NMOS मध्ये एकूण उर्जा नष्ट झाली उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
शक्ती उधळली = NMOS मधील प्रवाह^2*चॅनल प्रतिकार चालू
PD = Id^2*Ron
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
शक्ती उधळली - (मध्ये मोजली वॅट) - पॉवर डिससिप्टेड म्हणजे उष्णतेमध्ये रूपांतरित होणारी उर्जा आणि सर्किट किंवा सिस्टीममध्ये प्रतिकार, घर्षण किंवा उर्जेच्या नुकसानाच्या इतर प्रकारांमुळे गमावली जाते.
NMOS मधील प्रवाह - (मध्ये मोजली अँपिअर) - NMOS मधील ड्रेन करंट म्हणजे ड्रेनमधून फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (FET) किंवा मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (MOSFET) च्या स्त्रोताकडे वाहणारा विद्युत प्रवाह.
चॅनल प्रतिकार चालू - (मध्ये मोजली ओहम) - ऑन चॅनल रेझिस्टन्स हे कोणत्याही स्टँडर्ड मॉस्फेट सर्किटसाठी ड्रेन आणि सोर्समधील चॅनल-ऑन रेझिस्टन्स मूल्य आहे.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
NMOS मधील प्रवाह: 239 मिलीअँपिअर --> 0.239 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चॅनल प्रतिकार चालू: 0.02 किलोहम --> 20 ओहम (रूपांतरण तपासा ​येथे)
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
PD = Id^2*Ron --> 0.239^2*20
मूल्यांकन करत आहे ... ...
PD = 1.14242
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
1.14242 वॅट -->1142.42 मिलीवॅट (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
1142.42 मिलीवॅट <-- शक्ती उधळली
(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

17 एन-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर

एनएमओएसच्या ट्रायोड प्रदेशातील ड्रेन-स्रोत सध्या प्रवेश करत आहे
​ जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2)
NMOS च्या वर्तमान एंटरिंग ड्रेन टर्मिनलला गेट सोर्स व्होल्टेज दिलेला आहे
​ जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*((गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज-1/2*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज^2)
NMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव
​ जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))
NMOS चे वर्तमान प्रवेश करणारे ड्रेन टर्मिनल
​ जा NMOS मधील प्रवाह = NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज*(NMOS मध्ये ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज-1/2*ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)
रेखीय प्रतिकार म्हणून NMOS
​ जा रेखीय प्रतिकार = चॅनेलची लांबी/(चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*चॅनेलची रुंदी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))
जेव्हा NMOS व्होल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्त्रोत म्हणून कार्य करते तेव्हा प्रवाह काढून टाका
​ जा NMOS मधील प्रवाह = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2
NMOS च्या संपृक्तता क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवेश करणारी ड्रेन-स्रोत
​ जा NMOS मधील प्रवाह = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(गेट स्त्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)^2
NMOS चे फॅब्रिकेशन प्रोसेस पॅरामीटर
​ जा फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर = sqrt(2*[Charge-e]*पी सब्सट्रेटचे डोपिंग एकाग्रता*[Permitivity-vacuum])/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
एनएमओएसच्या संपृक्ततेच्या प्रदेशातील प्रवाहात प्रवेश करणार्‍या ड्रेन-स्रोतला प्रभावी व्होल्टेज दिलेला आहे
​ जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(NMOS मध्ये ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)^2
एनएमओएसच्या संतृप्ति आणि ट्रायोड प्रदेशाच्या सीमारेषेवर वर्तमान प्रवेश करणारा नाला स्त्रोत
​ जा NMOS मधील प्रवाह = 1/2*NMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*चॅनेलची रुंदी/चॅनेलची लांबी*(ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज)^2
एनएमओएस ट्रान्झिस्टरमधील चॅनेलचा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग
​ जा इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग = चॅनेलच्या पृष्ठभागावर इलेक्ट्रॉन्सची गतिशीलता*चॅनेलच्या लांबीवर इलेक्ट्रिक फील्ड
NMOS दिलेला ड्रेन करंट व्होल्टेज-नियंत्रित वर्तमान स्त्रोत म्हणून कार्य करतो
​ जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर
NMOS मध्ये एकूण वीजपुरवठा
​ जा वीजपुरवठा केला = पुरवठा व्होल्टेज*(NMOS मधील प्रवाह+चालू)
वर्तमान स्रोत NMOS चे आउटपुट रेझिस्टन्स दिलेले ड्रेन करंट
​ जा आउटपुट प्रतिकार = डिव्हाइस पॅरामीटर/चॅनेल लांबी मॉड्यूलेशनशिवाय प्रवाह काढून टाका
NMOS मध्ये एकूण उर्जा नष्ट झाली
​ जा शक्ती उधळली = NMOS मधील प्रवाह^2*चॅनल प्रतिकार चालू
एनएमओएसमध्ये चॅनेलची लांबी दिलेली पॉझिटिव्ह व्होल्टेज
​ जा विद्युतदाब = डिव्हाइस पॅरामीटर*चॅनेलची लांबी
NMOS चे ऑक्साइड कॅपेसिटन्स
​ जा ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = (3.45*10^(-11))/ऑक्साईड जाडी

NMOS मध्ये एकूण उर्जा नष्ट झाली सुत्र

शक्ती उधळली = NMOS मधील प्रवाह^2*चॅनल प्रतिकार चालू
PD = Id^2*Ron

उधळपट्टी म्हणजे काय?

शक्ती लुप्त होण्याची व्याख्या ही अशी प्रक्रिया आहे ज्याद्वारे इलेक्ट्रॉनिक किंवा इलेक्ट्रिकल उपकरण त्याच्या प्राथमिक क्रियेचा अनिष्ट साधित म्हणून उष्णता (उर्जा गमावणे किंवा कचरा) तयार करते. सेंट्रल प्रोसेसिंग युनिट्सच्या बाबतीत जसे की, कंप्यूटर आर्किटेक्चरमध्ये पॉवर डिसपिपेशन ही मुख्य चिंता आहे. शिवाय, प्रतिरोधकांमधील शक्ती लुप्त होणे ही नैसर्गिकरित्या घडून येणारी घटना मानली जाते. वस्तुस्थिती अशी आहे की सर्व रेझिस्टर जे सर्किटचा भाग आहेत आणि त्यामध्ये व्होल्टेज ड्रॉप आहे ते विद्युत शक्ती नष्ट करतात. शिवाय, ही विद्युत शक्ती उष्णतेच्या उर्जेमध्ये रूपांतरित होते, आणि म्हणूनच सर्व प्रतिरोधकांचे (पॉवर) रेटिंग असते. तसेच, प्रतिरोधकाचे पॉवर रेटिंग एक असे वर्गीकरण आहे जे गंभीर अपयशापर्यंत पोहोचण्यापूर्वी ते उधळू शकते अशा जास्तीत जास्त शक्तीचे पॅरामीटराइझ करते.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!