीएमओएस थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+NMOS थ्रेशोल्ड व्होल्टेज*sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))/(1+sqrt(NMOS ट्रान्झिस्टर लाभ/पीएमओएस ट्रान्झिस्टर गेन))
Vs = (Vdd+Vtp+Vtn*sqrt(βn/βp))/(1+sqrt(βn/βp))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!